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本发明公开了一种小型化高散热性的多芯片线性功率放大器结构及其制作方法,其特征是一个独立功能模块包含功率放大芯片、CMOS芯片、射频开关芯片、以及相匹配的无源器件等多个元件组成。其中功率放大芯片预先埋入至有机基板内部,功率放大芯片背面粘贴于基...该专利属于合肥雷诚微电子有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过合肥雷诚微电子有限责任公司授权不得商用。
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本发明公开了一种小型化高散热性的多芯片线性功率放大器结构及其制作方法,其特征是一个独立功能模块包含功率放大芯片、CMOS芯片、射频开关芯片、以及相匹配的无源器件等多个元件组成。其中功率放大芯片预先埋入至有机基板内部,功率放大芯片背面粘贴于基...