一种半导体封装方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装方法，包括提供一铜框架，所述铜框架包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，对所述铜框架的第一表面进行第一次蚀刻，在所述第一表面形成芯片座、管脚和半蚀刻区域，焊接芯片和导线，对所述铜框架的第二表面进行第二次蚀刻，去除所述半蚀刻区域。本发明专利技术在半导体封装过程中无需添加连杆，第一次蚀刻后产生的半蚀刻区域和芯片座、管脚为一体结构，可充当连杆以固定各芯片座和管脚，此外，该半蚀刻区域有一定的厚度，因此具备一定的机械强度，在焊接芯片和焊接导线的过程中不会发生形变，提高了封装工艺的可靠性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺领域，具体涉及，尤其涉及一种无需连杆的半导体封装方法。
技术介绍
目前，在半导体制造工艺领域，引线框架作为集成电路的芯片载体，是实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接、形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成电路中都需要使用铜框架。在传统的半导体封装工艺中，引线框架一般采用铜框架，一片铜框架可以阵列许多的单个半导体单元；为了在铜框架上形成引脚和芯片座，不可避免的需要保留一些连杆，连杆用于固定芯片座和管脚，以防止芯片座或管脚在封装过程中移动或偏离位置；为了使铜框架在加工过程中具备一定的机械强度，连杆还需要保证一定的尺寸，连杆的存在势必会影响半导体的排列密度，降低产能；同时，在焊接芯片和焊接导线的过程中，连杆还往往伴随有轻微的形变，以致芯片或导线可能会出现脱焊现象，严重影响了封装工艺的可靠性和稳定性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出，来解决以上技术问题。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案:本专利技术提供，包括:提供一铜框架，所述铜框架包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；对所述铜框架的第一表面进行第一次蚀刻，在所述第一表面形成芯片座、管脚和半蚀刻区域；焊接芯片和导线；对所述铜框架的第二表面进行第二次蚀刻，去除所述半蚀刻区域； 其中，所述第一次蚀刻为半蚀刻。优选的，所述步骤:对所述铜框架的第一表面进行第一次蚀刻，在所述第一表面形成芯片座、管脚和半蚀刻区域，具体为:采用化学蚀刻或激光蚀刻对所述铜框架的第一表面进行半蚀刻，在所述第一表面形成一个或多个芯片座、一个或多个管脚以及一个或多个半蚀刻区域。优选的，所述步骤:焊接芯片和导线，具体包括:焊接芯片，将待使用的各芯片固定在对应的各芯片座上；焊接导线，通过导线使各芯片分别与相应的管脚连接。优选的，所述管脚包括内引脚和外引脚；所述步骤:焊接芯片和导线之后，还包括第一次封装绝缘材料，具体为:向所述第一表面注入绝缘材料，使绝缘材料包覆各管脚的内引脚的位于所述第一表面的裸露部分、芯片座的位于所述第一表面的裸露部分、半蚀刻区域、导线和芯片。优选的，所述步骤:对所述铜框架的第二表面进行第二次蚀刻，去除所述半蚀刻区域，具体包括:采用化学蚀刻或激光蚀刻对所述铜框架的第二表面进行第二次蚀刻；通过第二次蚀刻去除第一次蚀刻所形成的各半蚀刻区域，使各芯片座与各管脚之间、各芯片座之间以及各管脚之间隔离。优选的，所述步骤:对所述铜框架的第二表面进行第二次蚀刻，去除所述半蚀刻区域之后，还包括:第二次封装绝缘材料，具体为:向所述第二表面注入绝缘材料，使绝缘材料包覆各管脚的内引脚的位于所述第二表面的裸露部分和芯片座的位于所述第二表面的裸露部分，以及使绝缘材料填充各芯片座与各管脚之间、各芯片座之间、各管脚之间隔离后形成的间隙。优选的，所述步骤:第二次封装绝缘材料之后，还包括:对所述外引脚进行引脚成型。优选的，所述步骤:第一次封装绝缘材料中，所采用的绝缘材料的主要成分为环氧树脂。优选的，所述步骤:第二次封装绝缘材料中，所采用的绝缘材料的主要成分为环氧树脂。优选的，所述铜框架采用铜合金材料制成。本专利技术的有益效果:本专利技术实施例中，半导体封装过程中无需添加连杆，第一次蚀刻后产生的半蚀刻区域和芯片座、管脚为一体结构，可充当连杆以固定各芯片座和管脚，此夕卜，该半蚀刻区域有一定的厚度，因此具备一定的机械强度，在焊接芯片和焊接导线的过程中不会发生形变，提高了封装工艺的可靠性和稳定性。