本发明涉及一种分级的微机电结构（ＭＥＭＳ）电容器，它由可以在该分级电容器的电路中的多个ＭＥＭＳ开关激励，或者，它们可以由一个独立电路进行激励。还可以通过在分级ＭＥＭＳ电容器结构中提供至少一个可变电容器，按照电容量的中间级改变该分级电容器。

一种方法，包括：　　　　独立于集成电路的工作状态，检测所述集成电路的温度是否超过阈值；以及　　　　如果所述集成电路的温度超过所述阈值，则从所述集成电路去掉至少一部分电源。

一种装置包括：多个层叠的计算机部件，包括：一个蒸气室和一个中心点力，中心点力作用在蒸气室上。

一种用于控制掺碳氧化物薄膜的蚀刻偏差的方法，包括在循环的两步骤工艺中进行蚀刻，即掺碳氧化物（ＣＤＯ）去除工艺，所述ＣＤＯ去除工艺包括第一气体，以便在ＣＤＯ层中蚀刻出沟槽。跟在ＣＤＯ去除工艺后面的是聚合物沉积工艺。聚合物沉积工艺包括在反应...

形成互连电路特征，所述互连电路特征中包括金属和作为正电性掺杂剂的铋。所述互连特征的界面边界（７０１）处，可以具有正电性掺杂剂的聚积，以减少操作过程中金属的电迁移。一种方法，可以包括加热所述互连特征，以便将正电性掺杂剂的一部分驱赶至界面。

本发明涉及一种相变存储器器件。所述器件包括围绕二极管栈的双沟槽隔离结构，所述二极管栈与下电极连通。本发明还涉及一种制造芯片存储器器件的方法。所述方法包括在存储器单元结构二极管栈周围形成两个正交和交叉的隔离沟槽。

一微电子封装件，包括具有有效表面的微电子管芯和至少一个侧面。封装材料邻近微电子管芯侧设置，其中，封装材料包含至少一个基本与微电子管芯有效表面相平的表面。第一介电材料层可以设在微电子管芯有效表面和封装材料表面的至少一部分上。然后在第一介电...

本发明公开了一种双镶嵌工艺，其中，第一交替ＩＬＤ由第一材料制成，第二交替ＩＬＤ由第二材料制成。每种材料都在存在例如用于有机高分子和无机低Ｋ材料的不同的刻蚀剂时，能够以比另一种材料更快的速率刻蚀。这允许在没有刻蚀剂阻止层的情形下在彼此上交...

高多孔低－ｋ电介质材料被机械加强以能够在高级的集成电路中使用这些低－ｋ材料作为层内和层间电介质，例如将高多孔材料并入Ｃｕ镶嵌互连的技术。体现这样的机械加强的电介质层的集成电路通常包括一个其中有互连的电子元件的衬底，在衬底上布置的铜扩散阻...

描述一种连接晶片和衬底的倒装晶片方法。使用热压缩连接器对齐晶片和衬底并施加接触力保持衬底上的焊料隆块贴靠晶片上的金属隆块。晶片通过连接器头部内的脉冲加热器从其非本地侧快速加热到焊料隆块处的回流温度为止。大致达到焊料隆块处的回流温度，释放...

引入液化气体溶液以用于在半导体衬底上的材料沉积。衬底可以具有被溶液刻蚀至其中的沟槽，而所述溶液包含将要被沉积至沟槽中的材料的离子。在引入包含将要被沉积在阻挡层上的金属的离子的液化气体溶液之前，衬底可以在其表面上具有阻挡层。将要形成在衬底...

本发明描述了处理，通过所述处理来制造晶片、来自该晶片的管芯和包括该管芯的电子组件。该管芯具有金刚石层，该金刚石层主要用于扩散来自该管芯中的集成电路的热点的热。

本发明描述了涉及使用分开的掩模在有源区上形成多晶硅栅极接触孔以提供对电介质去除的足够控制，来产生至少深至栅极层但未深至结层的接触孔的方法、装置和系统。实施例包括通过定时接触刻蚀、通过两层电介质、通过加入电介质刻蚀停止层以及通过部分地将栅...

一种互连包括各向异性的传导膜以及被嵌入在所述各向异性传导膜内的光传输单元。所述光传输单元提供通过所述各向异性传导膜的光传输路径。在另一实施例中，一种电子封装包括第一基片、第二基片、以及位于所述第一基片和所述第二基片之间的互连。所述互连包...

一种电子组件包括多个分立电容器（５０４，图５），它们表面安装到或嵌入到诸如集成电路组件（１５０４，图１５）的电子壳体上（中）。相邻电容器的一个或多个侧面端子通过侧向连接（５１２，６２０，图５和图６）进行电连接。这些侧向连接在分立电容器之...

一种变压器包括：含半导体材料的基板、基板上的第一导体、基板上的第二导体以及基板上的磁层。第一导体形成具有至少一圈的一般螺旋形信号通路。第二导体形成具有至少一圈的一般螺旋形信号通路。

公开了一种微电子器件制造技术，可将至少一个微电子芯片设置在微电子组件芯部至少一个开口中，并用封装材料将微电子芯片组／单个片固定在开口中；还可无需微电子组件芯部将至少一个微电子芯片封装在封装材料中，或固定至少一个微电子芯片到散热器中至少一...

本发明涉及包括超薄型外延层的晶体管，其形成具有长度由在晶体管的栅极堆叠下的底切所确定的沟道的嵌入式结。本发明还涉及形成所述晶体管的方法和包含了所述晶体管的系统。

本发明公开了一种用于半导体器件中的互连结构以及该互连结构的形成方法。本发明的实施例包括掺杂碳和掺杂硅的互连，其具有避免在互连和钝化层之间形成硅化铜的浓度。一些实施例对于活化能和／或平均无故障时间，提供了意想不到的电迁移可靠性结果。

一种用于微电子电路芯片的低成本的封装技术，将管芯固定在封装芯中的开口内。接着，在管芯／芯装配件上形成至少一层金属堆积层，并且将栅格阵列内插器单元层叠到所述堆积层上。接下来，可利用多种安装技术（如球状栅格阵列（ＢＧＡ）、岸面栅格阵列（ＬＧ...