本发明专利技术提供一种布线基板。布线基板(A)具备：在下表面具有下层导体(5)的绝缘层(3)；在绝缘层(3)上的四边形状的半导体元件搭载部(1a)内排列成格子状的多个半导体元件连接焊盘(10)；以下层导体(5)为底面地形成在半导体元件连接焊盘(10)下的绝缘层(3)的过孔(7a)；和填充在过孔(7a)内、且与半导体元件连接焊盘(10)一体形成的过孔导体(9a)，在半导体元件搭载部(1a)内的角部的比半导体元件连接焊盘(10)的排列区域(1b)更靠外侧的区域的绝缘层(3)包括以下层导体(5)为底面地形成的补强用过孔(7b)、和形成在补强用过孔(7b)内的补强用过孔导体(9b)。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种布线基板。布线基板(A)具备：在下表面具有下层导体(5)的绝缘层(3)；在绝缘层(3)上的四边形状的半导体元件搭载部(1a)内排列成格子状的多个半导体元件连接焊盘(10)；以下层导体(5)为底面地形成在半导体元件连接焊盘(10)下的绝缘层(3)的过孔(7a)；和填充在过孔(7a)内、且与半导体元件连接焊盘(10)一体形成的过孔导体(9a)，在半导体元件搭载部(1a)内的角部的比半导体元件连接焊盘(10)的排列区域(1b)更靠外侧的区域的绝缘层(3)包括以下层导体(5)为底面地形成的补强用过孔(7b)、和形成在补强用过孔(7b)内的补强用过孔导体(9b)。【专利说明】布线基板
本专利技术涉及用于搭载半导体元件等的布线基板。
技术介绍
近年来，在以便携电话和音乐播放器等为代表的电子设备的高性能化不断推进中，在这些中使用的布线基板有时会搭载运算处理用等的高性能的大型的半导体元件。作为这样的布线基板，使用在JP特开2006-73593号公报中所公开的那样的堆栈过孔构造的布线基板。 在图5示出这样的搭载了大型的半导体元件的现有的布线基板B。图5A是布线基板B的俯视图，图5B是图5A的Y-Y线截面图。 布线基板B具备:绝缘基板21、布线导体22、和绝缘层23。在布线基B的上表面的中央部形成用于搭载大型的半导体元件S的半导体元件搭载部21a。 绝缘基板21由例如玻璃-环氧树脂构成。在绝缘基板21形成从其上表面贯通到下表面的多个通孔24。在绝缘基板21的上下表面以及通孔24内披覆布线导体22的一部分。绝缘基板21上表面的布线导体22形成下层导体25。另外，绝缘基板21下表面的布线导体22形成与外部的电路基板连接的外部连接焊盘26。 绝缘层23层叠在绝缘基板21的上表面。在绝缘层23形成多个过孔27。在绝缘层23的上表面以及过孔27内披覆布线导体22的一部分。披覆在绝缘层23的上表面的布线导体22形成上层导体28。并且，披覆在过孔27内的布线导体22形成过孔导体29。 在半导体元件搭载部21a内格子状地排列多个半导体元件连接焊盘30。半导体元件连接焊盘30通过形成于其正下方的过孔导体29与下层导体25连接。半导体元件连接焊盘30和其正下方的过孔导体29 —体形成。 介由焊料将半导体元件S的电极T与分别对应的半导体元件连接焊盘30连接，并介由焊料将外部连接焊盘26与外部的电路基板的布线导体连接。由此，半导体元件S与外部的电路基板电连接而工作。 然而，若如上述那样伴随着电子设备的高性能化而使半导体元件S不断大型化，则因用焊料将半导体元件S连接在布线基板B时、或半导体元件S工作时的热历史而会在半导体元件S与布线基板B间产生较大的热伸缩差。其结果，在半导体元件S的电极T、和与其连接的半导体元件连接焊盘30间会产生较大的热应力。该热应力集中作用在与半导体元件连接焊盘30 —体形成的过孔导体29和下层导体25的连接部。特别在从半导体元件搭载部21a的中心部远离的半导体元件搭载部21a的角部，在半导体元件S与布线基板B间会产生最大的热伸缩差。为此，在半导体元件搭载部21a的角部的过孔导体29与下层导体25的接合面易于发生裂纹。其结果，有时会不能使半导体元件S稳定地工作。在此，所谓半导体元件搭载部21a的中心部是指半导体元件搭载部21a的一对对角线相交的交点。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于，抑制因热应力的集中而在过孔导体与下层导体间产生裂纹，由此提供能使半导体元件稳定工作的布线基板。 本专利技术的其它目的以及好处在以下的记载中得以明确。 