【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种形成双栅介电层的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上通过氧化该半导体衬底的方式生长形成第一栅介电层的第一薄部；在所述第一薄部上采用淀积的方式形成第一栅介电层的第二厚部，其中所述第一栅介电层具有第一厚度；去除所述第一栅介电层的特定部分，以露出所述半导体衬底的特定表面区域；以及在半导体衬底的露出的所述特定表面区域上形成第二栅介电层，其中该第二栅介电层具有第二厚度，该第二厚度比所述第一厚度薄。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吉扬永，姚泽强，郑智星，杨海峰，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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