自对准紧凑双极型结式晶体管布局及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种包括在衬底上形成拓扑结构的双极型结式晶体管（ＢＪＴ）的形成工艺。接着，在拓扑结构处形成隔片。外延硅的基极层形成在隔片上方的拓扑结构处。通过从隔片的外扩散，在衬底中形成漏流阻挡结构。接着，完成具有基极层和隔片的ＢＪＴ。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及集成电路的制造，更具体地，本专利技术涉及自对准器件设计的制造和实现紧凑双极型结式晶体管布局的工艺流程。
技术介绍
外延双极型结式晶体管(BJT)在基极的单晶/多晶边界处存在有缺陷。这些缺陷可能包括错配位错(misfit dislocation)、堆垛层错(stackingfault)、螺旋位错等。这样的缺陷可能在BJT中引起不能接受的漏电流。如果缺陷足够大，则发射极与集电极之间甚至可能发生短路。图9说明了现有的BJT 10。BJT 10包括衬底12、设置在衬底12中的集电极结构14、埋层16和深沟槽隔离(DTI)结构18。BJT还包括浅沟槽隔离(STI)结构，所述浅沟槽隔离(STI)结构包括近-源极STI(源极STI)20，近-发射极STI(发射极STI)22和近-基极STI(基极STI)24。在衬底12上，形成包括单晶外延基极26和多晶外延基极28的外延层。发射极结构30设置在外延层上。由于结晶缺陷和其他原因，单晶外延基极26和多晶外延基极28之间的界面会出现漏流区32。减少漏流的一种方法是使用具有电绝缘作用的元素大量地掺杂单晶-多晶边界区域，以便封闭漏流区3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在衬底上方的至少一层中形成拓扑结构；在所述拓扑结构处形成隔片；在所述拓扑结构和所述衬底的上方以及在所述隔片上形成外延基极层；自所述隔片处，在所述衬底中形成漏流阻挡结构；以及在所述外延基 极层的上方形成双极型结式晶体管（ＢＪＴ）。

【技术特征摘要】
US 2001-12-10 10/013,2251.一种方法，包括在衬底上方的至少一层中形成拓扑结构；在所述拓扑结构处形成隔片；在所述拓扑结构和所述衬底的上方以及在所述隔片上形成外延基极层；自所述隔片处，在所述衬底中形成漏流阻挡结构；以及在所述外延基极层的上方形成双极型结式晶体管(BJT)。2.如权利要求1所述的方法，其中所述隔片是掺杂隔片。3.如权利要求1所述的方法，其中所述隔片是吸收器结构。4.如权利要求1所述的方法，其中所述拓扑结构选自在第一层中、在第一层和第二层中、以及在氧化物前置层和第一层和第二层中形成的垂直凸起。5.如权利要求1所述的方法，其中在衬底上方的至少一层中形成拓扑结构还包括由氧化物形成第一层。6.如权利要求1所述的方法，其中在衬底上方的至少一层中形成拓扑结构还包括形成第一层；以及由氮化物形成第二层。7.如权利要求1所述的方法，还包括在形成拓扑结构之前，在所述衬底上形成氧化物前置层，其中形成拓扑结构还包括由氧化物形成第一层；以及由氮化物形成第二层。8.如权利要求1所述的方法，还包括在形成拓扑结构之前，通过选自热生长和自然氧化物生长的工艺流程在所述衬底上形成氧化物前置层，其中形成拓扑结构还包括；由氧化物形成第一层；以及由氮化物形成第二层。9.如权利要求1所述的方法，其中形成所述外延基极层包括形成单晶硅外延基极和多晶外延基极。10.如权利要求1所述的方法，其中形成所述外延基极层包括形成单晶硅外延基极和多晶外延基极；并且其中通过选自低压化学气相沉积(LPCVD)、反应等离子体化学气相沉积(RCVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)及它们的组合的化学气相沉积(CVD)工艺流程，形成外延基极层。11.如权利要求10所述的方法，其中在约10-2Torr到约2×10-1Torr的压力范围内进行所述化学气相沉积工艺流程。12.如权利要求1所述的方法，还包括根据刻蚀工艺流程刻蚀所述第一层和第二层，其中所述第一层和第二层对所述刻蚀工艺流程具有不同的响应。13.如权利要求1所述的方法，还包括根据氧化工艺流程氧化所述第一层和第二层，其中所述第一层和第二层对所述氧化工艺流程具有不同的响应。14.一种在衬底上制造器件的方法，包括在所述衬底中形成用于所述器件的深沟槽隔离和浅沟槽隔离、埋层和集电极阱；在所述衬底上形成一层抗蚀材料；通过去除所述衬底的表面的一部分上的抗蚀材料层以暴露活性基极区，来定义所述器件的活性基极区；在所述基极区和所述抗蚀材料层上形成掺硼的氧化物膜；从所述活性基极区和所述抗蚀材料层上各向异性地去除所述掺硼的氧化物膜，在所述活性基极区的周边处留下邻近所述活性基极区的掺硼的氧化物膜的掺杂隔片；在所述抗蚀材料层上沉积外延多晶膜，并且在所述活性基极区上沉积外延晶体膜，其中所述外延多晶膜和所述外延晶体膜形成晶体/多晶体边界；以及使掺杂剂从所述掺杂隔片扩散到所述衬底之中，以隔离所述衬底和晶体/多晶体边界。15.如权利要求14所述的方法，还包括选择工艺流程集成，其中所述抗蚀材料层包括第一层和第二层；随后选择所述第一层和第二层，其中所述第一层和第二层选自第一氧化物层和第二氮化物层，第一氮化物层和第二氧化物层，第一氧化物层和第二氧化物层，第一氮化物层和第二氮化物层，第一无机物层和第二有机物层，第一有机物层和第二无机物层，第一有机物层和第二有机物层，以及第一无机物层和第二无机物层。16.如权利要求14所...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克博尔，沙赫里亚尔艾哈迈德，斯蒂芬钱伯斯，理查德格林，阿南德默西，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]