布线基板制造技术

技术编号:10782651 阅读:128 留言:0更新日期:2014-12-17 03:56
本发明专利技术提供一种布线基板。本发明专利技术的布线基板具备绝缘层(3)、半导体元件搭载部(1a)、半导体元件连接焊盘(11)、过孔(8)以及过孔导体(10),排列于半导体元件搭载部(1a)的半导体元件连接焊盘(11)包括第1半导体元件连接焊盘(11a)和除此之外的第2半导体元件连接焊盘(11b),与第1半导体元件连接焊盘(11a)连接的过孔导体(10)的直径大于与第2半导体元件连接焊盘(11b)连接的过孔导体(10)的直径。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种布线基板。本专利技术的布线基板具备绝缘层(3)、半导体元件搭载部(la)、半导体元件连接焊盘(11)、过孔(8)以及过孔导体(10),排列于半导体元件搭载部(la)的半导体元件连接焊盘(11)包括第1半导体元件连接焊盘(11a)和除此之外的第2半导体元件连接焊盘(11b),与第1半导体元件连接焊盘(11a)连接的过孔导体(10)的直径大于与第2半导体元件连接焊盘(lib)连接的过孔导体(10)的直径。【专利说明】布线基板
本专利技术涉及用于搭载半导体元件等的布线基板。
技术介绍
近年来,便携电话、音乐播放器等所代表的电子设备的高功能化不断进步。有时会 在它们所使用的布线基板上搭载运算处理用等的高功能的大型的半导体元件。 在图15中示出搭载有大型半导体元件的现有的布线基板E。图15A是布线基板E 的俯视图,图15B是通过图15A的Y - Y间的截面图。如图15B所示,布线基板E具备:形 成有多个通孔(through-hole) 25的绝缘基板21、布线导体22、层叠在绝缘基板21的上表 面的绝缘层23、和阻焊层24。在布线基板E的上表面中央部,形成有用于搭载大型半导体 元件S的半导体元件搭载部21a。 在绝缘基板21的上下表面以及通孔25内,覆盖有布线导体22的一部分。绝缘基 板21上表面的布线导体22形成了布线基板E上表面侧的下层导体26。此外,绝缘基板21 下表面的布线导体22形成了与外部的电路基板连接的外部连接焊盘27。 在绝缘层23形成有多个过孔(Via Hole) 28。在绝缘层23的上表面以及过孔28 内覆盖有布线导体22的一部分。覆盖于绝缘层23的上表面的布线导体22形成了布线基 板E上表面侧的上层导体29。覆盖于过孔28内的布线导体22形成了连接上层导体29和 下层导体26的过孔导体30。 在半导体元件搭载部21a,呈格子状形成有与半导体元件S的电极T连接的半导体 元件连接焊盘31。半导体元件连接焊盘31由形成在其正下方的过孔导体30而与下层导体 26连接。过孔导体30在半导体元件搭载部21a中均具有相同的直径。 阻焊层24覆盖于绝缘层23的上表面以及绝缘基板21的下表面。上表面侧的阻 焊层24具有露出半导体元件连接焊盘31的第1开口部24a。下表面侧的阻焊层24具有露 出外部连接焊盘27的第2开口部24b。经由焊锡而将半导体元件S的电极T分别与对应的 半导体元件连接焊盘31连接,并且经由焊锡而将外部连接焊盘27与外部的电路基板的布 线导体连接,由此半导体元件S与外部的电路基板电连接而进行工作。 如果伴随着电子设备的高功能化而使得半导体元件S大型化,则根据用焊锡将半 导体元件S与布线基板E连接时、半导体元件S工作时的热过程,会在半导体元件S与布线 基板E之间产生大的热膨胀和伸缩差。其结果,在半导体元件S的电极T和与该电极连接 的半导体元件连接焊盘31之间产生大的热应力,该热应力集中作用于过孔导体30和下层 导体26的连接部。尤其是,在位于远离半导体元件搭载部21a的中心部的位置处的半导体 元件搭载部21a的外周角部,在半导体元件S与布线基板E之间产生最大的热膨胀和伸缩 差。因而,在半导体元件搭载部21a的外周角部的过孔导体30和下层导体26的接合面易 于产生裂纹,有时无法使半导体元件S稳定地工作。另外,所谓半导体元件搭载部21a的中 心部,是指半导体元件搭载部21a的一对对角线相交的交点。 进而,也有时在布线基板搭载具有各种功能的多个半导体元件。作为这样的布线 基板,例如列举将运算处理用的大型半导体元件和存储器用的小型半导体元件搭载于同一 面的布线基板、将存储器用的小型半导体元件搭载于上表面而将运算处理用的大型半导体 元件搭载于下表面的布线基板等。 