感光晶体管、其制造方法以及使用感光晶体管的显示面板技术

本发明专利技术提供了感光晶体管、使用感光晶体管的显示面板、及感光晶体管的制造方法。感光晶体管包括：栅极层；栅绝缘层，在栅极层上；沟道层，在栅绝缘层上；蚀刻停止层，在沟道层的部分区域上；源极和漏极，在沟道层上并彼此分离开，其中蚀刻停止层插置在源极和漏极之间；以及钝化层，覆盖源极、漏极和蚀刻停止层，其中源极与蚀刻停止层分离开。

【技术实现步骤摘要】
感光晶体管、其制造方法以及使用感光晶体管的显示面板
示例实施方式涉及感光晶体管、其制造方法以及使用感光晶体管的显示面板。
技术介绍
薄膜晶体管广泛用于各种领域，具体地，用作显示器领域中的开关器件和驱动器件。近来，已经提出了使用薄膜晶体管作为感光元件，用于光学触摸屏。触摸屏装置是用于在屏幕上直接输入数据的装置。换句话说，当用户的手指或触针（例如，笔）触摸触摸屏装置的显示屏上的特定位置时，利用软件执行一系列进程。当前，广泛使用的触摸屏装置采用通过使用手指或笔来直接触摸显示装置的屏幕的方法。然而，随着显示装置的尺寸增大，用户与显示装置之间的距离增大，因此可能难以使用直接触摸法。光学触摸屏装置是通过感测光而不是通过手指或笔的接触来执行与常规触摸屏相同的功能的装置。光学触摸屏装置被期望不仅用于用户与终端之间的通信而且用于用户之间的通信。当感光晶体管用于光学触摸屏装置且液晶面板用作显示面板时，输入的光穿过偏光膜并且入射到感光晶体管。当光穿过偏光膜时发生光损失。此外，光损失的程度根据入射角而改变。光电流关于特定的入射角而减少大约10%，使得感光晶体管可能不对入射光作出反应。因此，存在研究解决方案以提高感光效率的要求。
技术实现思路
示例实施方式涉及感光晶体管、其制造方法和使用感光晶体管的显示面板。提供了用于具有以下结构的感光晶体管的方法和装置：感光晶体管的沟道层可以被有效地暴露于光，还提供了制造该感光晶体管的方法以及使用该感光晶体管的光学触摸显示面板。另外的方面将通过后面的描述而部分地阐述，并通过该描述而部分地显见，或者可以通过实践当前实施方式而习之。根据示例实施方式，一种感光晶体管包括∶栅极层；栅绝缘层，在栅极层上；沟道层，在栅绝缘层上；蚀刻停止层，在沟道层的部分区域上；源极和漏极，在沟道层上并彼此分离开，其中蚀刻停止层插置在源极和漏极之间；以及钝化层，覆盖源极、漏极和蚀刻停止层，其中源极与蚀刻停止层分离开。沟道层的相应于源极与蚀刻停止层之间的空间的区域可以具有比沟道层的任何其他区域高的电导率。源极和漏极可以由透明电极材料形成。源极和漏极可以由金属材料形成。漏极可以与蚀刻停止层分离开。沟道层的相应于源极与蚀刻停止层之间的空间的区域以及沟道层的相应于漏极与蚀刻停止层之间的空间的区域可以具有比沟道层的任何其他区域高的电导率。源极和漏极可以由透明电极材料形成。源极和漏极可以由金属材料形成。沟道层可以由包括从铟（In）、镓（Ga）、锌（Zn）、铝（Al）及其组合中选择出的至少一个的氧化物形成。沟道层可以由半导体材料形成。根据示范实施方式，一种光学触摸显示面板包括∶显示单元，配置为根据图像信息而在开启状态和关闭状态之间被控制；以及如上所述的感光晶体管，其中感光晶体管配置为感测入射光。漏极可以与蚀刻停止层分离开。源极和漏极可以由透明电极材料形成。源极和漏极可以由金属材料形成。显示单元可以包括液晶材料。根据示例实施方式，一种制造感光晶体管的方法，该方法包括∶在栅极层上顺序形成栅绝缘层和由半导体材料形成的沟道层；在沟道层的部分区域上形成蚀刻停止层；形成导电材料层以完全覆盖沟道层和蚀刻停止层；蚀刻导电材料层的部分区域以暴露蚀刻停止层，其中导电材料层被分离成源极和漏极，源极与蚀刻停止层分离开形成；以及形成钝化层以覆盖源极、漏极和蚀刻停止层。导电材料层可以由透明电极材料形成。导电材料层可以由金属材料形成。漏极可以与蚀刻停止层分离开。沟道层可以由包括从铟（In）、镓（Ga）、锌（Zn）、铝（Al）及其组合中选择出的至少一个的氧化物形成。沟道层可以由半导体材料形成。附图说明通过下文结合附图对示例实施方式的描述，上述和/或其他方面将变得明显且更易于理解，附图中：图1是示意性示出根据示例实施方式的感光晶体管的结构的截面图；图2A和图2B分别是根据比较例的感光晶体管的结构的截面图以及根据光束位置的光电流的曲线图；图3是示意性示出根据示例实施方式的感光晶体管的结构的截面图；图4是示意性示出根据示例实施方式的感光晶体管的结构的截面图；图5是示意性示出根据示例实施方式的感光晶体管的结构的截面图；图6A至图6G是用于解释根据示例实施方式的感光晶体管的制造方法的截面图；图7是示意性示出根据示例实施方式的显示面板的结构的截面图；以及图8是示意性示出根据示例实施方式的显示面板的结构的截面图。具体实施方式现在将参考其中示出一些示例实施方式的附图更充分地描述不同的示例实施方式。然而，在此详细公开的具体的结构和功能仅是代表性的，用于描述示例实施方式。因此，本专利技术可以以许多替换形式实现并且不应理解为仅限于在此阐述的示例实施方式。因此，应当理解不旨在将示例实施方式限制到公开的具体形式，相反，示例实施方式旨在覆盖落入本专利技术范围内的所有改进、等价物和替换。在附图中，为了清楚可以夸大层和区域的厚度，在对附图的描述中相似的数字始终指代相似的元件。虽然术语第一、第二等可以用于此来描述各种元件，但是这些元件应不受这些术语限制。这些术语只用于区分一个元件与另一元件。例如，第一元件可以被称为第二元件，类似地，第二元件可以被称为第一元件，而不脱离示例实施方式的范围。如这里所用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何及所有组合。将理解，如果元件被称为“连接到”或“耦接到”另一元件，它可以直接连接到或耦接到另一元件，或者可以存在中间的元件。相反，如果元件被称为“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件时，则没有中间元件存在。用于描述元件之间的关系的其他词语应当以类似的方式理解（例如，“在...之间”与“直接在...之间”、“相邻”与“直接相邻”等）。这里所使用的术语是只为了描述特别的实施方式的目的且不旨在限制示例实施方式。如这里所用，单数形式也旨在包括复数形式，除非内容清楚地指示另外的意思。可以进一步理解当术语“包括”和/或“包含”在此使用时，说明所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除存在或添加一个或更多其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组。在这里为了描述的方便，可以使用空间相对术语（例如，“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等）来描述一个元件或特征和另一元件或特征如图中所示的关系。可以理解空间相对术语旨在包含除了在图中所绘的方向之外的装置在使用或操作中的不同方向。例如，如果图中的装置被翻转，被描述为在其他元件或特征的“下方”或“下面”的元件则应取向在所述其他元件或特征的“上方”。因此，例如，术语“下方”可以包含下方和上方两个方向。装置也可以有其它取向（旋转90度或以其它取向观看或为基准）且相应地解释这里所使用的空间相对描述语。参考截面图示在这里描述了示例实施方式，该图示是理想实施方式（及中间结构）的示意图。因此，可以预期由于例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，示例实施方式不应解释为限于这里所示的具体的区域形状，而是包括由于例如由制造引起的形状的偏离。例如，被示为矩形的注入区通常可以具有圆化或弯曲的特征和/或在其边缘具有（例如，注入浓度的）梯度而不是从注入区到非注入区的二元变化。相似地，由注入形成的埋入区可以引起埋入区和通过其进行注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，图中示出的区域本质上是示意性的且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种感光晶体管，包括∶栅极层；栅绝缘层，在所述栅极层上；沟道层，在所述栅绝缘层上；蚀刻停止层，在所述沟道层的部分区域上；源极和漏极，在所述沟道层上并彼此分离开，其中所述蚀刻停止层插置在所述源极和所述漏极之间；以及钝化层，覆盖所述源极、所述漏极和所述蚀刻停止层，其中所述源极与所述蚀刻停止层分离开。