【附图说明】图1为本专利技术实施例提供的半导体封装的方法流程图。图2为本专利技术实施例提供的铜框架的俯视图。图3为本专利技术实施例提供的铜框架的侧视图。图4为本专利技术实施例提供的半蚀刻后的铜框架的俯视图。图5为本专利技术实施例提供的半蚀刻后的铜框架的A-A向剖视图。图6为本专利技术实施例提供的焊接芯片和导线后的铜框架的俯视图。图7为本专利技术实施例提供的焊接芯片和导线后的铜框架的A-A向剖视图。图8为本专利技术实施例提供的第一次封装绝缘材料后的铜框架的A-A向剖视图。图9为本专利技术实施例提供的第二次蚀刻后的铜框架的A-A向剖视图。图10为本专利技术实施例提供的第二次封装绝缘材料后的铜框架的A-A向剖视图。图11为本专利技术实施例提供的引脚成型后的铜框架的A-A向剖视图。图中:10、铜框架；20、芯片；30、导线；40、绝缘材料；11、芯片座；12、管脚；13、半蚀刻区域；14、内引脚；15、外引脚；16、间隙。【具体实施方式】下面结合附图并通过【具体实施方式】来进一步说明本专利技术的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容。下面结合附图并通过【具体实施方式】来进一步说明本专利技术的技术方案。请参考图1，图1为本专利技术实施例提供的半导体封装的方法流程图。该方法包括:S100、提供一铜框架10、芯片20、导线30和绝缘材料40。本步骤为预置步骤，在开始进行半导体封装之前，预先准备好半导体封装过程中所需使用的元器件和/或相关材料，包括铜框架10、芯片20、导线30和绝缘材料40等。其中，铜框架10用于制作引线框架，请参考图2，图2为本专利技术实施例提供的铜框架10的俯视图。铜框架10包括第一表面和与第一表面相对的第二表面。请参考图3，图3为本专利技术实施例提供的铜框架10的侧视图。图中，铜框架10的上表面为第一表面，下表面为第二表面。SI 10、在铜框架10的第一表面进行第一次蚀刻。蚀刻是通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，通过接触化学溶液或通过激光雕刻，达到溶解腐蚀或熔化、气化的目的，形成凹凸或者镂空成型的效果。因此，蚀刻根据所采用的手段不同，也分化学蚀刻和激光蚀刻两类。其中，化学蚀刻是通过接触化学溶液使要蚀刻区域溶解腐蚀，成本较低；但精度也相对较低，激光蚀刻是通过激光雕刻的方法使要蚀刻区域熔化和气化，成本较高，但精度也相对较高。第一次蚀刻为半蚀刻，上述两种蚀刻方法均能在铜框架10的第一表面形成芯片座11和管脚12。请参考图4，图4为本专利技术实施例提供的半蚀刻后的铜框架10的俯视图。铜框架10的第一表面在进行第一次蚀刻后，在铜框架10的第一表面会形成未蚀刻区域和半蚀刻区域13 ;其中，未蚀刻区域包括芯片座11和管脚12。请参考图5，图5为本专利技术实施例提供的半蚀刻后的铜框架的A-A向剖视图。图中，芯片座11和管脚12之间的凹槽处便是半蚀刻区域13。S120、焊接芯片和导线。请参考图6，图6为本专利技术实施例提供的焊接芯片和导线后的铜框架的俯视图。在所述第一表面进行第一次蚀刻后，在已形成的芯片座11和管脚12上进行焊接芯片20和导线30。请参考图7，图7为本专利技术实施例提供的焊接芯片和导线后的铜框架的A-A向剖视图。由于第一次蚀刻为半蚀刻，铜框架10的半蚀刻区域13存在一定的厚度，由于半蚀刻区域13与芯片座11、管脚12为一体结构，可用于固定芯片座和管脚，因此无需添加额外的连杆，相对当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装方法，其特征在于，包括：提供一铜框架，所述铜框架包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；对所述铜框架的第一表面进行第一次蚀刻，在所述第一表面形成芯片座、管脚和半蚀刻区域；焊接芯片和导线；对所述铜框架的第二表面进行第二次蚀刻，去除所述半蚀刻区域；其中，所述第一次蚀刻为半蚀刻。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹周，
申请(专利权)人：杰群电子科技东莞有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44