【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了。本方法通过真空加热蒸发的方式，将分别放在不同的钨舟或钼舟中的高纯度铜、锌、锡金属依次沉积在加热至20～200℃的衬底上，得到金属薄膜前驱体，然后经过硫化金属薄膜前驱体得到高质量的铜锌锡硫薄膜。本专利技术通过改变衬底的温度影响前驱体金属层在衬底上的附着以及三元素间的化学结合，提高了硫化效率，实现高质量铜锌锡硫半导体薄膜的制备。本专利技术设备比较简单、操作容易；制成的薄膜纯度高、质量好；成膜速率快、效率高；解决了现有技术中硫化阶段形成杂质影响薄膜质量以及硫化时间长、硫化温度高的问题。【专利说明】
本专利技术属于光电材料
，具体是。
技术介绍
开发太阳能这一可再生清洁能源成为缓解日益严重的环境污染和能源短缺问题的重要战略决策之一。因此，太阳能利用技术是人类可持续发展策略的关键。太阳能光伏发电最核心的器件是太阳能电池。目前太阳能电池发展迅速，种类繁多。最早开发的单晶硅太阳能电池生产成本高，于是人们开始研究在廉价衬底上沉积多晶硅薄膜制备多晶硅太阳能电池。之后，美国贝尔实验室制成第一个非晶硅太阳能电池，研究人员不...
【技术保护点】
一种高质量铜锌锡硫半导体薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将金属铜、锌和锡分别放在不同的钨舟或钼舟中，加热衬底，通过真空加热蒸发将金属沉积到衬底上，得到金属薄膜前驱体；(2)将金属薄膜前驱体与硫粉置于真空或者保护气体下，升温至硫化温度进行硫化，得到高质量的铜锌锡硫半导体薄膜。
【技术特征摘要】
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