根据一实施例公开了一种装置。该计算机装置包括第一集成电路（ＩＣ）和第二ＩＣ。第二ＩＣ（１５０）包括软差错率（ＳＥＲ）不敏感组件（２４０至２７５）以及用于检测会导致第一ＩＣ的逻辑处的软差错的辐射的ＳＥＲ组件（２１０，２２０，２３０）。

公开了一种使用火焰或其它热源将管芯附着到基板上的方法的实施例。可以由可燃烧气体产生火焰。还公开了使用火焰进行管芯附着的系统的实施例。公开并要求保护其它实施例。

一种形成晶体管接触的方法开始于提供晶体管，所述晶体管包括形成于衬底上的栅极叠置体以及第一和第二扩散区，并且还包括形成于所述栅极叠置体和所述扩散区的顶部的电介质层。第一光刻工艺为第一和第二扩散区形成了第一和第二扩散沟槽开口。之后，向所述第...

本发明涉及微电子封装和冷却微电子封装中的互连特征的方法。该微电子封装包括衬底（１１０，３１０）、由该衬底支承的管芯（３２０）、使该管芯和该衬底互相连接的互连特征（１３０，２３０，３３０）以及邻近该互连特征的热电冷却器（１４０，１７０，２...

公开了改进自对准多晶硅化物的接触形成并减小晶体管的外部电阻的方法和装置。在衬底表面形成栅电极。在衬底中各向同性地蚀刻源区和漏区。在源区和漏区中用硼在原位对硅锗合金进行掺杂。在该硅锗合金上淀积硅。在该硅上淀积镍。在该硅锗合金上形成镍硅锗硅...

本发明的实施例涉及在微电子衬底中制造用于微电子器件的隔离结构，其中该隔离结构的设计减少或大体上消除了在隔离结构的绝缘材料中形成表面空腔。通过提供大体上与其开口相对的沟槽结构的扩大部分或腔室，减少或避免了这些表面空腔。

一种组合物包含双马来酰亚胺三嗪（ＢＴ）化合物和与双马来酰亚胺三嗪复合的纳米粘土。一种装配基板包含聚合物和与其复合的纳米粘土以形成该装配基板的核心。方法包括熔体混合聚合物，如ＢＴ，与纳米粘土并且形成核心。方法包括溶解单体，如ＢＴ，与纳米粘...

描述一种用于减小半导体器件内的线间电容的方法及其示范器件。该器件包括设置在蚀刻停止材料与导电层之间的间隔层。通过间隔层将蚀刻停止层与导电层隔开可以显著减小半导体器件中的线间电容。

碳纳米管（ＣＮＴ）阵列在衬底上图案化。衬底可以是微电子裸片、倒扣片的插入类型结构、安装基板或底板。通过在衬底上使用经图案化的金属籽晶层，使ＣＮＴ阵列图案化，通过化学汽相淀积来形成ＣＮＴ阵列。还可通过在所述衬底上用图案化掩模来对将图案化的...

描述了一种用凹陷部外延ＳｉＧｅ源区和漏区来选择性地减轻ｎ沟道晶体管的沟道应力的方法。这可提高ｎ沟道晶体管的电子迁移率，而不影响ｐ沟道晶体管中的应变。ＳｉＧｅ在形成硅化物时提供较低的电阻。

一种层叠式芯片包装体，包括：基底（２１０，３１０），在基底上的第一芯片（２２０，３２０），在第一芯片上的隔离物（２３０，３３０），在隔离物上的第二芯片（２４０，３４０）以及设置在第一芯片、隔离物和第二芯片的至少一部分的周围的模制化合物（...

描述一种处理衬底的方法。将偶联剂和金属离子溶液施用于衬底。施用活化溶液来活化金属离子溶液的金属离子，从而由离子形成金属薄膜。

描述了用于降低图案的最小间距的方法。通过掩模使衬底上的光刻胶暴露于辐射下。所述掩模具有分隔一定距离的特征。生成具有第一辐射曝光度、第二辐射曝光度和第三辐射曝光度的光刻胶部分。采用第一化学试剂将具有第一辐射曝光度的光刻胶部分从衬底上选择性...

一种装置，它包括：　发热层，它包括多个发热器件；以及　第一冷却层，它包括：　微通道，它允许流体流过该微通道；以及　多个电渗透泵，它们便利于所述流体流过所述微通道；　其中所述第一冷却层与所述发热层结合。

描述了一种用于碳纳米管芯结构的方法、设备和系统。该系统可以包括框架和设备。该设备可以包括热交换器、具有冷板内体积的冷板和冷板内体积中的热管。在一些实施例中，热管包括形成热管的内尺度的导热壁材料、沉积在壁材料上的催化剂层、形成于催化剂层上...

描述了包含介电间隔件的多种金属互连和形成此类介电间隔件的方法。在一个实施例中，与邻近金属互连相邻的介电间隔件是相互不接触的。在另一实施例中，介电间隔件可提供无着点通孔可有效着底的区域。

晶体管栅极包括：衬底，表面上设置有一对间隔物；高ｋ电介质，保形地沉积在所述间隔物之间的衬底上；凹入功函数金属，其在高ｋ电介质上并沿着所述间隔物的侧壁的一部分保形地沉积；第二功函数金属，保形地沉积在凹入功函数金属上；以及电极金属，沉积在第...

本发明的一些实施例包括支座和附着到所述支座的至少一个管芯之间的连接结构。所述管芯包括位于所述管芯的表面上的若干管芯接合焊盘。所述连接结构包括多个通孔和沟槽组合。在所述通孔和沟槽组合中形成导电材料，以提供所述管芯接合焊盘和所述支座上的接合...

一种在第一类晶体管上选择性地形成间隔体的方法以及通过这种方法形成的器件。该方法可以包括：在其上设有不同种类的晶体管的衬底上沉积保形的第一沉积层；向至少一类晶体管沉积阻挡层；对第一沉积层进行干法蚀刻；去除阻挡层；在衬底上沉积保形的第二沉积...

一种微电子器件及其形成方法。所述方法包括：晶体管栅极；分别与所述栅极的第一侧和第二侧相邻的第一隔离物和第二隔离物；与所述栅极下方相邻的扩散层；与所述扩散层上方相邻并且与所述第一隔离物和第二隔离物相邻的接触区；与所述栅极上方相邻并且位于所...