制造单晶发射区的方法技术

结合使用选择和差别生长模式制造单晶发射区。步骤包括提供形成在具有相对的氧化硅侧壁（１２）的硅衬底（１６）上的沟槽（１４）；在沟槽中的硅衬底上选择性生长高掺杂单晶层（１８）；以及在沟槽的上面非选择生长硅层（２０），以便在氧化硅侧壁上形成非晶或多晶硅层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般性地涉及半导体制造，更具体地涉及一种。
技术介绍
单晶发射区在双极型晶体管中的使用显示出这是一种用来减小寄生电阻的有效结构。形成单晶发射区的挑战之一是在有源区中的硅上提供一个高掺杂区。在一种典型的现有技术的方法中，在硅(Si)衬底上的两个氧化硅(SiO2)侧壁之间形成发射区窗口，在整个沟槽上设置n型掺杂(通常为1020-1021/cm3的P或As)的硅覆层，并加以处理进而形成(1)在氧化物区域上(即在沟槽的侧壁上面和上方)沉积非晶或多晶硅(a-Si)；以及(2)在有源区上(即在发射区窗口的底部上)生长单晶硅(c-Si)。不幸地是，这种技术有一些局限，包括a-Si层的厚度与c-Si层相关联这一事实。因此，难以单独地控制两个层的厚度。此外，a-Si层中的掺杂剂结合度高于c-Si层。这些局限加大了在c-Si层中制造高掺杂剂浓度的难度。再者，由于生长发生在氧化物区域，所以对于非常小的晶体管可能会发生一些气相抑制。最后，在发射区窗口的拐角处c-Si层的金属硅化(salicidation)较难。因此，需要一种改进的生长单晶发射区的方法。
技术实现思路
本专利技术通过结合使用选择和差本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生长双极晶体管的单晶发射区的方法，包括：提供形成在具有相对的氧化硅侧壁（１２）的硅衬底（１６）上的沟槽（１４）；在沟槽（１４）中的硅衬底（１６）上选择性生长高掺杂单晶层（１８）；以及在沟槽的上面非选择生长第二硅层（２０），以便在氧化硅侧壁上形成非晶或多晶硅层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-1-23 60/538,9091.一种生长双极晶体管的单晶发射区的方法，包括提供形成在具有相对的氧化硅侧壁(12)的硅衬底(16)上的沟槽(14)；在沟槽(14)中的硅衬底(16)上选择性生长高掺杂单晶层(18)；以及在沟槽的上面非选择生长第二硅层(20)，以便在氧化硅侧壁上形成非晶或多晶硅层。2.权利要求1所述的方法，其中选择性生长高掺杂单晶层的步骤是利用选择外延生长(SEG)实现的。3.权利要求2所述的方法，其中选择外延生长使用的前体选自由SiH2Cl2、SiH4、SiCl4、SiCl3、Si2H6、Si3H8、GeH4和SiH3CH3所构成的组。4.权利要求1所述的方法，其中非选择生长第二硅层的步骤是利用差别外延生长(DEG)实现的。5.权利要求1所述的方法，其中单晶层(18)基本上只生长在硅衬底上的有源区上。6.权利要求1所述的方法，还包括进行金属硅化处理的步骤，其所使用的硅化物选自由钛、钴和镍构成的组。7.权利要求1所述的方法，其中单晶发射区为n型掺杂，掺杂元素选自由磷(P)和砷(As)构成的组。8.一种在半导体晶片中形成高掺杂n型层的方法，包括提供由硅衬底(16)构成的第一有源区；提供由氧化硅(12)构成的第二区；在硅衬底上选择性生长高掺杂单晶层(18)；以及在硅衬底和氧化硅的上面非选择性生长第二硅层(20)，以便在氧化硅(12)上面形成非晶或多晶硅层。9.权利要求8所述的方法，其中选择性生长高掺杂单晶层的步骤是利用选择外延生长来实现...

【专利技术属性】
技术研发人员：P莫伊尼耶贝拉尔，P马涅，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]