本发明公开了一种防止横向氧化穿过对氧扩散高度可渗的诸如高ｋ栅电介质的栅电介质的方法和装置。根据本发明的一个实施例，在衬底上形成栅极结构，该栅极结构具有氧可渗栅电介质。然后在该栅极结构的侧壁上形成氧扩散阻挡层，以防止氧横向扩散到氧可渗栅电...

本发明包括一种方法，该方法包括如下步骤：提供一个第一衬底；形成一个覆盖第一衬底的绝缘体；在绝缘体中形成一个开口；在开口中以及绝缘体上形成一个导体；用第一化学机械抛光工艺除掉绝缘体上的导体，以便留下在开口中的导体；以及用第二化学机械抛光工...

本发明描述了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上形成电介质层，并且在电介质层上形成含杂质金属层。然后由该含杂质金属层形成金属栅电极。本发明还描述了一种半导体器件，所述半导体器件包括形成在电介质层上的金属栅电极，其中所述电介...

一种可使用单一的、杯状相变材料（１８）形成的相变材料存储器单元（１０）。该杯状相变材料（１８）的内部可使用热绝缘材料（２２）填充。结果是，可通过该杯状相变材料（１８）减少在一些实施例中的向上的热损失以及相变材料（１８）和装置（１０）的剩...

为了与高性能集成电路相关的高功率密度相适应，集成电路封装包括一种散热结构，其中热从一个或多个管芯（４０）的表面通过由金刚石、合成金刚石或石墨形成的大容量热接触面（１１０）散热到集成散热器（ＩＨＳ）。在一个实施例中，在ＩＨＳ（１２２）上生...

本发明的实施例涉及一种聚合物存储器设备及其制造方法。该存储器设备可以包括根据各个实施例提出表面工程技术需要的复层或者单层铁电性聚合物存储器。该铁电性聚合物存储器结构可以包括晶态铁电性聚合物层，例如单聚合物和共聚合物的组合物。该结构可以包...

在半导体晶片上的钝化层上形成扩大的焊盘，再将晶片切割成单独的电路芯片。切割后，封装各个芯片，方法是：将每个芯片固定在封装件核心中，并在结果组件上制成一层或多层金属化层。在至少一个实施例中，利用受控致密芯片连接（Ｃ４）处理的高熔融温度交替...

一种微电子封装件制造方法，包括将至少一个微电子管芯连附到一散热器并将所述微电子管芯／多个管芯封装于其上，还可以包括使微电子封装芯靠接该散热器，其中微电子管芯／多个管芯处于所述微电子封装芯内的至少一个开口中。在封装后，可以制造多个增加层以...

模块化ＣＰＬ冷却系统将热量从底座中的高功率电路组件（２２）传递到底座内部或外部的其他位置，在该位置处可以更容易地排除热量。所述ＣＰＬ冷却系统包括一个或多个蒸发器（１０），其通过活动的液体传输线路和蒸汽传输线路（１６、１４）连接到一个或多...

本发明描述了一种用于将电子部件热耦合到导热构件的热界面材料。该热界面材料包括粘弹性聚合物基体材料、处于基体材料中的可熔焊料粒子以及处于基体材料中的填料粒子。焊料粒子的熔融温度低于选定的温度（例如对于铟的１５７℃），填料粒子的熔融温度明显...

一种开放式位线的动态随机存取存储器（ＤＲＡＭ）结构，它使用了多层位线配置，以减小器件内开关位线之间的耦合。在一种方式中，一排ＤＲＡＭ单元中的每个后续单元都连接到一个不同于这排单元内前一个单元的金属化层上的位线段上。为了进一步减小噪声耦合...

将引脚（１８）连接到微电子封装基底（１０）的焊点（２４）被封闭材料（１４）掩盖。这样，即使引脚焊料随后熔化了，也可以限制引脚的移动。

本发明公开了一种装置，所述装置包括：应变衬底；位于应变衬底上方的器件，所述器件包括沟道，所述应变衬底在基本垂直于所述沟道中电流的方向的方向上使所述器件发生应变。

本发明公开了一种装置，所述装置包括：定义出所述装置的内部的衬底；比所述衬底更靠外部的器件，所述器件包括栅电极；和比所述器件更靠外部且比所述衬底更靠外部的应变层。

通过组合使用热量和压力以接合倒装芯片的电路小片并使不流动的底层填料固化，可实现高屈服、高可靠性的倒装芯片的集成电路插件。该底层填料包括填料或低热膨胀系数的材料，以便降低固化后的底层填料的热膨胀系数。该底层填料包括填料，该填料可从包括硅石...

集成电路上的铜合金互连线的制备，包括将铜镀到种层上，所述的铜中，搀杂元素的浓度可以控制，从而使得铜互连线的核心部分中搀杂元素的浓度较低，而铜互连线的表面部分中搀杂元素的浓度更高。铜合金在不同的电流密度下被镀上，以提供富含搀杂元素的界面。...

本发明公开了一种形成纳米线的方法。在形成在衬底上的第一电介质层上沉积具有第一尺寸的纳米线。在纳米线的第一区域上方沉积具有牺牲电介质层和牺牲栅电极层的牺牲栅极堆叠，暴露出纳米线的第二区域和第三区域。在牺牲栅极堆叠的每一个侧面上沉积第一隔片...

一种装置，其包括具有表面的管芯，所述管芯包括：导电凸起的阵列；以及多个处于导电凸起阵列内的导电条。

根据本发明方法的实施例，牺牲层提供蚀刻速度改进以便用公共的蚀刻工艺有效地将具有不同材料的多个半导体器件蚀刻到公共层或衬底。蚀刻去除第二露出部分的时间可与蚀刻去除第一露出部分的时间相比，且牺牲层淀积在第一露出部分上并具有基本等于该差值的蚀...

为了接入光波导光芯而形成一井形孔，通过一种工艺使得井形孔具有Ｌ形状。然后将聚合物填充进Ｌ形的井形孔中。通过控制井形孔每个部分的尺寸，来减少井形孔中气泡和切口的发生。