【技术特征摘要】
2012.03.13 KR 10-2012-00256661.一种感光晶体管，包括∶栅极层；栅绝缘层，在所述栅极层上；沟道层，在所述栅绝缘层上；蚀刻停止层，在所述沟道层的部分区域上；源极和漏极，在所述沟道层上并彼此分离开，其中所述蚀刻停止层插置在所述源极和所述漏极之间；以及钝化层，覆盖所述源极、所述漏极和所述蚀刻停止层，其中所述源极与所述蚀刻停止层分离开，其中所述沟道层的相应于所述源极与所述蚀刻停止层之间的空间的区域具有比沟道层的任何其他区域高的电导率。2.如权利要求1所述的感光晶体管，其中所述源极和所述漏极由透明电极材料形成。3.如权利要求1所述的感光晶体管，其中所述源极和所述漏极由金属材料形成。4.如权利要求1所述的感光晶体管，其中所述漏极与所述蚀刻停止层分离开。5.如权利要求4所述的感光晶体管，其中所述沟道层的相应于所述源极与所述蚀刻停止层之间的空间的区域以及所述沟道层的相应于所述漏极与所述蚀刻停止层之间的空间的区域具有比沟道层的任何其他区域高的电导率。6.如权利要求4所述的感光晶体管，其中所述源极和所述漏极由透明电极材料形成。7.如权利要求4所述的感光晶体管，其中所述源极和所述漏极由金属材料形成。8.如权利要求1所述的感光晶体管，其中所述沟道层由包括从铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、铝(Al)及其组合中选择出的至少一个的氧化物形成。9.如权利要求1所述的感光晶体管，其中所述沟道层由半导体材料形成。10.一种光学触摸显示面板，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：田尚勋，宋利宪，安承彦，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：