【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
,更具体地,涉及压控晶圆载体以及晶圆传输系统。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了指数增长。IC材料和处理操作的技术进步产生了多代IC,其中每代具有比前代更小并且更复杂的电路。IC形成在晶圆上,这必须经历许多的工艺步骤,每个工艺步骤典型地在为特别设计为用于特定工艺的晶圆处理设备的工艺室中进行,在很多情况下,在真空或近乎真空的条件下。典型地,晶圆被包含在称作前端开启式统一规格运输腔或者前端开启式通用腔(FOUP)的晶圆载体中的同时,由称作自动物料搬运系统(AMHS)的晶圆转移系统从一个晶圆处理设备自动地传输至另一个晶圆处理设备。FOUP是专门被设计为具有如下功能的塑料壳体:安全地并且安稳地保持硅晶圆,以及为了处理或测量可将晶圆移除并进入到装配有适当的装载端口(load port)和机器人搬运系统的晶圆处理设备中。典型的FOUP包括大约25个直径为300mm并且由FOUP中的鳍状件安全保持的晶圆,并且FOUP具有前端开启门以允许机器人搬运机构能够接触晶圆。当前使用的FOUP的密封系统不适宜提供并维持对晶圆的任何真空或增压环境,并且因此,晶圆被保持在处于大气压下的FOUP中。这可导致诸如允许湿气和/或化学物质进入FOUP的问题,这会污染晶圆。因此,为了防止这样的潜在的晶圆污染,亟需提供晶圆载体,这可对其中的晶圆在传输期间提供恒定的预设压力,该压力取决于特定需求而低于或 ...
【技术保护点】
一种在第一晶圆处理设备处传输晶圆的方法,所述第一晶圆处理设备包括在内部具有第一压力的气锁室、与所述气锁室气体连通但是可通过第一门与所述气锁室隔开的传送模块、以及与所述传送模块气体连通但可通过第二门与所述传送模块隔开的工艺室,其中,所述第一门位于所述气锁室和所述传送模块之间,所述第二门位于所述传送模块和所述工艺室之间,所述传送模块和所述工艺室分别在内部具有预设的第二压力和第三压力,所述方法包括:传输其中包括多个晶圆的晶圆承载壳体,所述壳体具有用于传送多个晶圆通过其中的壳体开口和壳体门,其中,所述晶圆承载壳体在传输期间在所述壳体内部具有预设的承载压力;将所述晶圆承载壳体与所述气锁室相对接;将所述气锁室内部的所述第一压力变为所述承载压力;开启所述壳体门;将所述气锁室和所述晶圆承载壳体内部的所述承载压力变为所述第二压力;开启所述第一门;将所述多个晶圆从所述晶圆承载壳体传送至所述传送模块;开启所述第二门;以及将所述多个晶圆从所述传送模块传送至所述工艺室中来用于处理。
【技术特征摘要】
2013.03.14 US 13/831,4981.一种在第一晶圆处理设备处传输晶圆的方法,所述第一晶圆处理设
备包括在内部具有第一压力的气锁室、与所述气锁室气体连通但是可通过
第一门与所述气锁室隔开的传送模块、以及与所述传送模块气体连通但可
通过第二门与所述传送模块隔开的工艺室,其中,所述第一门位于所述气
锁室和所述传送模块之间,所述第二门位于所述传送模块和所述工艺室之
间,所述传送模块和所述工艺室分别在内部具有预设的第二压力和第三压
力,所述方法包括:
传输其中包括多个晶圆的晶圆承载壳体,所述壳体具有用于传送多个
晶圆通过其中的壳体开口和壳体门,其中,所述晶圆承载壳体在传输期间
在所述壳体内部具有预设的承载压力;
将所述晶圆承载壳体与所述气锁室相对接;
将所述气锁室内部的所述第一压力变为所述承载压力;
开启所述壳体门;
将所述气锁室和所述晶圆承载壳体内部的所述承载压力变为所述第二
压力;
开启所述第一门;
将所述多个晶圆从所述晶圆承载壳体传送至所述传送模块;
开启所述第二门;以及
将所述多个晶圆从所述传送模块传送至所述工艺室中来用于处理。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在处理之后,将所述多个晶圆从所述工艺室传送回所述晶圆承载壳体
中。
3.根据权利要求2所述的方法,还包括:
在将所述多个晶圆传送回所述晶圆承载壳体之后,以所述承载压力来
填充所述晶圆承载壳体。
4.根据权利要求3所述的方法,还包括:
在以所述承载压力填充所述晶圆承载壳体之后,将所述晶圆承载壳体
\t与所述气锁室分离;以及
将所...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈世宏,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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