制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，提供的是具有提升的性能的半导体器件。在半导体衬底之上，经由第一绝缘膜形成虚设控制栅极电极。在半导体衬底之上，经由具有内部电荷存储部分的第二绝缘膜形成用于存储器单元的存储器栅极电极，以便与虚设控制栅极电极相邻。此时，将存储器栅极电极的高度调节成低于虚设控制栅极电极的高度。接着，形成第三绝缘膜以便覆盖虚设控制栅极电极和存储器栅极电极。接着，对第三绝缘膜抛光以使虚设控制栅极电极露出。此时，未使存储器栅极电极露出。接着，去除虚设控制栅极电极并用金属栅极电极取代。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括非易失性存储器的存储器单元，所述方法包括以下步骤：(a)提供半导体衬底；(b)经由第一绝缘膜在所述半导体衬底之上形成第一虚设栅极电极；(c)经由具有内部电荷存储部分的第二绝缘膜在所述半导体衬底之上形成用于所述存储器单元的第一栅极电极，使得用于所述存储器单元的所述第一栅极电极与所述第一虚设栅极电极相邻；(d)形成第一层间绝缘膜，以便覆盖所述第一虚设栅极电极以及随之的所述第一栅极电极；(e)对所述第一层间绝缘膜抛光以使所述第一虚设栅极电极露出；(f)在所述步骤(e)之后，去除所述第一虚设栅极电极；以及(g)在作为由所述步骤(f)中的所述第一虚设栅极电极的所述去除产生的区域的第一沟槽中，形成用于所述存储器单元的第二栅极电极，其中所述第二栅极电极是金属栅极电极，其中在所述步骤(c)中形成的所述第一栅极电极的高度低于所述第一虚设栅极电极的高度，并且其中，在所述步骤(e)中，未使所述第一栅极电极露出。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吉森宏雅，时田裕文，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP