【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到包含SiGe异质结双极晶体管的半导体器件的制造，晶体管包括诸如SiGeC异质结双极晶体管之类的双极晶体管。确切地说，本专利技术涉及到一种用非选择性外延生长方法来制造包含SiGe(C)异质结双极晶体管的半导体器件的方法，此方法包括下列步骤在衬底上形成绝缘层，在绝缘层上提供包括导电层的层结构，通过导电层腐蚀一个晶体管区域窗口，在晶体管区域窗口内淀积SiGe基区层，并包括用随后要被腐蚀的绝缘体填充晶体管区域窗口的步骤。以这种方式，本专利技术能够涉及到使用非选择性外延生长的SiGe(C)异质结双极晶体管，本征SiGe基区层被生长在窗口内成为包含热氧化物、硼掺杂的多晶硅、TEOS、以及非晶硅的叠层，其中，硼掺杂的多晶硅被用来形成非本征基区接触。从US-A-6169007可知这种工艺，US-A-6169007公开了一种制造自对准非选择性薄外延基区SiGe异质结双极晶体管的方法，其中，采用了TEOS或甩涂玻璃二氧化硅回腐蚀。此文件中公开的制造方式试图提供晶体管的制造，使之自对准于单个掩模，因为这能够得到器件面积较小而寄生问题降低了的晶体管。目前已知有二种不...
【技术保护点】
一种用非选择性外延生长方法来制造包含ＳｉＧｅ（Ｃ）异质结双极晶体管的半导体器件的方法，此方法包括下列步骤：在衬底上形成绝缘层以及在绝缘层上提供包括导电层的层结构，通过导电层腐蚀一晶体管区域窗口，在晶体管区域窗口内淀积ＳｉＧｅ基区层，并在上表面上形成绝缘体，以便填充晶体管区域窗口，其中，在填充步骤之前，氮化物层被形成作为晶体管区域窗口的内层。
【技术特征摘要】
EP 2002-5-29 02077112.71.一种用非选择性外延生长方法来制造包含SiGe(C)异质结双极晶体管的半导体器件的方法，此方法包括下列步骤在衬底上形成绝缘层以及在绝缘层上提供包括导电层的层结构，通过导电层腐蚀一晶体管区域窗口，在晶体管区域窗口内淀积SiGe基区层，并在上表面上形成绝缘体，以便填充晶体管区域窗口，其中，在填充步骤之前，氮化物层被形成作为晶体管区域窗口的内层。2.权利要求1所述的方法，还包括形成层状结构作为多层结构的一部分，包括导电层之后形成的绝缘层，且其中，氮化物层被形成在SiGe基区层上。3.权利要求2所述的方法，还包括清除形成在所述上表面上的所述绝缘体的上部并在使用形成在晶体管窗口区域内的氮化物作为掩模的情况下腐蚀SiGe基区层的步骤。4.权利要求3所述的方法，包括形成绝缘区以代替SiGe基区层的被腐蚀的上侧壁区的步骤。5.权利要求4所述的方法，还包括SiGe基区层的上侧壁区的再氧化步骤。6.前述各个权利要求中任何一个所述的方法，其中，在淀积SiGe基区层之前，选择性收集极区被注入在与晶体管窗口区域对准的衬底中。7.权利要求2-5中任何一个所述的方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：PHC马格尼，JJTM唐克斯，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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