温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提出了一种形成双栅介电层的方法及形成具有双栅介电层的半导体器件的方法。根据本公开实施例的形成双栅介电层的方法包括在半导体衬底上采用氧化该半导体衬底的方式生长形成第一栅介电层的第一薄部，随后在该第一薄部上采用淀积的方式形成第一栅介电层的第二厚...
该专利属于成都芯源系统有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都芯源系统有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。