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本发明公开了一种高质量铜锌锡硫半导体薄膜的制备方法。本方法通过真空加热蒸发的方式，将分别放在不同的钨舟或钼舟中的高纯度铜、锌、锡金属依次沉积在加热至20～200℃的衬底上，得到金属薄膜前驱体，然后经过硫化金属薄膜前驱体得到高质量的铜锌锡硫薄...
该专利属于五邑大学所有，仅供学习研究参考，未经过五邑大学授权不得商用。

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