一种用于从集成电路器件中汲取热量的增强的散热装置，包括具有上下外表面区域的导热的芯子。所述装置还包括沿径向延伸的针状散热片结构的第一阵列。所述第一阵列和上表面区域呈热连接，使得在芯子和第一阵列周围引入的冷却介质在芯子和第一阵列周围产生一...

一种释放存在于封装内的压力的装置和方法，所述封装包括：一衬底，一管芯连附到该衬底上，从而该衬底在管芯和封装的外部之间提供电连接；一封盖；和以具有至少一个缺口的图形安置在衬底和封盖之间的密封剂。

一种铜抛光浆料可以通过将下列物质组合在一起而形成：螯合有机酸缓冲体系，如柠檬酸和柠檬酸钾；研磨剂，如胶体二氧化硅。这种铜抛光浆料在集成电路的制造中很有用，具体地说，在铜和铜扩散阻断层的化学机械抛光中很有用。另一种铜抛光浆料可通过进一步与...

一种多孔介质，诸如低介电常数薄膜，可以被制成聚集材料来在提供一个暂时增加的机械强度。这可以通过，例如多孔介质的前序调整处理实现。通过向多孔介质的空隙组分引入辅助成分，机械特性被暂时提高以便使多孔薄膜具有类似于更坚硬的薄膜的机械特性。根据...

一种方法，包括：　　　　在一衬底之上形成导电材料；　　　　去除该导电材料的一部分以便由该导电材料形成两个电极，其中该两个电极分开一亚光刻距离；以及　　　　在该两个电极之间形成相变材料。

一种设备，包括：　　　　电极；　　　　粘合材料；　　　　在该电极和该粘合材料之间的电介质材料，其中该粘合材料的一部分、该电介质材料的一部分和该电极的一部分形成一基本上平坦的表面；以及　　　　在该基本上平坦的表面上的相变材料，并且该相变材...

一种装置，包括：衬底之上的相变材料；耦连至相变材料的开关材料，其中开关材料包括除了氧之外的硫属元素，且其中开关材料和相变材料形成衬底之上的部分垂直结构。

一种散热器件（１０２），包括整体式载荷对中机构（１１６），所述载荷对中机构适合于为弹簧夹（１０４）和该散热器件之间的接触提供位置。载荷对中机构（１１６）位于散热器件上的一个区域中，当弹簧夹对散热器件施加力时，所述区域将向微电子管芯提供对...

一种微电子封装，包括设置在微电子封装核心的开口内的至少一个微电子管芯，其中通过处于开口内未被微电子管芯占据的部分中的分配针来注射液体密封材料。密封材料随后固化。那么在微电子管芯、密封材料和微电子封装核心上制造介质材料和导电迹线的互连层，...

本发明描述了接合芯片与基片的倒装芯片方法。热压缩接合器被用来对准芯片与基片，并施加一个接触力以将基片上的焊料凸块与芯片上的金属凸块保持在一起。芯片由接合器头中的脉冲加热器从它的非工作面进行快速加热直至达到焊料凸块的回流温度为止。在接近达...

本发明公开了一种半导体器件，包括形成在衬底上的半导体主体，其具有顶表面和横向相对的侧壁。在半导体主体的顶表面上以及半导体主体的横向相对的侧壁上形成栅极电介质层。在半导体主体的顶表面上的栅极电介质上以及与半导体主体的横向相对的侧壁上的栅极...

本发明描述了一种用于制造半导体器件的方法。此方法包括在衬底上形成电介质层，所述电介质层所具有的介电常数大于二氧化硅的介电常数。在电介质层上形成绝缘层，所述绝缘层与电介质层和将被形成在绝缘层上的栅电极相兼容，并且然后在所述绝缘层上形成栅电极。

本发明涉及一种形成紧凑双极型结式晶体管（ＢＪＴ）的工艺，包括形成邻近发射极堆叠和隔离结构的自对准集电极分接头。由设置在衬底内的外延硅形成基极层。

本发明提供了一种用于增强在低介电常数（低ｋ）电介质层上ＣＶＤ或ＡＬＤ沉积的膜／层的成核和／或附着的方法，所述低ｋ电介质层例如为聚合物电介质或掺碳氧化物。在一个实施例中，所述方法包括向沉积室中提供衬底。在衬底上方形成具有活性组分的电介质层...

一种微电子衬底，包括至少一个设置在微电子衬底核心的开口内的微电子管芯，其中在开口中未被微电子管芯占据的部分内设置了密封材料，或者在没有微电子衬底核心下密封了多个微电子管芯。然后在微电子管芯、密封材料和微电子衬底核心（如果存在的话）上制造...

本发明涉及一种包括在衬底上形成拓扑结构的双极型结式晶体管（ＢＪＴ）的形成工艺。接着，在拓扑结构处形成隔片。外延硅的基极层形成在隔片上方的拓扑结构处。通过从隔片的外扩散，在衬底中形成漏流阻挡结构。接着，完成具有基极层和隔片的ＢＪＴ。

在集成电路制造中，一种用于电解电镀或无电电镀金属的处理衬底表面的方法和装置。在一个实施例中，所述方法包括在衬底上形成阻挡层（１６）。然后，在所述阻挡层上形成金属－晶种层（１７）。为了在所述金属－晶种层（１７）上形成钝化层（１８），所述方...

光导装置包括具有沿着基板纵向排列以形成多个ＲＧＢ三元组的ＲＧＢ发光二极管结构的ＬＥＤ阵列、以及具有相邻ＲＧＢ三元组的对应一个组而放置的多个小透镜结构的小透镜阵列。对于每个相应ＲＧＢ三元组，所述小透镜结构包括被移位到其相应ＲＧＢ三元组的多...

机械加强多孔隙、低ｋ介电材料，使得能够使用这些低ｋ材料作为高级集成电路中的层间电介质，例如那些在Ｃｕ大马士革互连技术中加入多孔隙ＩＬＤ材料的集成电路。使用这种机械加强的ＩＬＤ的集成电路通常包括具有在其中互连的电气元件的基底、放置在基底上...

通过设置具有端的小片布置于基片表面上以便在小片和基片形成腔并在端和基片之间形成接触部来制造芯片引线框架。将化合物设置到所述表面，从而该化合物进入腔并在上基片表面上形成一层。该层可以向组件提供足够的刚性，其中可以蚀刻基片来制造引线框架。还...