鳍式晶体管的形成方法技术

技术编号:9172112 阅读:158 留言:0更新日期:2013-09-19 21:15
一种鳍式晶体管的形成方法,包括:提供基底,所述基底表面形成有多个鳍部,所述鳍部顶部表面具有阻挡层;在基底表面形成覆盖所述鳍部的第一覆盖层;平坦化所述第一覆盖层直至暴露出阻挡层;在所述阻挡层和所述第一覆盖层表面、采用沉积工艺形成第二覆盖层;刻蚀所述第二覆盖层和第一覆盖层,形成伪栅。本发明专利技术实施例的鳍式晶体管的形成方法良率高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种鳍式晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底表面形成有多个鳍部,所述鳍部顶部表面具有阻挡层;在基底表面形成覆盖所述鳍部的第一覆盖层;平坦化所述第一覆盖层直至暴露出阻挡层;在所述阻挡层和所述第一覆盖层表面、采用沉积工艺形成第二覆盖层;刻蚀所述第二覆盖层和第一覆盖层,形成伪栅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:洪中山
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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