英特尔公司专利技术

英特尔公司共有18493项专利

  • 一种通信设备,具有多个节点,每个节点能通过各节点间的点对点无线传输链路与多个其它节点通信。至少一个节点具有至少一个能在方位角上调节的天线。把该天线设置成发送其射束宽度在方位角上要比仰角上窄的电磁波束。该射束宽度在方位角上小于9°并且该射...
  • 用于支承多个天线(11)的支承结构(10)具有多个每个支承至少一个天线(11)的天线支架(13)。每个天线支架(13)能围绕转动轴线转动地被支承。至少一个天线支架(13)能选择地相对于另一个或每个其它的天线支架(13)转动,使被上述的至...
  • 一种设备,包括:    有内表面的底板,内表面具有接收无线电信号的用金属物质涂覆的第一区域;和    至少一个第一金属片,连接到用金属物质涂覆的第一区域,第一金属片连接到电路板,第一金属片传送用金属物质涂覆的底板第一区域与电路板之间的信号。
  • 一种用于为无线用户提供网络接入服务的天线系统(10)产生至少第一(62)和第二(64)天线波束,其中第二天线(64)波束可相对于第一天线波束移动。还可以产生附加天线波束(66)。在天线系统(10)的安装期间,安装者可以调节第二天线波束(...
  • 一种用于计算装置的天线系统,可按多个通信模式操作。
  • 一种阻抗面具有细长条。该阻抗面近似于特定频带内的磁导体。扇形天线耦合到阻抗面的一面。该扇形天线具有平面波形因数,其尺寸包含在细长条内。该扇形天线具有特定频带内的辐射方向图,所述辐射方向图以特定角度从阻抗面张开。
  • 一种多频带天线,包括:具有一个或多个寄生片的第一导电层,具有多个辐射片的第二导电层,以及具有接地片的第三导电层。第一、第二和第三导电层可由第一和第二衬底层分隔。第二导电层可包括:第一辐射片,其尺寸被选为能辐射第一频谱内的信号;以及第二辐...
  • 描述了装置、系统和方法,用于互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路器件,该器件具有包括辐射单元的第一金属层;以及包括与所述辐射单元耦合的第一导体的第二金属层。所述第一导体和所述辐射单元互相耦合,形成以无线方式传递信号的天线。
  • 无线设备的天线(20)可以动态地保持调谐到期望的中心频率,以补偿由环境影响所引起的失调。传感器(38)向控制器(34)提供反馈信号,以从可变电容器(30,32)选择适当的电容值以便调谐无线设备的天线。可变电容器(30,32)可以包括并行...
  • 一种用于传播非分散信号的设备包括传输线,其中具有使非分散信号保持在最大传播幅度与最小传播幅度之间的电压相关传播常数和分布增益元件。
  • 一种方法,其步骤包括:    在基底中形成沟槽;    沿所述沟槽提供至少一个金属化表面;和     将具有金属化覆盖表面的连接表面施加到所述基底,使得所述金属化覆盖表面位于具有所述至少一个金属化表面的所述沟槽的上面。
  • 一种波导装置,它包括:    平行设置的多根传输线,所述传输线包括第一导体材料层;    第二导体材料层,它位于所述多根传输线中每根传输线的边缘顶上,所述第二导体材料层的宽度小于所述第一导体材料层的宽度。
  • 一种开关电路,它包括:连接到第一电气装置的第一触点;连接到第二电气装置的第二触点;连接在所述第一触点和所述第二触点之间的固态开关;连接在所述第一触点和与所述固态开关并联的所述第二触点之间的机械开关。
  • 描述了传输线阻抗匹配,以用于匹配传输信号迹线上的阻抗不连续。装置包括传输信号迹线和非传输迹线。传输信号迹线具有阻抗不连续、第一长度和预先确定的第一宽度。非传输迹线布置在传输信号迹线附近与阻抗不连续相对应的区域处。非传输迹线具有第二长度,...
  • 一种燃料电池和与燃料电池有关的平台包括共同的液体冷却系统。一种设备包括燃料电池;集成电路;以及冷却系统,用于冷却所述燃料电池和所述集成电路;其中所述冷却系统包括流体介质,用来去除所述燃料电池和所述集成电路的热量。所述流体介质可包括液态金属。
  • 根据一个实施例,公开一种计算机系统。该计算机系统包括基板、包括安装在基板上的燃料电池的装置插架以及耦合到基板的电力组。电力组包括把燃料传送到燃料电池的燃料盒。
  • 根据一个实施例披露了系统。系统包括机壳和安装在机壳内的电池组。电池组具有一个或多个电池单元和使得由一个或多个电池单元生成的热能可以从电池组传导和消散的冷却部件。
  • 根据一个实施例披露了系统。系统包括机壳,机壳包括印刷电路板(PCB)和电池组。电池组包括连接器以使得电池组联接到PCB,PCB安装在电池组连接器中线上方,和电池组电力连接器中线上或下方。
  • 可以利用通过阻挡层(24)分隔开的至少两个相变材料层(22,26)形成一种相变存储器(10)。使用多于一个相变材料层(22,26)能够减少编程体积,同时还可以提供充分的热绝缘。
  • 反应焊接材料。本发明的反应焊接材料可以被焊接到半导体表面,比如管芯或晶片的背面。反应焊接材料包括与活性元素材料熔合的基础焊接材料。反应焊接材料也可以被施加到热管理器件的一部分。反应焊接材料可以被用作半导体表面和热管理器件之间的导热界面。