制备新型宽能隙P型SiOH微晶太阳能薄膜电池制造技术

本发明专利技术主要目的是制备新型宽能隙P型SiOH微晶太阳能薄膜电池。其是在PECVD腔体进行制程，将TCO玻璃放入到PECVD腔体内，随后制作本发明专利技术宽能隙P型半导体，其使用的气体是SiH4,H2,TMB及CO2，主要使用CO2就是可以提升其能隙，接着固定腔体的温度，调整其气体总流量、制程压力，及电极与玻璃间距与RF功率等参数，来制作出宽能隙的P型SixOx:H微晶半导体，因为添加CO2除了可以提升能隙之外，其也会让P型半导体从微晶转成非晶相，因此，在添加CO2过程中也需要控制TMB与SiH4的含量，才能够控制其保持微晶相，如此可以让微晶半导体可以吸收更多的红外光，且可以提升其微晶的电压，且因为吸收更多红外光，可以让后续镀膜的I型微晶半导体可以吸收较多红外光源，并且可以提升电流，在完成前两层镀膜后，再镀上N型微晶半导体，可以让电子电动流动顺畅，如此即完成此制程，最后镀上背电极及后续制程，即可以得到高效率的电压,电流以及转换效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
本专利技术主要目的是制备新型宽能隙P型SiOH微晶太阳能薄膜电池。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：戴嘉男，刘幼海，刘吉人，
申请(专利权)人：吉富新能源科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：