本发明涉及一种散热器，所述散热器包括散热器主体，所述散热器主体包括一些散热模片和一个腔，所述腔用于容纳相变材料和多个颗粒，用以在散热器运行过程中增强相变材料的混合。在运行中，散热器主体将热能传导给相变材料。在相变材料的相变过程中的能量被...

形成ＭＯＳ集成电路的方法，该ＭＯＳ集成电路具有至少两种各有不同阈值电压的ＮＦＥＴ和至少两种各有不同阈值电压的ＰＦＥＴ，该方法包括在衬底中形成至少四个有源区，每个区具有不同的掺杂分布。常规双阈值电压ＣＯＭＳ工艺被修改为仅用一个附加的掩模注...

一种用于微处理器的散热装置，其包括导热基部，该导热基部具有多个从导热基部向上延伸的翅片构件。多个具有第一表面的翅片构件包括多个表面积增大构件，使得对于给定体积的散热装置增大了该散热装置的对流表面积，以加强发自该散热装置的热散逸。

一种电容部件，其包含嵌入在组件的核芯层中的一个或多个电容，该组件具有安装在其上的集成电路（ＩＣ）。每个嵌入式电容具有多对第一和第二电极并且该组件核芯层具有散开在电极对上并与其连接的多组第一和第二通路。该核芯层上面有金属层，该金属层包括具...

一种用于抛光具有第一硬度的第一材料的浆料，其中该第一材料覆盖着一种具有第二硬度的第二材料并且第二硬度大于第一硬度，包括一种其硬度大于第一材料但小于第二材料的研磨剂。在本发明的一个具体实施方案中，以一种有硬度大于铜但小于铜扩散保护层的研磨...

一种微电子结构包括至少一个属于第一导电型的源／漏端，所述源／漏端与属于第二导电型的半导体材料区域部分隔离。根据本发明的再一方面，一种用于形成如ＭＯＳＦＥＴ等的微电子结构的方法，所述结构具有至少一个属于第一导电型的源／漏端，其被与第二导电...

本发明涉及用于器件的输入／输出及其制造方法。本发明的输入／输出包括其上形成有球限定冶金结构的焊盘，和球限定冶金结构上形成的凸起。本发明的一个实施例中，球限定冶金结构包括含有镍－钒－氮的第一膜。本发明的第二实施例中，球限定冶金结构包括含有...

为了适应与高性能集成电路相关的高功率密度，热通过可焊热界面从芯片的表面散发到盖或集成的散热器。在一个实施例中，芯片通过Ｃ４和焊盘栅格阵列结构安装到有机基板上。当进行加热时，由于芯片和有机基板之间的热膨胀系数差异而使封装翘曲最小的同时，为...

本发明是一种介质薄膜及其制作方法。本发明的介质薄膜包括硅、氧、氟和氮，其中层间介质包括０．０１％－０．１％粒子的氮。

本发明提供一种将集成电路芯片连接到衬底的方法。该方法包括将焊料块施加到接触区，并将倒置的集成电路芯片置于所需位置，使得焊料块与集成电路芯片和衬底的接触区相接触。然后将焊料块加热以将芯片固定，使得焊料块则形成衬底和集成电路之间的连接。将一...

本发明涉及具有用于输入／输出的分段球限定冶金结构的器件的新布图和新工艺。第一实施例中球限定冶金结构分成两段。这些分段相互靠近，而且连接到相同的上层凸起。第二实施例中，每个球限定冶金结构分成两个以上的分段。第三实施例中，每个分段电连接到一...

一种热界面，其包括网格框架，该网格框架具有涂覆在其上的导热界面材料。该热界面设置在热源和散热装置之间，其中导热材料优选为在该热源的温度下或在低于该热源的温度下熔化。

一种微电子封装，包括设于微电子封装芯体的开口内的微电子芯片，其中将一封装材料设于所述开口的未被所述微电子芯片占据的部分内。然后在微电子芯片、封装材料和微电子封装芯体上制造介电材料和导电轨迹的叠加层，从而形成微电子封装。

一种电子封装（３０２，图３）包括埋置在封装的一个或多个层（３１０）中的一个或多个电容器（３０８）。该埋置电容器使分立元件，如集成电路电容器（图１７－１８）或陶瓷电容器。在封装组装工艺期间，电容器安装于（４１０，图４）封装层，非导电层施加...

一种方法，包括： 在第一导电层内形成一对导电条，所述导电条被一间隙分开； 使一导体在所述第一导电层内延伸通过所述间隙；以及 在一第二导电层内形成一导电桥接器，该桥接器与所述导体绝缘地将所述第一和第二条电连接起来。

把一种微电子芯片与一个封装衬底对齐，并使用焊球将微电子芯片附接于封装衬底。使用一种导热的粘合剂，把一个特定形状的热扩散器（较佳的做法是令热扩散器的热膨胀系数（ＣＴＥ）类似于硅的ＣＴＥ）附接于芯片的后侧。使用一种施与工艺或传递模塑工艺，通...

一种制造包括具有位于密封微电子管芯（１０２）和围绕着微电子管芯的其它封装材料（１１２）上的导电迹线（１２４）的组合层（１１８，１２４，１３６）的微电子封装的封装技术，其中防湿结构与导电迹线同时形成。代表性的微电子封装包括具有有效面和至少...

互补金属氧化物半导体晶体管形成在硅基片上。基片具有｛１００｝结晶取向。形成在基片上的晶体管的取向，是使电流在晶体管沟道内方向。此外，在沟道上还施加纵向拉应力。

在本发明的一个实施例中，一个整体电容包括一个电源层，一个接地层和一个绝缘层。该电源层有一个电源面和一个第一周线。该电源层把电源连接到工作在基频的集成电路信号上。该第一接地层有一个第一接地平面和第一接地周线。该第一接地层把地连接到信号上。...

一种方法包括在一接触点（１２０）上面在穿过一层电介质的一个窗孔中引入一互连结构，并经一种化学引发的氧化－还原反应引入一导电的分路材料（１８０）。一种方法包括在一接触点上面在穿过一层电介质的一个窗孔中引入一互连结构，在互连结构露出的表面上...