布线基板制造技术

本发明专利技术提供一种布线基板。本发明专利技术的布线基板(10a)在芯板层(1a)的至少一个面具备：绝缘基板(1)，其层叠了具有过孔(8)的至少1层的绝缘层(1b)；过孔导体(2b)，其形成于所述过孔(8)内，由低电阻材料构成；和连接焊盘，其形成于所述绝缘层(1b)的表面，且由薄膜电阻体层(3a)构成，该薄膜电阻体层(3a)由高电阻材料构成，将所述薄膜电阻体层(3a)披覆为覆盖所述过孔导体(2b)及其周围的所述绝缘层1b。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于搭载半导体集成电路元件等的半导体元件等的布线基板。
技术介绍
在为了搭载半导体集成电路元件等的半导体元件而用的布线基板中使用积层(buildup)布线基板。积层布线基板在例如芯板层上层叠多个绝缘层和铜镀层而构成。在这样的布线基板的上表面格子状地排列用于与半导体元件的电极连接的半导体元件连接焊盘。在布线基板的下表面格子状地排列用于与外部的电路基板连接的外部连接焊盘。这些半导体元件连接焊盘与外部连接焊盘间通过布线导体而电连接。在半导体元件连接焊盘上焊接用于接合半导体元件的电极和半导体元件连接焊盘的焊料凸块。在这样的布线基板中，使半导体元件的各电极与分别对应的焊料凸块抵接来将半导体元件载置在布线基板的上表面，并且对它们进行加热来使焊料凸块熔融从而接合焊料凸块和半导体元件的电极，由此将半导体元件搭载在布线基板上。于是，在这样的布线基板中，为了使信号的衰减极小，传播信号的信号用的布线导体的特性阻抗在单端信号中设定为50Ω左右，在差分信号中设定为100Ω左右。另一方面，由于半导体元件的输入阻抗为数百MΩ以上，输出阻抗为数Ω～数10Ω，因此与布线导体的特性阻抗大不相同。为此，在通过信号用的布线导体而在半导体元件高速进行信号的进出的情况下，在信号用的布线导体中传递的信号会产生与输入输出端中的反射波重合的噪声。其结果，因该噪声而有不能使半导体元件正常工作的问题。为此，为了解决上述问题，如图7以及8所示那样，提出一种布线基板，其在绝缘层11b的表面具备半导体元件连接焊盘13，该半导体元件连接焊盘13将由体积电阻率100μΩ·cm以下的低电阻材料构成的主导体层13a、由体积电阻率10Ω·cm以上的高电阻材料构成的电阻体层13b、以及有较高的焊料润湿性的包覆层13c依次层叠并将主导体层13a、电阻体层13b和包覆层13c串联电连接。图8是在图7的绝缘层11b上形成阻焊剂层19的构成(例如JP特开2013-45938号公报)。由与主导体层13a串联电连接的电阻体层13b形成阻尼电阻，由该阻尼电阻使因布线导体的特性阻抗与半导体元件的特性阻抗的相异而产生的噪声衰减，从而能使半导体元件正常工作。该半导体元件连接焊盘13利用与主导体层13a的下表面一体连接的由体积电阻率100μΩ·cm以下的低电阻材料构成的过孔导体12b与下层的布线导体连接。然而，由于形成于主导体层13a与包覆层13c间的电阻体层13b的厚度薄到100～1000nm，因而有时在连接焊盘的侧面部的主导体层13a与包覆层13c间，熔融的焊料凸块会跨过电阻体层13b而发生短路。在如此发生短路时，不能使阻尼电阻的功能有效发挥作用，不能使因布线导体的特性阻抗与半导体元件的特性阻抗的相异而产生的噪声衰减，有可能会使半导体元件不再正常工作。
技术实现思路
本专利技术的课题在于提供一种布线基板，在形成与过孔导体电连接的连接焊盘的薄膜电阻体层、或连接焊盘使由与主导体层串联电连接的薄膜电阻体层形成的阻尼电阻有效地发挥作用，使因布线导体的特性阻抗与半导体元件的特性阻抗的相异而产生的噪声衰减，使半导体元件正常工作。在本专利技术的第1局面中，提供一种布线基板，具备：绝缘基板，其在表面具有穿孔了过孔的绝缘层；过孔导体，其形成在所述过孔内，且由体积电阻率100μΩ·cm以下的低电阻材料构成；和连接焊盘，其形成在所述绝缘层的表面，且由薄膜电阻体层构成，该薄膜电阻体层由体积电阻率10Ω·cm以上的高电阻材料构成，将所述薄膜电阻体层披覆为覆盖所述过孔导体及其周围的所述绝缘层。在本专利技术的第2局面中，提供一种布线基板，具备：在表面具有绝缘层的绝缘基板；和在所述绝缘层的表面形成的连接焊盘，所述连接焊盘包括：由体积电阻率100μΩ·cm以下的低电阻材料构成的主导体层；由体积电阻率10Ω·cm以上的高电阻材料构成、且有较低的焊料润湿性的薄膜电阻体层；和有较高的焊料润湿性的包覆层，在绝缘层的表面依次层叠了主导体层、薄膜电阻体层以及包覆层，且将它们串联电连接，所述薄膜电阻体层覆盖了所述主导体层的主面，并且薄膜电阻体层的主面外周部从所述包覆层露出。在本专利技术的第3局面中，提供一种布线基板，具备：在表面具有绝缘层的绝缘基板；和在所述绝缘层的表面形成的连接焊盘，所述连接焊盘包括：由体积电阻率100μΩ·cm以下的低电阻材料构成的主导体层；由体积电阻率10Ω·cm以上的高电阻材料构成、有较低的焊料润湿性的薄膜电阻体层；和有较高的焊料润湿性的包覆层，在绝缘层的表面依次层叠了主导体层、薄膜电阻体层以及包覆层，且将它们串联电连接，所述薄膜电阻体层覆盖了所述主导体层的主面以及侧面，并且所述薄膜电阻体层的侧面从所述包覆层露出。根据本专利技术的第1局面，在绝缘层的表面，由高电阻材料构成的薄膜电阻体层所构成的连接焊盘披覆为覆盖过孔导体及其周围的绝缘层。由此，即使在薄膜电阻体层的厚度薄到100～1000nm的情况下，也能防止连接焊盘上的熔融的焊料凸块跨过薄膜电阻体层到达过孔导体从而发生短路。其结果，提供一种布线基板，通过使由与过孔导体连接的薄膜电阻体层形成的阻尼电阻有效地发挥作用，来使因布线导体的特性阻抗与半导体元件的特性阻抗的相异而产生的噪声衰减，能使半导体元件正常工作。根据本专利技术的第2局面，薄膜电阻体层形成为覆盖主导体层的主面，并且薄膜电阻体层的主面外周部从包覆层露出。由此，即使在形成于主导体层与包覆层间的薄膜电阻体层的厚度薄到100～1000nm的情况下，也由于有较低的焊料润湿性的薄膜电阻体层的覆盖主导体层的主面外周部的部分从包覆层露出，因此能抑制焊接在包覆层上的焊料凸块向包覆层以外流动扩散。由此，能防止在主导体层与包覆层间发生短路。根据本专利技术的第3局面，薄膜电阻体层形成为覆盖主导体层的主面以及侧面，并且薄膜电阻体层的侧面从包覆层露出。由此，即使在形成于主导体层与包覆层间的薄膜电阻体层的厚度薄到100～1000nm的情况下，也能防止在主导体层与包覆层间发生短路。其结果，根据本专利技术的第2局面以及第3局面，提供一种布线基板，通过使由与主导体层串联电连接的薄膜电阻体层形成的阻尼电阻有效地发挥作用，来使因布线导体的特性阻抗与半导体元件的特性阻抗的相异而产生的噪声衰减，能使半导体元件正常工作。附图说明图1是表示本专利技术的第1局面的布线基板的1个实施方式的概略截面图。图2是在图1所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种布线基板，具备：绝缘基板，其在表面具有穿孔了过孔的绝缘层；过孔导体，其形成于所述过孔内，且由体积电阻率100μΩ·cm以下的低电阻材料构成；和连接焊盘，其形成于所述绝缘层的表面，且由薄膜电阻体层构成，该薄膜电阻体层由体积电阻率10Ω·cm以上的高电阻材料构成，所述布线基板的特征在于，将所述薄膜电阻体层披覆为覆盖所述过孔导体及其周围的所述绝缘层。

