The invention discloses a double gate TFT array substrate and a manufacturing method thereof and a display device, wherein, the manufacturing method comprises the following steps of: forming a common electrode and a top gate through a primary patterning process. The invention provides a dual gate TFT array substrate and its manufacturing method, through a process to form a common electrode composition and top gate, and the traditional production of common electrode fabrication process, and then the top gate compared to a decrease of the number of composition process, simplify the process. At the same time, the top gate and the bottom gate of the double gate TFT array substrate obtained by the reduction method have the similar resistance, which ensures the stability of the whole array substrate.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于显示
,具体而言,涉及一种双栅TFT阵列基板的制造方法、一种双栅TFT阵列基板和一种显示装置。
技术介绍
在液晶显示领域中,薄膜晶体管的有源层一直使用稳定性能、加工性能等优异的硅系材料,硅系材料主要分为非晶硅和多晶硅,其中非晶硅材料迁移率很低,而多晶硅材料虽然有较高的迁移率,但用其制造的器件均匀性较差,良率低,单价高。所以近年来,将透明氧化物半导体膜用于沟道形成区来制造薄膜晶体管(TFT)等,并应用于电子器件及光器件的技术受到广泛关注。其中,利用以铟、镓、锌、氧为构成元素的非晶质In-Ga-Zn-O系材料(a-IGZO)的场效应型晶体管因其具有较高迁移率,较大开关比,而得到了最多的瞩目。但是IGZO是非晶结构,特性很不稳定,所以提高氧化物器件的稳定性非常重要。改善氧化物稳定性有很多方向,其中使用上下双栅极结构是一种非常有效的方法。现有制备双栅结构的氧化物器件需要在传统的BCE(背沟道刻蚀)或者ESL(刻蚀阻挡层)结构TFT区域上方增加一层金属作为顶栅(Top-Gate),该结构需要增加一次金属的图案化工艺和保护该层金属的绝缘层的沉积工艺。步骤繁多,工艺复杂。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是如何简化双栅极薄膜晶体管阵列基板的工艺流程。针对该技术问题,第一方面,本专利技术提供一种双栅TFT阵列基板的制造方法,包括:通过一次构图工艺形成公共电 ...
【技术保护点】
一种双栅TFT阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:通过一次构图工艺形成公共电极和顶栅。
【技术特征摘要】
1.一种双栅TFT阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:
通过一次构图工艺形成公共电极和顶栅。
2.根据权利要求1所述的双栅TFT阵列基板的制造方法,其特
征在于,在形成所述公共电极和顶栅前,还包括:
在基底上形成底栅和栅线;
在所述底栅和栅线上形成栅绝缘层;
在所述栅绝缘层上形成有源层;
在所述有源层上形成源极和漏极;
在所述源极和漏极上形成第一钝化层;
其中,所述公共电极和顶栅形成在所述第一钝化层上。3.根据权利要求2所述的双栅TFT阵列基板的制造方法,其特
征在于,还包括:
在所述第一钝化层和所述栅绝缘层中与所述栅线对应的位置形
成过孔,所述顶栅与所述栅线通过过孔连接。
4.根据权利要求1所述的双栅TFT阵列基板的制造方法,其特
征在于,还包括:
在所述公共电极和顶栅上形成第二钝化层,在所述第二钝化层上
形成像素电极。
5.根据权利要求1所述的双栅TFT阵列基板的制造方法,其特
征在于,所述双栅TFT阵列基板的有源层为IGZO。
6.根据权利要求1至5中任一项权利要求所述的双栅TFT阵列
基板的制造方法,其特征在于,所述公共电极为透明金属氧化物,形
成所述公共电极和顶栅的步骤包括:
对所述顶栅进行还原处理。
7.根据权利要求6所述的双栅TFT阵列基板的制造方法,其特
征在于,形成所述公共电极和顶栅的步骤包括:
形成透明金属氧化物层;
在所述透明金属氧化物层上形成光刻胶;
对所述光刻胶进行半灰阶掩膜曝光处理,通过显影,保留第一区
域的光刻胶,部分保留第二区域的光刻胶,去除其他区域光刻胶;
蚀刻掉所述其他区域的透明金属氧化物层;<...
【专利技术属性】
技术研发人员:牛菁,春晓改,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。