双MOS结构的光电探测器制造技术

本发明专利技术公开了一种具有双MOS结构的光电探测器，主要解决了光电探测器的响应度与响应速度之间制约关系的问题。该光电探测器自上而下依次包括：透明的导体氧化物层（1），上二氧化硅层（2），硅本征层（3），下二氧化硅层（4），金属层（5）。硅本征区（3）上表面的两端是掺杂浓度为1×1019~7×1019cm-3的P型重掺杂区，下表面的两端是掺杂浓度为1×1019~7×1019cm-3的N型重掺杂区。P型重掺杂区的上表面淀积金属，形成欧姆接触，引出电极；N型重掺杂区的下表面淀积金属，形成欧姆接触，引出电极。本发明专利技术具有高响应速度，低功耗的特点，可以用作光互连，光通信领域的光电探测器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子器件
，特别涉及一种双MOS结构光电探测器，可用于光互连的接收机部分。
技术介绍
随着超大规模集成电路集成度和工作频率的迅速提高，芯片间和芯片内的电互连线所产生的寄生效应，如寄生电容、延迟时间、信号串扰等问题变得十分显著，成为集成电路发展的巨大障碍。传统的改善方法，如使用低电阻的金属以及使用低介电常数的材料，已经达到了它的物理极限。作为一种新的互连方法，光互连已经被研究了至少有16年。而高响应速度，高量子效率的光电探测器在光互连系统中有着非常重要的作用。最近几年，研究人员对于探测器结构的研究主要集中在具有异质结材料的PIN和AH)结构上。目前对于光电探测器的研究重点还是集中在提高光电探测器的响应速度和响应度上。因为传统结构的探测器会存在慢光生载流子的扩散运动，这就限制了光电探测器响应速度的提高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对上述已有技术的不足，提出一种双MOS结构的光电探测器，以提高光电探测器的响应速度。为实现上述目的，本专利技术于自上而下依次包括透明导体氧化物层，上二氧化娃层，娃本征层，下二氧化娃层和金属层，该娃本征层的上表面两端是掺杂浓度为Ixl本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双MOS结构的光电探测器，其特征在于自上而下依次包括透明导体氧化物层（1），上二氧化硅层（2），硅本征层（3），下二氧化硅层（4）和金属层（5），该硅本征层（3）的上表面两端是掺杂浓度为1×1019~7×1019cm?3的P型重掺杂区，下表面的两端是掺杂浓度为1×1019~7×1019cm?3的N型重掺杂区。P型重掺杂区的上表面淀积金属，形成欧姆接触，引出电极；N型重掺杂区的下表面淀积金属，形成欧姆接触，引出电极；所述的透明导体氧化物层（1）、上二氧化硅层（2）、硅本征层（3）和P型重掺杂区组成PMOS结构；所述的金属层（5）、下二氧化硅层（4）、硅本征层（3）和N型重掺杂区组成NMOS结...

【技术特征摘要】
1.一种双MOS结构的光电探测器，其特征在于自上而下依次包括透明导体氧化物层(I),上二氧化硅层(2)，硅本征层(3)，下二氧化硅层(4)和金属层(5)，该硅本征层(3)的上表面两端是掺杂浓度为IX IO19IX IO19CnT3的P型重掺杂区，下表面的两端是掺杂浓度为I X IO19IX IO19CnT3的N型重掺杂区。P型重掺杂区的上表面淀积金属，形成欧姆接触，引出电极#型重掺杂区的下表面淀积金属，形成欧姆接触，引出电极； 所述的透明导体氧化物层(I)、上二氧化硅层(2)、硅本征层(3)和P型重掺杂区组成PMOS结构； 所述的金属层(5...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾护军，范忱，毛周，李帅，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：