晶体管制造的改进制造技术

在限定和围绕发射窗（１１０）的材料上形成氧化层（２２）。该技术包括将非均匀氧化层（２４）沉积在围绕材料上和发射窗（１００）内，由此，氧化层（２４）在发射窗（１００）内的至少一部分的厚度比在发射窗外的围绕材料上的氧化层（２４）的厚度小；以及将在所述发射窗（１００）内的氧化层（２４）的至少一部分去除，从而露出发射窗的底部的至少一部分，同时允许氧化层（２４）的至少一部分留在所述围绕材料上。该技术可以用于自对齐外延基ＢＪＴ（双极结晶体管）或者ＳｉＧｅ　　ＨＢＴ（异质结双极晶体管）的制造中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种晶体管制造的改进。本专利技术特别应用于制造双极结晶体管(BJT， a bipolar junction transistor)或者是异质结双极晶体管(HBT, a hetero junction bipolar transistor)。同时本专利技术不限于此，但本专利技术特别适 于自对齐外延基BJT或者SiGe HBT( self-aligned epitaxial base BJT or SiGe HBT)。
技术介绍
在一些晶体管的制造方法中形成发射窗(emitter window),然后需要 在发射窗的围绕的材料上形成氧化层，同时还需要使发射窗的底部不被氧 化层覆盖。在现有技术中己知有复杂的方法去实现这个目的。
技术实现思路
本专利技术创作了一种在发射窗周围的材料上提供氧化层的新方法，同时 保证发射窗底部的至少一部分不被氧化层覆盖。 一个或多个方面在独立权利要求中表述。附图说明参考附图，下面仅通过例子的方式对本专利技术的优选实施例进行说明， 其中图1显示了根据本专利技术的实施例的处理顺序的第一步骤。 图2显示了根据本专利技术的实施例的处理顺序的第二步骤。图3显示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在限定和围绕发射窗的材料上形成氧化层的方法，包括在所述围绕材料上和在所述发射窗内沉积不均匀的氧化层，由此，发射窗内的氧化层的至少一部分的厚度小于所述发射窗外的所述围绕材料上的氧化层的厚度；以及除去所述发射窗内的所述氧化层的至少一部分，以便露出所述发射窗的底部的至少一部分，同时允许所述氧化层的至少一部分保留在所述围绕材料上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】GB 2005-4-18 0507772.21.一种在限定和围绕发射窗的材料上形成氧化层的方法，包括在所述围绕材料上和在所述发射窗内沉积不均匀的氧化层，由此，发射窗内的氧化层的至少一部分的厚度小于所述发射窗外的所述围绕材料上的氧化层的厚度；以及除去所述发射窗内的所述氧化层的至少一部分，以便露出所述发射窗的底部的至少一部分，同时允许所述氧化层的至少一部分保留在所述围绕材料上。2. 如权利要求l所述的方法，其中，氧化层沉积后，氧化层在发射窗 底部的至少一部分上的厚度小于氧化层在所述围绕材料上的厚度。3. 如权利要求2所述的方法，其中，氧化层在发射窗的大致整个底部 上的厚度小于氧化层在所述围绕材料上的厚度。4. 如权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中，氧化层沉积后，氧化层在所述围绕材上的厚度比氧化层在发射窗的底部的所述部分上的 厚度大50%至300% ，优选的是大100%至200%。5. 如权利要求1至4中的任一项所述的方法，其中，氧化层在发射窗 的底部的所述部分上的厚度在50nm和150nm之间，优选的是在80nm至 120nm之间，更优选的是100nm。6. 如权利要求1至5中的任一项所述的方法，其中，氧化层沉积后， 氧化层在所述围绕材料上的厚度在200nm和300nm之间。7. 如权利要求1至6中的任一项所述的方法，其中，在除去所述发射 窗...

【专利技术属性】
技术研发人员：付军，
申请(专利权)人：XFAB半导体制造股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]