温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种具有双MOS结构的光电探测器，主要解决了光电探测器的响应度与响应速度之间制约关系的问题。该光电探测器自上而下依次包括：透明的导体氧化物层（1），上二氧化硅层（2），硅本征层（3），下二氧化硅层（4），金属层（5）。硅本征区（...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。