PERC太阳能电池硅片背面的清洗方法技术

本发明专利技术公开了PERC太阳能电池硅片背面的清洗方法，该清洗发生在PERC太阳能电池制备过程中电池硅片沉积正面氮化硅膜之后、沉积背面氧化铝膜之前，包括依次进行的如下步骤：(1)将硅片放入KOH和H2O2的混合溶液中；(2)将硅片放入去离子水中进行漂洗；(3)将硅片放入KOH溶液中；(4)将硅片放入KOH和H2O2的混合溶液中；(5)将硅片放入去离子水中进行漂洗；(6)将硅片放入HF溶液或者HCL溶液或者HF和HCL的混合溶液中；(7)将硅片放入去离子水中进行漂洗，漂洗完成后将硅片提出水面；(8)对硅片进行烘干。该清洗方法能够提升电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
PERC太阳能电池硅片背面的清洗方法
本专利技术涉及太阳能电池
，具体是指PERC太阳能电池硅片背面的清洗方法。
技术介绍
晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，当太阳光照在半导体P～N结上，形成新的空穴～电子对，在P～N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。传统晶硅太阳能电池基本上只采用正面钝化技术，在硅片正面用PECVD的方式沉积一层氮化硅，降低少子在前表面的复合速率，可以大幅度提升晶硅电池的开路电压和短路电流，从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。随着对晶硅电池的光电转换效率的要求越来越高，人们开始研究背钝化太阳电池技术。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供PERC太阳能电池硅片背面的清洗方法，该清洗方法能够显著提升PERC太阳能电池硅片背面氧化铝膜的钝化效果，减少电池污染，提高电池的开路电压和短路电流，从而提升电池的光电转换效率。本专利技术的目的通过如下的技术方案来实现的：PERC太阳能电池硅片背面的清洗方法，其特征在于：该清洗发生在PERC太阳能电池制备过程中电池硅片沉积正面氮化硅膜之后、沉积背面氧化铝膜之前，该清洗方法具体包括依次进行的如下步骤：(1)将硅片放入KOH和H2O2的混合溶液中，该混合溶液中KOH的质量分数为0.1％～6％，H2O2的质量分数为0.1％～5％，混合溶液的温度为60～99度，放置时间为30～300s；(2)将硅片放入去离子水中进行漂洗，漂洗时间为30～300s；(3)将硅片放入KOH溶液中，KOH的质量分数为0.3％～18％，温度为60～99度，放置时间为30～300s；(4)将硅片放入KOH和H2O2的混合溶液中，该混合溶液中KOH的质量分数为0.1％～6％，H2O2的质量分数为0.1％～5％，混合溶液的温度为60～99度，放置时间为30～300s；(5)将硅片放入去离子水中进行漂洗，漂洗时间为30～300s；(6)将硅片放入HF溶液或者HCL溶液或者HF和HCL的混合溶液中，温度为60～90度，放置时间为5～300s，其中，HF溶液中，HF的质量分数为0.2％～6％，HCL溶液中，HCL的质量分数为0.2％～5％，HF和HCL的混合溶液中，HF的质量分数为0.2％～6％，HCL的质量分数为0.2％～5％；(7)将硅片放入去离子水中进行漂洗，温度为60～99度，漂洗时间为30～300s，漂洗完成后将硅片提出水面；(8)对硅片进行烘干。上述步骤(1)和步骤(4)的目的是清洗硅片的有机杂质或与碱反应后粘附的副产物。步骤(3)的目的是刻蚀硅片背面。其中，上述步骤中所有的KOH均可以用NaOH替换。所述步骤(6)放入酸液是为了中和硅片从前面步骤带来的残留碱液、去除金属离子以及去掉硅片背面的氧化层。所述步骤(7)中，漂洗完成后采用慢提拉技术将硅片提出水面。采用慢提拉技术，即将硅片在热的去离子水中浸泡后，慢慢提出水面，有助于硅片疏水。本专利技术的清洗方法在PERC太阳能电池硅片正面沉积正面氮化硅膜后，对硅片背面进行清洗，然后取出在背面沉积背面氧化铝膜，即PERC太阳能电池硅片背面的清洗发生在沉积正面氮化硅膜之后、并且在沉积背面氧化铝膜之前。由于清洗背面可以去除硅片背面的氧化层和脏污，减少电池污染，有利于背面氧化铝膜的沉积，可以显著提升背面氧化铝膜的钝化效果，提高电池的开路电压和短路电流，从而大幅度提升电池的光电转换效率。并且设备投入成本低，工艺简单，且与目前生产线兼容性好。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明。图1是PERC太阳能电池的整体结构截面图；图2是PERC太阳能电池硅片背面的清洗方法的流程框图。附图标记说明1、背银电极，2、铝背场，3、背面氮化硅膜，4、背面氧化铝膜，5、P型硅，6、N型硅，7、正面氮化硅膜，8、正银电极，9、激光开槽区；10、背铝条。具体实施方式实施例一如图1所示的能够提高光电转换效率的PERC太阳能电池，包括自下而上依次设置的背银电极1、铝背场2、背面氮化硅膜3、背面氧化铝膜4、P型硅5、N型硅6、正面氮化硅膜7和正银电极8，太阳能电池在背面还开设有开通背面氮化硅膜3、背面氧化铝膜4后直至P型硅5的多条激光开槽区9，多条激光开槽区9平行设置，每个激光开槽区9内均填充有背铝条10，背铝条10与铝背场2采用铝浆料一体印刷成型，铝背场2通过背铝条10与P型硅5相连，背银电极1、铝背场2、背面氮化硅膜3、背面氧化铝膜4、P型硅5、N型硅6、正面氮化硅膜7和正银电极8自下而上依次相连接，P型硅5为电池的硅片，N型硅6为在硅片正面扩散形成的N型发射极，正面氮化硅膜7沉积在硅片正面，背面氧化铝膜4沉积在硅片背面，硅片沉积正面氮化硅膜7后再沉积背面氧化铝膜4，并且在沉积背面氧化铝膜4前对硅片背面进行清洗。