本专利技术的布线基板具备:绝缘基板；设置在该绝缘基板的表面、且在下表面具有下层导体的绝缘层；在该绝缘层上的四边形状的半导体元件搭载部内排列成格子状的多个半导体元件连接焊盘；以所述下层导体为底面地形成在该半导体元件连接焊盘下的所述绝缘层的过孔；和与所述下层导体连接地填充在在该过孔内、且与所述半导体元件连接焊盘一体形成的过孔导体，所述布线基板包括:形成在所述半导体元件搭载部内的至少角部的比所述半导体元件连接焊盘的排列区域更靠外侧的区域的所述绝缘层、且以所述下层导体为底面的补强用过孔；和与所述下层导体连接地形成在该补强用过孔内的补强用过孔导体。 根据本专利技术的布线基板，在半导体元件搭载部内的角部的比半导体元件连接焊盘的排列区域更靠外侧的区域的绝缘层形成以下层导体为底面地形成的补强用过孔、和与下层导体连接地形成在补强用过孔内的补强用过孔导体。由此，能使因半导体元件与布线基板的热伸缩差而产生的热应力分散到补强用过孔导体。由此，能避免热应力集中作用在半导体元件搭载部内的角部的半导体元件连接焊盘下的过孔导体与下层导体的连接部。其结果，能抑制在过孔导体与下层导体的连接部产生裂纹，能提供能使半导体元件稳定工作的布线基板。 【专利附图】【附图说明】 图1A是表示本专利技术的布线基板的I个实施方式的概略俯视图，图1B是图1A的X-X线截面图。 图2是表示本专利技术的布线基板的另外的实施方式的概略截面图。 图3是表示本专利技术的布线基板的再另外的实施方式的概略截面图。 图4是表示本专利技术的布线基板的再其它的实施方式的概略截面图。 图5A是表示现有的布线基板的概略俯视图，图5B是图5A的Y-Y线截面图。 【具体实施方式】 基于图1A及图1B来说明本专利技术的布线基板的实施方式的一例。图1A是布线基板A的俯视图，图1B是图1A的X-X线截面图。 布线基板A具备:绝缘基板1、布线导体2、和绝缘层3。在布线基板A的上表面中央部形成用于搭载半导体元件S的四边形状的半导体元件搭载部la。作为半导体元件S，例如能列举出运算处理用等大型的半导体元件等。 绝缘基板I例如由玻璃-环氧树脂构成。在绝缘基板I形成从其上表面贯通到下表面的多个通孔4。在绝缘基板I的上下表面披覆布线导体2的一部分。在绝缘基板I的通孔4内填充了布线导体2的一部分。绝缘基板I上表面的布线导体2形成下层导体5。绝缘基板I下表面的布线导体2形成与外部的电路基板连接的外部连接焊盘6。由填充在通孔4内的布线导体2电连接了下层导体5和外部连接焊盘6。 绝缘基板I例如如以下那样形成。首先，使电绝缘材料在压力下热硬化而形成绝缘板。作为电绝缘材料，例如能列举出使玻璃布含浸环氧树脂或双马来酰亚胺三嗪树脂等热硬化性树脂的材料等。 接下来，通过钻孔加工、喷射加工、或激光加工在绝缘板形成通孔4，由此形成绝缘基板I。 绝缘层3层叠在绝缘基板I的上表面。在绝缘层3形成多个过孔7a以及多个补强用过孔7b。例如将电绝缘薄片在真空状态下层压到绝缘基板I上，之后进行热硬化，由此形成绝缘层3。作为电绝缘薄片，能列举出由环氧树脂或双马来酰亚胺三嗪树脂等热硬化性树脂构成的薄片等。过孔7a以及补强用过孔7b以下层导体5为底面通过例如激光加工形成。在激光加工后，优选对过孔7a以及补强用过孔7b进行去钻污处理。 在绝缘层3的上表面披覆布线导体2的一部分。在绝缘层3的过孔7a内以及补强用过孔7b内填充了布线导体2的一部分。由披覆在绝缘层3的上表面的布线导体2形成上层导体8。由填充在过孔7a内的布线导体2形成与上层导体8 一体形成本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种布线基板，具备：绝缘基板；绝缘层，其设置在该绝缘基板的表面，且在下表面具有下层导体；多个半导体元件连接焊盘，在该绝缘层上的四边形状的半导体元件搭载部内排列成格子状；过孔，其以所述下层导体为底面地形成在该半导体元件连接焊盘下的所述绝缘层；和过孔导体，其与所述下层导体连接地填充在该过孔内，且与所述半导体元件连接焊盘一体形成，所述布线基板的特征在于，所述布线基板包括：补强用过孔，其形成在所述半导体元件搭载部内的至少角部的比所述半导体元件连接焊盘的排列区域更靠外侧的区域的所述绝缘层，且以所述下层导体为底面；和补强用过孔导体，其与所述下层导体连接地形成在该补强用过孔内。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：饭野正和，藤崎昭哉，大吉隆文，
申请(专利权)人：京瓷SLC技术株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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