无芯层封装基板及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种无芯层封装基板，其包括介电层、内层导电线路图形、第一外层导电线路图形及第二外层导电线路图形。所述内层导电线路图形埋于所述介电层中。所述第一外层导电线路图形及第二外层导电线路图形分别位于所述介电层的相对两侧。所述内层导电线路图形、第一外层导电线路图形及第二外层导电线路图形通过所述介电层中的导电通孔电性相连。本发明专利技术还涉及一种无芯层封装基板的制作方法。

【技术实现步骤摘要】
无芯层封装基板及其制作方法
本专利技术涉及电路板制作
，尤其涉及一种具有无芯层封装基板及其制作方法。
技术介绍
随着电子产品往小型化、高速化方向的发展，用于搭载芯片的封装基板也从单面封装基板（即单面具有导电线路的基板）、双面封装基板（即双面具有导电线路的基板）往多层封装基板（即具有多层导电线路的基板）方向发展。具有芯层（core）的多层封装基板具有较多的布线面积、较高互连密度，因而得到广泛的应用。然而，正是由于芯层的存在，使得具有芯层的封装基板厚度较厚。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种可解决上述问题的无芯层封装基板及其制作方法，以降低无芯层封装基板的厚度。一种无芯层封装基板，其包括介电层、内层导电线路图形、第一外层导电线路图形及第二外层导电线路图形。所述内层导电线路图形埋于所述介电层中。所述第一外层导电线路图形及第二外层导电线路图形分别位于所述介电层的相对两侧。所述内层导电线路图形、第一外层导电线路图形及第二外层导电线路图形通过所述介电层中的导电通孔电性相连。一种无芯层封装基板的制作方法，其包括：提供一个承载板，所述承载板包括相对的第一表面及第二表面，在所述承载板的第一表面上依次叠合一个第一铜箔、一个第一胶片及一个第二铜箔，在所述第二表面上依次叠合另一个第一铜箔、另一个第一胶片及另一个第二铜箔，并一次压合所述第一表面上的第二铜箔、所述承载板及所述第二表面上的第二铜箔，以得到一个第一压合基板，所述第一压合基板包括一个加工区及围绕所述加工区的第一废料区；将每个第二铜箔均制作形成内层导电线路图形；在每个所述内层导电线路图形上依次叠合一个第二胶片及一个第三铜箔，并一次压合所述第一压合基板上侧的所述第二胶片和第三铜箔、所述第一压合基板及第一压合基板下侧的第二胶片及第三铜箔，得到第二压合基板，所述第二压合基板中，位于所述第一表面上侧的第一胶片及第二胶片共同构成一个介电层，所述第一表面下侧的第一胶片及第二胶片共同构成一个介电层；去除所述第一废料区，并去除所述承载板，得到相互分离的两个电路基板，每个电路基板均具有产品区及围绕所述产品区的第二废料区，每个电路基板均包括一个所述介电层、一个所述第一铜箔、一个所述第三铜箔及一个所述内层导电线路图形，所述第一铜箔及第三铜箔分别位于所述介电层的相对两侧，所述内层导电线路图形埋于所述介电层内；在所述电路基板的产品区中形成多个通孔，每个所述通孔均贯穿所述电路基板，并将每个通孔均制成导电通孔，所述导电通孔电性连接所述第一铜箔、内层导电线路图形及第三铜箔；在所述介电层靠近所述第一铜箔的表面上形成第一外层导电线路图形，在所述介电层靠近所述第三铜箔的表面上形成第二外层导电线路图形，所述第一外层导电线路图形、第二外层导电线路图形及内层导电线路图形通过所述导电通孔电性相连；以及去除所述第二废料区，得到无芯层封装基板。本技术方案提供的无芯层封装基板及其制作方法中，所述内层导电线路图形埋于所述介电层中，所述第一外层导电线路图形及第二外层导电线路图形分别位于所述介电层的相对两侧，所述内层导电线路图形、第一外层导电线路图形及第二外层导电线路图形通过所述介电层中的导电通孔电性相连，相比现有技术，本技术方案中的无芯层封装基板中没有芯层，厚度大大降低。附图说明图1是本技术方案实施例提供的具有承载板的第一压合基板的剖视图。图2是在图1所示的第一压合基板的第一废料区中形成多个第一工具孔后的剖面示意图。图3是将图2中的第一压合基板中的第二铜箔制成内层导电线路图形后的剖面示意图。图4是在图3中的在每个内层导电线路图形上依次叠合一个第二胶片及第三铜箔并压合后所形成的第二压合基板的剖面示意图。图5是去除图4中的所述承载板得到相互分离的两个电路基板后的剖面示意图。图6是在图5所示的电路基板的第二废料区中形成多个第二工具孔，在所述电路基板的产品区中形成多个通孔后的剖面示意图。图7是将图6中的每个通孔均制成导电通孔后的剖面示意图。图8是将图7中的第一铜箔及第三铜箔分别制成第一外层导电线路图形及第二外层导电线路图形后的剖面示意图。图9是在图8中的第一外层导电线路图形上、第二外层导电线路图形上及每个导电通孔中形成防焊层后的剖面示意图。图10是在图9中的金手指端上形成一个第一保护层，在每个焊垫上均形成一个第二保护层后的剖面示意图。图11是去除图10中的第二废料区从而得到电路板的剖面示意图。