带内插器的微电子电路封装制造技术

一种用于微电子电路芯片的低成本的封装技术，将管芯固定在封装芯中的开口内。接着，在管芯／芯装配件上形成至少一层金属堆积层，并且将栅格阵列内插器单元层叠到所述堆积层上。接下来，可利用多种安装技术（如球状栅格阵列（ＢＧＡ）、岸面栅格阵列（ＬＧＡ）、引脚栅格阵列（ＰＧＡ）、表面安装技术（ＳＭＴ）和／或其它安装技术）中的任何一种，将栅格阵列内插器单元安装在外部电路内。在一个实施例中，在层叠内插器前，在管芯／芯装配件上形成单一的堆积层。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及微电子电路，尤其涉及封装这种电路的结构与技术。
技术介绍
微电子电路芯片(如管芯)制造出来后，在将它销售给公众之前，通常先对芯片进行封装。封装既为芯片提供了保护，也为在外部系统内安装此芯片提供了一种方便而通常标准化的方法。电路封装必须包括一些用来提供各种电路芯片端子与外部环境之间电通信的装置。在过去，使用许多不同的封装技术来提供这种通信。为特定芯片所使用的封装类型，会对成品器件的性能有显著影响。典型地，在大量制造环境当中，选择封装技术时将主要考虑到成本。性能也是非常重要的标准。随着电路变得更小和速度更快，人们正需要一种创新的且节约成本的封装技术。附图说明图1是依照本专利技术一个实施例的微电子器件的简化横截面侧视图；图2是依照本专利技术另一实施例的微电子器件的简化横截面侧视图；图3是在堆积金属化层被淀积前，图1的管芯/芯装配件的横截面立体视图；图4是在电介质层淀积后，图3的管芯/芯装配件的横截面立体视图；图5是依照本专利技术一个实施例的具有多个导电接触点的微电子管芯的示意性顶视图。图6是依照本专利技术一个实施例的堆积金属化层的金属化图案的示意性顶视图；图7是图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微电子器件，包括：固定于封装芯内的管芯；堆积在所述管芯和所述封装芯上的金属化层；和栅格阵列内插器单元，它具有层叠到所述金属化层的第一表面，所述栅格阵列内插器单元在其第二表面上具有一个电接触点阵列，以用来连接到外部 电路板。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2001-4-30 09/845,8961.一种微电子器件，包括固定于封装芯内的管芯；堆积在所述管芯和所述封装芯上的金属化层；和栅格阵列内插器单元，它具有层叠到所述金属化层的第一表面，所述栅格阵列内插器单元在其第二表面上具有一个电接触点阵列，以用来连接到外部电路板。2.如权利要求1所述的微电子器件，其中所述金属化层包括位于所述管芯上的第一金属化部分和位于所述封装芯上的第二金属化部分。3.如权利要求1所述的微电子器件，包括至少一个去耦合电容器，它连接到所述栅格阵列内插器单元的第二表面，以便为所述管芯内的电路提供去耦合。4.如权利要求3所述的微电子器件，其中所述栅格阵列内插器单元具有在所述第一与第二表面之间的、不大于0.5毫米的厚度。5.如权利要求1所述的微电子器件，其中所述栅格阵列内插器单元包括有暴露所述金属化层的第一部分的开口，所述微电子器件进一步包括连接到所述金属化层的所述第一部分的至少一个去耦合电容器，以便为所述管芯内的电路提供去耦合。6.如权利要求1所述的微电子器件，其中利用封装材料将所述管芯固定在所述封装芯内。7.如权利要求1所述的微电子器件，其中所述封装芯由在其至少一个表面上具有金属覆层的电介质板材料形成。8.如权利要求7所述的微电子器件，其中在所述器件工作期间，所述金属覆层导电地耦合到接地，以便为所述金属化层内的至少一个传输结构提供接地平面。9.如权利要求7所述的微电子器件，其中在器件工作期间，所述金属覆层导电地耦合于电源，以便形成电源平面。10.如权利要求7所述的微电子器件，其中所述金属化层包括至少一个接地焊盘，该接地焊盘通过一个或多个通道连接，导电地耦合于所述封装芯上的所述金属覆层。11.如权利要求1所述的微电子器件，其中所述管芯包括分布在其表面上的多个电源条和多个接地条，所述多个电源条中的每一个导电地耦合于所述管芯的多个电源接合焊盘，并且所述多个接地条中的每一个导电地耦合于所述管芯的多个接地接合焊盘。12.如权利要求11所述的微电子器件，其中所述多个电源条和所述多个接地条，在所述管芯的所述表面的中心区域内是交错的。13.如权利要求11所述的微电子器件，其中所述管芯包括分布在所述表面外围区域内的多个信号接触点焊盘。14.如权利要求1所述的微电子器件，其中所述金属化层包括置于所述管芯上的至少一个电源落点焊盘，所述至少一个电源落点焊盘通过相应的通道连接，导电地耦合于所述管芯上的多个电源接合焊盘。15.如权利要求14所述的微电子器件，其中所述金属化层包括置于所述管芯上的至少一个接地落点焊盘，所述至少一个接地落点焊盘通过相应的通道连接，导电地耦合于所述管芯上的多个接地接合焊盘。16.如权利要求1所述的微电子器件，其中所述金属化层包括置于所述封装芯上的至少一个电源落点焊盘，所述至少一个电源落点焊盘通过所述管芯上方延伸的焊径部分以及多个通道连接，导电地耦合于所述管芯上的多个电源接合焊盘。17.如权利要求1所述的微电子器件，其中所述金属化层包括置于所述封装芯上的至少一个信号落点焊盘，所述至少一个信号落点焊盘通过含有传输线的段的路径，导电地耦合于所述管芯上的信号接合焊盘。18.如权利要求1所述的微电子器件，其中所述微电子器件包括在所述管芯与所述栅格阵列内插器单元之间的单一的金属化层。19.如权利要求1所述的微电子器件，其中所述栅格阵列内...

【专利技术属性】
技术研发人员：G范德托普，J唐，S托勒，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]