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本发明涉及一种包括在衬底上形成拓扑结构的双极型结式晶体管（ＢＪＴ）的形成工艺。接着，在拓扑结构处形成隔片。外延硅的基极层形成在隔片上方的拓扑结构处。通过从隔片的外扩散，在衬底中形成漏流阻挡结构。接着，完成具有基极层和隔片的ＢＪＴ。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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