本实施例的背面氧化铝膜4的材质为三氧化二铝(Al2O3)，背面氮化硅膜3和正面氮化硅膜7的材质相同，均为氮化硅(Si3N4)。本实施例中，正面氮化硅膜7的厚度为75微米，背面氮化硅膜3的厚度为150微米，背面氧化铝膜4的厚度为8nm。正面氮化硅膜7的厚度可以在50～300微米内取值，最优的厚度为60～90微米，背面氮化硅膜3的厚度可以在80～300微米内取值，最优的厚度为100～200微米，背面氧化铝膜4的厚度可以在2～50nm内取值，比如为10nm、20nm、30nm、40nm，最优的厚度为5～30nm。该PERC太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(101)在硅片正面形成绒面，硅片为P型硅5；(102)在硅片正面进行扩散形成N型硅6，即N型发射极；(103)去除硅片周边的PN结和扩散过程形成的正面磷硅玻璃，并对硅片正面进行臭氧氧化处理；步骤(3)后，根据实际情况决定是否还需要对硅片背面进行抛光；(104)在硅片正面沉积正面氮化硅膜7；(105)对硅片背面进行清洗，(106)在硅片背面沉积背面氧化铝膜4；(107)在硅片背面沉积背面氮化硅膜3；(108)对硅片背面进行激光开槽，开通背面氮化硅膜3、背面氧化铝膜4后直至硅片，形成多条激光开槽区9；(109)在硅片背面印刷背电极浆料，烘干；(110)在硅片背面印刷铝浆料，形成铝背场2，在印刷铝背场2的同时在激光开槽区9内印刷铝浆料，形成背铝条10，背铝条10与铝背场2一体印刷成型，印刷后进行烘干；(111)在硅片正面印刷正电极浆料，烘干；(112)对硅片进行高温烧结，形成背银电极1、铝背场2和正银电极8；(113)对硅片进行抗LID退火处理，形成太阳能电池。本专利技术PERC太阳能电池硅片在沉积正面氮化硅膜7后再沉积背面氧化铝膜4，并且在沉积背面氧化铝膜4前对硅片背面进行清洗，即PERC太阳能电池硅片背面的清洗发生在沉积正面氮化硅膜7之后、并且在沉积背面氧化铝膜4之前。如图2所示，本专利技术PERC太阳能电池硅片背面的清洗方法，该清洗发生在PERC太阳能电池制备过程中电池硅片沉积正面氮化硅膜之后、沉积背面氧化铝膜之前，该清洗方法包括依次进行的如下步骤：(1)将硅片放入KOH和H2O2的混合溶液中，该混合溶液中KOH的质量分数为0.1％，H2O2的质量分数为0.1％，混合溶液的温度为99度，放置时间为300s；(2)将硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
PERC太阳能电池硅片背面的清洗方法，其特征在于：该清洗发生在PERC太阳能电池制备过程中电池硅片沉积正面氮化硅膜之后、沉积背面氧化铝膜之前，该清洗方法包括依次进行的如下步骤：(1)将硅片放入KOH和H2O2的混合溶液中，该混合溶液中KOH的质量分数为0.1％～6％，H2O2的质量分数为0.1％～5％，混合溶液的温度为60～99度，放置时间为30～300s；(2)将硅片放入去离子水中进行漂洗，漂洗时间为30～300s；(3)将硅片放入KOH溶液中，KOH的质量分数为0.3％～18％，温度为60～99度，放置时间为30～300s；(4)将硅片放入KOH和H2O2的混合溶液中，该混合溶液中KOH的质量分数为0.1％～6％，H2O2的质量分数为0.1％～5％，混合溶液的温度为60～99度，放置时间为30～300s；(5)将硅片放入去离子水中进行漂洗，漂洗时间为30～300s；(6)将硅片放入HF溶液或者HCL溶液或者HF和HCL的混合溶液中，温度为60～90度，放置时间为5～300s，其中，HF溶液中，HF的质量分数为0.2％～6％，HCL溶液中，HCL的质量分数为0.2％～5％，HF和HCL的混合溶液中，HF的质量分数为0.2％～6％，HCL的质量分数为0.2％～5％；(7)将硅片放入去离子水中进行漂洗，温度为60～99度，漂洗时间为30～300s，漂洗完成后将硅片提出水面；(8)对硅片进行烘干。...

【技术特征摘要】
1.PERC太阳能电池硅片背面的清洗方法，其特征在于：该清洗发生在PERC太阳能电池制备过程中电池硅片沉积正面氮化硅膜之后、沉积背面氧化铝膜之前，该清洗方法包括依次进行的如下步骤：(1)将硅片放入KOH和H2O2的混合溶液中，该混合溶液中KOH的质量分数为0.1％～6％，H2O2的质量分数为0.1％～5％，混合溶液的温度为60～99度，放置时间为30～300s；(2)将硅片放入去离子水中进行漂洗，漂洗时间为30～300s；(3)将硅片放入KOH溶液中，KOH的质量分数为0.3％～18％，温度为60～99度，放置时间为30～300s；(4)将硅片放入KOH和H2O2的混合溶液中，该混合溶液中KOH的质量分数为0.1％～6％，H2O2的质量分数为0.1％～5％，混合溶液的温度为60～99度，放置时间为30～300s；(5)将...

【专利技术属性】
技术研发人员：方结彬，何达能，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33