主要元件符号说明承载板10第一表面101第二表面102第一铜箔11第一胶片13第二铜箔15第一压合基板20加工区21第一废料区23产品区211第二废料区213第一工具孔25内层导电线路图形30第二胶片16第三铜箔17第二压合基板40介电层50电路基板60第二工具孔215导电通孔218第一外层导电线路图形111第二外层导电线路图形117防焊层70第一开口71第二开口73金手指端113焊垫118第一保护层114第二保护层119无芯层封装基板100如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式下面将结合附图及实施例对本技术方案提供的无芯层封装基板的制作方法及由该制作方法所制得的无芯层封装基板作进一步的详细说明。本技术方案实施例提供无芯层封装基板包括以下步骤：第一步，请参阅图1，提供一个承载板10。所述承载板10包括相对的第一表面101及第二表面102。在所述承载板10的第一表面101上依次叠合一个第一铜箔11、第一胶片13及一个第二铜箔15，在第二表面102上依次叠合一个第一铜箔11、第一胶片13及一个第二铜箔15。本实施例中，所述第一铜箔11的厚度小于所述第二铜箔15的厚度。然后，一次压合所述第一表面101上的第二铜箔15和第一胶片13、承载板10及所述第二表面102上的第二铜箔15和第一胶片13，以得到一个第一压合基板20。所述第一压合基板20包括一个加工区21及围绕所述加工区21的第一废料区23。第二步，请参阅图2，通过数控钻孔工艺在所述第一压合基板20的第一废料区23中形成多个第一工具孔25。每个第一工具孔25均贯穿所述第一压合基板20。第三步，请参阅图3，将每个第二铜箔15对应于所述加工区21的铜层均制作形成内层导电线路图形30，并去除每个第二铜箔15对应于所述第一废料区23的铜层。本实施方式中，通过影像转移工艺及蚀刻工艺将每个第二铜箔15对应于所述加工区21的铜层均制作形成内层导电线路图形30，并在将每个第二铜箔15对应于所述加工区21的铜层蚀刻为内层导电线路图形30的同时，通过蚀刻工艺去除每个第二铜箔15对应于所述第一废料区23的铜层。第四步，请参阅图4，在每个内层导电线路图形30上依次叠合一个第二胶片16及第三铜箔17。本实施例中，所述第三铜箔17的厚度小于所述第二铜箔15的厚度，且所述第三铜箔17的厚度等于所述第一铜箔11的厚度。然后，一次压合第一压合基板20上侧的所述第二胶片16和第三铜箔17、所述第一压合基板20及第一压合基板20下侧的第二胶片16及第三铜箔17，使得所述第二胶片16填满所述第一工具孔25，得到第二压合基板40。所述第二压合基板40中，位于所述第一表面101上侧的一个第一胶片13及一个第二胶片16共同构成一个介电层50；位于所述第一表面101下侧的一个第一胶片13及一个第二胶片16本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无芯层封装基板，其包括介电层、内层导电线路图形、第一外层导电线路图形及第二外层导电线路图形，所述内层导电线路图形埋于所述介电层中，所述第一外层导电线路图形及第二外层导电线路图形分别位于所述介电层的相对两侧，所述内层导电线路图形、第一外层导电线路图形及第二外层导电线路图形通过所述介电层中的导电通孔电性相连。

【技术特征摘要】
1.一种无芯层封装基板的制作方法，其包括：提供一个承载板，所述承载板包括相对的第一表面及第二表面，在所述承载板的第一表面上依次叠合一个第一铜箔、一个第一胶片及一个第二铜箔，在所述第二表面上依次叠合另一个第一铜箔、另一个第一胶片及另一个第二铜箔，并一次压合所述第一表面上的第二铜箔、所述承载板及所述第二表面上的第二铜箔，以得到一个第一压合基板，所述第一压合基板包括一个加工区及围绕所述加工区的第一废料区；将每个第二铜箔均制作形成内层导电线路图形；在每个所述内层导电线路图形上依次叠合一个第二胶片及一个第三铜箔，并一次压合所述第一压合基板上侧的所述第二胶片和第三铜箔、所述第一压合基板及第一压合基板下侧的第二胶片及第三铜箔，得到第二压合基板，所述第二压合基板中，位于所述第一表面上侧的第一胶片及第二胶片共同构成一个介电层，所述第一表面下侧的第一胶片及第二胶片共同构成一个介电层；去除所述第一废料区，并去除所述承载板，得到相互分离的两个电路基板，每个电路基板均具有产品区及围绕所述产品区的第二废料区，每个电路基板均包括一个所述介电层、一个所述第一铜箔、一个所述第三铜箔及一个所述内层导电线路图形，所述第一铜箔及第三铜箔分别位于所述介电层的相对两侧，所述内层导电线路图形埋于所述介电层内；在所述电路基板的产品区中形成多个通孔，每个所述通孔均贯穿所述电路基板，并将每个通孔均制成导电通孔，所述导电通孔电性连接所述第一铜箔、内层导电线路图形及第三铜箔；在所述介电层靠近所述第一铜箔的表面上形成第一外层导电线路图形，在所述介电层靠近所述第三铜箔的表面上形成第二外层导电线路图形，所述第一外...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡文宏，郑右豪，陈建志，吴唐仪，刘金鹏，
申请(专利权)人：宏启胜精密电子秦皇岛有限公司，臻鼎科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13