一种在集成电路中用作互连结构的金属堆栈，包括： 一层钛基底层； 一层和基底层接触的体导电层；和 一层和体导电层接触的钛盖层。

在一种在集成电路中用作互连结构的金属堆栈的制备中，其中堆栈包括和体导电层接触的钛层，一种制备这种堆栈的改进方法包括步骤： 在钛层的起始形成过程中引入氮；从而在体导电层和钛层之间形成含有氮的超薄区；和 在没有氮的情况下形成钛层...

一种熔性连接器件，设置在半导体衬底上，用于提供选择电连接，该熔性连接器件包括： 具有第一电阻的多晶硅层；以及 形成在多晶硅层上的硅化物层，硅化物层具有低于第一电阻的第二电阻，硅化物层成块形成电不连续处，对应于施加在硅化物层上...

一种制造一互连结构的方法，其包括如下步骤： 形成一第一绝缘层； 将所述第一绝缘层平面化； 在所述第一平面化的绝缘层上形成一第二绝缘层； 在所述第一和第二绝缘层中形成一孔； 将一种导体材料沉积到所述孔中和所述...

一种在存在Ｐｂ／Ｓｎ焊料凸点（１７）下从晶片（１０）表面上去除球形限制冶金（ＢＬＭ）层（１４，１５）的方法。在一个实施方案中，该ＢＬＭ层包括钛层（１４）和铜层（１５）两层。在Ｐｂ／Ｓｎ焊料凸点（１７）形成在晶片（１０）的电接触垫（１２）...

一种形成多个集成电路的方法，包括如下步骤： 在第一半导体层的面上制作第一电路； 在第二半导体层的面上制作第二电路； 将第一半导体层的面跟第二半导体层的面并列配置，使第一电路跟第二电路连接。

一种具有垂直层叠跨接（５２０，５２１）的存储单元（５０）。在现有的存储单元中，存储单元内的跨接连接在相同的器件层中实现。由于在布线设计中需要跨接并排地设置。所以浪费了有用的设计空间。本发明在不同的器件层上用不同的材料实现跨接。因此跨接可...

一种在衬底上制造晶体管的改进方法，包括步骤： 形成具有与栅相邻的更轻掺杂区和与栅隔开的更重的掺杂区的掺杂源的源区；以及 在可以改变扩散速率的环境中从掺杂源将掺杂剂扩散进入衬底中。

在一个实施例中，基准构成为利用激光化学腐蚀通过Ｃ４封装的集成电路管芯的背面通过硅衬底暴露。先前描述的基准包括设置于衬底内的浮置扩散区。没有金属接触的氧化层设置于集成电路的基准区内的扩散区之上。金属图形层设置于氧化层之下，提供对准信息。金...

一种改进的升压阱注入，它可比传统的辉光注入提供更好的特性，特别是对于短沟道装置（例如０．２５微米或更小）。事实上，注入物可被分布在整个沟道内，但当器件的栅长度小于临界尺寸时，须使较高的浓度发生在沟道的中央，这时可采用很大的倾斜角（例如３...

一种冷却半导体管芯的方法和装置。在一个实施例中，Ｃ４封装的半导体管芯（３０１）热耦合到具有一个开口（３１５）的冷却板（３１３）。冷却板的开口设置在半导体管芯的背面，由此可以无障碍地访问半导体管芯露出的背面。如铟的保形导热体设置在半导体管...

公开了一种用于提供能用标准工艺来制造的、带有ＥＳＤ保护的减少了电容的晶体管的方法和装置。该晶体管包括：衬底（３１０）；在该衬底内形成的源区（３４０）；以及也在该衬底内形成的阱区。该晶体管还包括具有第１终端区、第２终端区和位于该第１与第２...

一种集成电路（ＩＣ）封装包括：一个模塑复合物（１２），一个管芯（１６）和一个窗口（３４）。所述模塑复合物（１２）中有一个嵌入其内的框架（３２）。该框架（３２）的热膨胀系数小于所述模塑复合物（１２）的热膨胀系数。经大回流处理便可将该ＩＣ封...

一种不满填充安装在基底上的集成电路的高吞吐量生产流水线和方法。生产流水线包括一个将单一不满填充材料发放到基底上的第一发放站和一个烘箱，烘箱在不满填充材料在集成电路和基底之间流动期间移动基底。生产流水线消除了作为获得高吞吐量瓶颈的流动时间...

一种密封工艺步骤，将填料分散到可以包括安装到基板上的集成电路的集成电路封装上。该封装可以包括附着到集成电路和基板上的底层填料及密封所说底层填料及ＩＣ的填料。所说填料形成的均匀密封可以防止热机械负载期间集成电路（管芯）龟裂。

一种集成电路封装件，它可以包括不同于集成电路封装件上的第一底层填充材料的第二包封材料（或填充物）的分配，此封装件可以包括安装到衬底的集成电路。此封装件还可以具有固定到集成电路和衬底的第一底层填充材料和第二底层填充材料。第二包封材料可以被...

在安装到基板上的集成电路的底层填充中的部分凝胶步骤。该工艺步骤包括分散第一底层填料，然后将该底层材料加热到部分凝胶态。部分凝胶步骤可以减少空洞的形成，改善水汽负载期间的粘附性能。

一种适合于将集成电路连接到支撑衬底的结构是一种内插器，其中该结构具有与该集成电路良好匹配的热膨胀特性。该集成电路和该内插器由具有基本上相同的热膨胀系数的主体组成。该内插器具有适于电气地并机械地耦合到集成电路的第一表面。该内插器具有适于电...

根据本发明的一方面提供一种构造电子组件的方法。该电子组件由一半导体预装件构成，该半导体预装件包括一预装件基底和安装到该预装件基底上的半导体芯片，以及热传导元件和一种包含铟的物质。所述方法包括：将热传导元件和半导体预装件沿彼此相对的所选择...

利用蚀刻过程由导电材料单层来制作出一个具有Ｔ型横截面栅极的晶体管。经过两次蚀刻之后形成具有凹槽型面的侧壁。凹槽使源极区和漏极区能被注入进衬底，并且可以在不生成栅极额外叠加电容的情况下进行热处理。减少叠加电容能提高晶体管的操作性能包括驱动...