在图16中不出将多个半导体兀件搭载于同一面的现有的布线基板F。布线基板F 除了在上表面外周部形成有用于搭载小型的第2半导体元件S2的第2搭载部21b之外,其 余基本上与图15所示的布线基板E类似。 在第1搭载部21a,与第1半导体元件S1的电极T1连接的第1半导体元件连接 焊盘31a以与电极T1对应的排列来形成。第1半导体元件连接焊盘31a通过在其正下方 形成的第1过孔导体30a而与下层导体26连接。在第2搭载部21b,与第2半导体元件S2 的电极T2连接的第2半导体元件连接焊盘31b以与电极T2对应的排列来形成。第2半导 体元件连接焊盘31b通过在其正下方形成的第2过孔导体30b而与下层导体26连接。第1 半导体元件S1的电极T1以比较大的第1电极间距P1来配置,第2半导体元件S2以比第 1电极间距P1小的第2电极间距P2来配置。第1过孔导体30a以及第2过孔导体30b为 相同的直径。 阻焊层24覆盖于绝缘层23的上表面以及绝缘基板21的下表面。上表面侧的阻 焊层24具有露出第1以及第2半导体元件连接焊盘31a、31b的第1开口部24a以及第3 开口部24c。下表面侧的阻焊层24具有露出外部连接焊盘27的第2开口部24b。经由焊 锡而将第1以及第2半导体元件S1、S2的电极T1、T2分别与对应的第1以及第2半导体元 件连接焊盘31a、31b连接,并且经由焊锡而将外部连接焊盘27与外部的电路基板的布线导 体连接,由此第1以及第2半导体元件S1、S2与外部的电路基板电连接而进行工作。 在图17中示出将多个半导体元件搭载于上下表面的现有的布线基板G。布线基板 G除了第1搭载部21a以及第2搭载部21b未形成在布线基板的同一面,而是第1搭载部 21a形成在布线基板的下表面、第2搭载部21b形成在上表面之外,其余基本上与图16所 示的布线基板F类似。在图16的布线基板F中,由于第1搭载部21a以及第2搭载部21b 形成在布线基板的同一面,因此绝缘层23仅层叠在绝缘基板21的上表面。另一方面,在图 17的布线基板G中,第1绝缘层23a以及第2绝缘层23b层叠在绝缘基板21的两面。 绝缘基板21下表面的布线导体22形成了布线基板G下表面侧的第1下层导体 26a。绝缘基板21上表面的布线导体22形成了布线基板G上表面侧的第2下层导体26b。 覆盖于第1绝缘层23a的下表面的布线导体22形成了布线基板G下表面侧的第1上层导 体29a。覆盖于第2绝缘层23b的上表面的布线导体22形成了布线基板G上表面侧的第2 上层导体29b。进而,第1半导体元件S1在与形成有电极T1的面相反一侧的面,形成有与 外部的电路基板连接的外部连接电极T3。 阻焊层24覆盖于第1绝缘层23a的下表面以及第2绝缘层23b的上表面。第1 绝缘层23a侧的阻焊层24具有露出第1半导体元件连接焊盘31a的第1开口部24a。第2 绝缘层23b侧的阻焊层24具有露出第2半导体元件连接焊盘31b的第3开口部24c。经由 焊锡而将第1以及第2半导体元件S1、S2的电极T1、T2分别与对应的第1以及第2半导体 元件连接焊盘31a、31b连接,并且经由焊锡而将外部连接电极Τ3与外部的电路基板的布线 导体连接,由此第1以及第2半导体元件S1、S2与外部的电路基板电连接而进行工作。 如果伴随本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种布线基板,其特征在于,具备:绝缘层,其在下表面具有下层导体;半导体元件搭载部,其形成在绝缘层上;多个半导体元件连接焊盘,其在半导体元件搭载部呈格子状排列;过孔,其在半导体元件连接焊盘下的绝缘层,以下层导体作为底面而形成;和过孔导体,其在过孔内被填充成与下层导体连接,且与半导体元件连接焊盘一体地形成,半导体元件连接焊盘包括形成在半导体元件搭载部的外周角部的第1半导体元件连接焊盘、和除了该第1半导体元件连接焊盘之外的第2半导体元件连接焊盘,与第1半导体元件连接焊盘连接的过孔导体的直径大于与第2半导体元件连接焊盘连接的过孔导体的直径。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:服部诚司
申请(专利权)人:京瓷SLC技术株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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