本发明描述了非平面半导体器件及其制造方法。非平面半导体器件包括具有顶表面的半导体主体，顶表面与形成在绝缘衬底之上的底表面相对，其中半导体主体具有一对横向相对的侧壁。在半导体主体的顶表面上、在半导体主体的横向相对的侧壁上以及在半导体主体的...

本发明公开了具有应力施加层的非平面器件及制造方法。包括半导体主体的半导体器件被形成在绝缘衬底上，所述半导体主体具有顶表面和横向相对的侧壁。在半导体主体的顶表面上、在半导体主体的横向相对侧壁上形成栅极电介质层。在半导体主体顶表面上的栅极电...

本发明公开了一种具有凸起的结区域的ＰＭＯＳ晶体管。由器件的结区域中的与衬底的表面处于非同面的关系的硅合金材料提供了ＰＭＯＳ晶体管沟道区域中的最优应变。选择硅合金材料、硅合金材料的尺寸以及硅合金材料与衬底表面的非同面的关系，使得硅合金材料...

一种导线结合结构包括形成在微电子电路小片的表面上或者表面中的铜焊盘。包括与该铜焊盘接触的导电层，且结合导线结合到该导电层。该导电层由一种材料形成，以在氧化环境和具有达到至少大约３５０℃的温度的环境的至少一种环境中在结合导线和铜焊盘之间提...

本发明描述了一种电子组件，包括：管芯（４０），该管芯（４０）具有形成于其中的集成电路；导热散热器（１６）和位于管芯和该散热器之间的铟（１４）。散热器（１６）具有镍层（２２）。金层（２４）被形成在镍层（２２）上，并提供较镍更好的铟的润湿。...

本发明公开了一种高介电常数薄膜的精确图案化的方法，用于解决传统图案化技术中的结构和工艺限制。在形成与高介电常数电介质层相邻的栅极结构之后，高介电常数电介质层的一部分优选地通过暴露给氢气而被还原，以形成高介电常数电介质层的被还原部分。可以...

本发明描述了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上形成高介电常数栅极介电层，以及改性所述高介电常数栅极介电层的第一部分，以保证可以相对于所述高介电常数栅极介电层的第二部分而选择性地去除所述第一部分。

本发明描述了一种用于笔记本计算机的对接体系结构。具体而言，耦合到低引脚数（ＬＰＣ）总线上的一个电路监控ＬＰＣ总线的受信数据周期。如果检测到受信数据周期，则该电路防止受信数据周期对于非受信部件可用。

一种装置，该装置包括：　　　　基板；　　　　波导，该波导安装在基板上；　　　　光电子芯片，该光电子芯片具有多个导电性接点，该导电性接点通过金属焊料耦接到基板上；以及　　　　光学元件，该光学元件位于光电子芯片上，并且通过光学焊料耦接到波导...

提供了一种用于将元件固定到印制电路板上的紧固机构和方法。紧固机构可包括环件、从环件中延伸出来的第一支脚和从环件中延伸出来的第二支脚。第一支脚可穿过印制电路板的第一孔而安装，并包括可在插入到第一孔中时压缩且在穿过第一孔后膨胀的可压缩部分。...

本发明披露了一种晶片盒输送车和用于帮助使晶片盒位于晶片盒输送车的拾取叉上的合适位置上的自校正故障容限块。所述自校正故障容限块具有下部表面，用于固定到到所述晶片盒输送车上；以及和所述晶片盒的前底边沿相遇的斜的上部表面。所述斜的上表面当晶片...

表膜薄膜被安装在外框架和内框架之间。在不使用常规粘合剂的情况下，将至少一个框架贴附到调制盘上。表膜和调制盘可用于光刻系统中。表膜允许辐射通过该表膜达到调制盘并可以防止颗粒通过该表膜。

一种用来提高半导体封装件结构刚度的装置。

本发明提供了一种包括微电子管芯（１４４、１４４’）的微电子器件以及用于制造该微电子器件的方法，该微电子管芯具有有效表面（１０４）、后表面（１０６）和至少一个侧面。微电子管芯的侧面包括沟槽侧壁（１２４、１２４’）、凸缘（１４２、１４２’）...

本发明公开了过渡金属合金的实施例，这种合金的ｎ型或ｐ型功函数在高温下不会明显变化。所公开的过渡金属合金可用作晶体管的栅电极，或者形成为晶体管栅电极的一部分。本发明也公开了形成使用这些过渡金属合金的栅电极的方法。

一种电光半导体封装件和制造方法提供了提高的性能。提供具有一个或多个集成电路（ＩＣ）接触焊盘的集成电路，其中所述集成电路接触焊盘被连接到集成电路晶片上的集成电路。提供具有一个或多个中间接触焊盘的中间晶片，其中所述中间接触焊盘被连接到所述中...

根据本发明的一个实施例，存储器器件封装包括具有存储器阵列的集成电路管芯和至少一个安装到集成电路部件上的无源部件。

根据本发明的一个实施例，存储器器件封装包括具有存储器阵列的集成电路管芯和至少一个安装到衬底上的无源部件。在其他实施例中，焊球阵列可安装在所述无源部件的周围。

本发明公开一种方法和一种装置。该方法包括：在一种半导体器件衬底上形成过孔电介质层；在所述过孔电介质层上形成沟槽电介质层；形成贯穿所述沟槽电介质层的沟槽，以暴露所述过孔电介质层；在所述沟槽中的所述过孔电介质层中形成过孔，以暴露所述衬底；以...

本发明公开了一种用于原位形成低缺陷的拉伸硅的方法以及根据该方法形成的器件。在一个实施例中，在衬底上形成硅锗层，所述硅锗层的一部分被去除以暴露出将用平滑剂使其平滑的表面。在硅锗层上形成拉伸硅层。在各种实施例中，整个方法在保持在真空下的单个...