非易失性存储器装置根据擦除循环计数值来在编程期间增加浮栅晶体管上的漏电压。当擦除存储器块时，增加该块的擦除循环计数值。当对存储器块编程时，在编程期间使用该块的擦除循环计数值来确定将要在浮栅晶体管上使用的漏电压。

在一些实施例中，提供了用于将管芯附着到有机基板上的柔性接头方法。就此而言，引入了一种集成电路芯片封装基板，其具有有机基板、与所述有机基板的表面耦合的内插器以及与所述内插器的表面耦合的柔性带层，其中，所述内插器具有用于容纳管芯的凸块的腔，...

本发明的一些实施例包括散热器与管芯之间的热界面。热界面可包括单一材料或者多种材料的组合的主层。热界面可包括覆盖主层的一个或多个表面的一个或多个附加层。热界面可使用焊剂或者不使用焊剂在低温与管芯和散热器接合。描述了其它实施例并要求其权利。

一种ＬＧＡ基板，包括：内核（１１０），其上形成有内置电介质材料（１５０）、至少一个金属层（１２５）和阻焊剂（１５５）；电连接到所述金属层的导电平面栅格阵列焊盘（１２０）；所述导电平面栅格阵列焊盘上的镍层（１２１）；所述镍层上的钯层（１２...

一种发泡块体金属玻璃电连接在集成电路封装的衬底上形成。发泡块体金属玻璃电连接展示了在震动和动态加载期间防止破裂的低模量。发泡块体金属玻璃电连接用作焊料凸块，用于集成电路设备与外部结构之间的通信。形成发泡块体金属玻璃电连接的工艺包括混合块...

一种用于微电子器件的布线层，包括含有第一沟槽（１１１，５１１）的第一区域（１１０，５１０）、含有第二沟槽（１２１，５２１）的第二区域（１２０，５２０）以及所述第一沟槽和第二沟槽中的导电材料（２３０，５３０）。所述第一沟槽具有第一深度（１...

本发明可以减少导电层在光刻、合金及钝化过程中形成的缺陷．在光刻以及温度高于２００℃的工艺之前，利用低温旋涂的方法在导电层上形成一个有色的玻璃层．通过在导电层上形成一个复合层的方法完成气密钝化．此复合层由两部分组成：下层为张力层，上层为压...

本发明是对制版方法形成带图案金属层工艺的一种改进．在半导体器件上的金属层上制作抗反射涂层之前先形成一层无定形硅层．这种硅通过吸收光刻胶层的爆光用光，既可防止光从金属层上反射出来，也可防止在光刻胶层上产生凹陷．采用喷镀的无定形硅可省去抗反...

描述了一种改进了的ＥＥＰＲＯＭ元件，它更适宜于制造高密度器件．单个元件包括一个浮置栅，它是通过沟道注入充入电荷而通过隧道卸去电荷的，漏区是精确定位的，且此源区薄一些．在ｎ－沟道装置中，Ｎ型杂质和Ｐ型杂质都用来形成源区和漏区，然后对源区进...

在一个类似外延层的硅层中形成ＭＯＳ和ＣＭＯＳ晶体管的改进的工艺过程．先形成一些场氧化物区，接着再沉积一层多晶硅层或非晶硅层，这些硅层在这些场氧化物区之间形成“晶种窗”处同衬底接触．这些层由衬底通过晶种窗重新结晶．晶体管就造在这层重新结晶...

利用氟化气体混合物进行等离子体蚀刻硅的一个方法．在蚀刻室里，利用ＣＨＦ－［３］和ＳＦ－［６］混合物形成等离子体对硅进行蚀刻．通过改变ＣＨＦ－［３］／ＳＦ－［６］混合物中ＣＨＦ－［３］的百分比可以控制蚀刻的定向度．该方法对被蚀刻的硅表面无...

用于在一工艺中形成互联的改进工艺，其中一再结晶的多硅层是形成在一绝缘层上，并通过形成在绝缘层上的几个种窗产生再结晶．在衬底上形成一掺杂区之后淀积多晶硅层．在绝缘层上通过窗口至少使掺杂区的一部与多晶硅层联接．通过该窗口发生再结晶，例如掺杂...

制作与埋置氧化物区自对准的场效应器件的ＭＯＳ工艺．在有掩膜部分确定了栅之后．与掩膜部分相对准而进行氧注入．掩膜部分阻挡了氧注入，因而由此制出的晶体管的沟道区同埋置氧化层中的窗口相自对准．

经过改良的、用于ＭＯＳ集成电路的电阻．在一层隔离两个导电区域的绝缘层里开一个孔．通过等离子增强的化学气相沉积法，如同富硅氮化物的钝化材料便被沉积在该窗口之中，该沉积物与两个导电区都接触、从而在这两区之间形成垂直方向的电阻．

本发明叙述了一种形成金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）的方法，其中的源和漏区的配置是通过基本上垂直于衬底表面的离子注入方式分两个步骤实现的，使得杂质的浓度随着远离电极元件的横向距离而增加，以便抑制热电子注入，防止沟道效应，增加...

本文提出了一种方法，利用该方法可以在一个引线框（２０）上制造双面集成电路封装，该引线框具有基座（２５）和与该基座对应的引脚（４０、４２）。引线框放在支撑块（１１８、１２２）上，集成电路芯片（５０、９０）被放在基座的两个表面上，该支撑块具...

一种防止通路分层的高性能和高可靠度的新型互连结构。本发明的互连结构包括伸进并底割下层互连线（２０２）、将连接通路（２１２）固定在互连线（２０２）中的连接通路（２１２）。

本发明是一种集成电路封装（１０），其中包括与多个外安装管脚（１４）及集成电路（１２）耦连的多层印刷电路板（１６）。多层电路板（１６）有多个与集成电路（１２）耦连并且不通过任何通路直通管脚（１４０的内键合焊盘（４６）。印刷电路板（１６）有...

一种在半导体衬底（３０）的沟槽隔离区（３３）上形成基本平面化表面的方法。潜在有源区（４２）形成在所述沟槽隔离区（３３）内。之后在半导体衬底（３３）表面上淀积介质层（３８）。然后抛光介质层（３８）形成平面化的表面。

具有超浅端区（２１４）的新型晶体管（２００）及其制造方法。本发明的新型晶体管有一个源／漏扩展或端区（２１０），该源／漏扩展或端区包括延伸到栅电极和突起的区域（２１６）下的超浅区（２１４）。