【技术特征摘要】
2013.06.28 JP 2013-135843;2013.06.28 JP 2013-135841.一种布线基板，具备：
绝缘基板，其在表面具有穿孔了过孔的绝缘层；
过孔导体，其形成于所述过孔内，且由体积电阻率100μΩ·cm以下
的低电阻材料构成；和
连接焊盘，其形成于所述绝缘层的表面，且由薄膜电阻体层构成，该
薄膜电阻体层由体积电阻率10Ω·cm以上的高电阻材料构成，
所述布线基板的特征在于，
将所述薄膜电阻体层披覆为覆盖所述过孔导体及其周围的所述绝缘
层。
2.根据权利要求1所述的布线基板，其特征在于，
所述过孔导体由铜形成。
3.根据权利要求1所述的布线基板，其特征在于，
所述薄膜电阻体层由锗形成。
4.一种布线基板，具备：
在表面具有绝缘层的绝缘基板；和
在所述绝缘层的表面形成的连接焊盘；
所述布线基板的特征在于，
所述连接焊盘包括：由体积电阻率100μΩ·cm以下的低电阻材料构
成的主导体层；由体积电阻率10Ω·cm以上的高电阻材料构成、且有较
低的焊料润湿性的薄膜电阻体层；和有较高的...

【专利技术属性】
技术研发人员：城下诚，
申请(专利权)人：京瓷SLC技术株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP