用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。该用于液晶显示装置的阵列基板包括：形成在包括像素区的基板上的数据线；从所述数据线延伸的源极；与所述源极分离的漏极；所述像素区中的像素电极，该像素电极接触所述漏极并由透明导电材料形成；所述源极和所述漏极上的有机半导体层；所述有机半导体层上的由有机绝缘材料制成的第一栅绝缘层；在包括所述第一栅绝缘层的所述基板的整个表面上的由无机绝缘材料制成的第二栅绝缘层；形成在所述第二栅绝缘层上并与所述数据线交叉以限定所述像素区的选通线；以及在所述第二栅绝缘层上从所述选通线延伸并与所述有机半导体层相对应的栅极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示(LCD)装置，更具体地说，涉及一种用于具 有由有机半导体材料制成的半导体层的LCD装置的阵列基板。
技术介绍
由于LCD装置具有重量轻、厚度薄且功耗低的特性，因此LCD装 置已广泛用作阴极射线管型显示装置的替代品。LCD装置利用液晶分子的光学各向异性和偏振特性来显示图像。液 晶分子细且长的形状导致它们的排列具有方向性。因此，可以通过向液 晶分子施加电场来控制它们的排列方向。特别的是，包括薄膜晶体管 (TFT)作为开关元件的LCD装置(称作有源矩阵LCD (AM-LCD)装 置)具有分辨率高和显示运动图像的优异特性。由于该LCD装置包括作 为开关元件的TFT，因此可以将其称作TFT-LCD装置。图1是传统LCD装置的分解立体图。如图1所示，LCD装置包括 第一基板12、第二基板22及液晶层30。第一基板12和第二基板22彼 此面对，液晶层30插入在它们之间。第一基板12包括选通线14、数据线16、 TFT Tr和像素电极18 等。选通线14和数据线16彼此交叉，以将形成在选通线14与数据线16 之间的区域限定为像素区P。 TFT Tr形成在选通线14与数据线1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于液晶显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：形成在包括像素区的基板上的数据线；从所述数据线延伸的源极；与所述源极分离的漏极；所述像素区中的像素电极，该像素电极接触所述漏极并由透明导电材料形成；所述 源极和所述漏极上的有机半导体层；所述有机半导体层上的由有机绝缘材料制成的第一栅绝缘层；位于包括所述第一栅绝缘层的所述基板的整个表面上的由无机绝缘材料制成的第二栅绝缘层；形成在所述第二栅绝缘层上并与所述数据线交叉以限定 所述像素区的选通线；以及位于所述第二栅绝缘层上、从所述选...

【技术特征摘要】
KR 2006-10-16 10-2006-01003611、一种用于液晶显示装置的阵列基板，该阵列基板包括形成在包括像素区的基板上的数据线；从所述数据线延伸的源极；与所述源极分离的漏极；所述像素区中的像素电极，该像素电极接触所述漏极并由透明导电材料形成；所述源极和所述漏极上的有机半导体层；所述有机半导体层上的由有机绝缘材料制成的第一栅绝缘层；位于包括所述第一栅绝缘层的所述基板的整个表面上的由无机绝缘材料制成的第二栅绝缘层；形成在所述第二栅绝缘层上并与所述数据线交叉以限定所述像素区的选通线；以及位于所述第二栅绝缘层上、从所述选通线延伸并与所述有机半导体层相对应的栅极。2、 根据权利要求1所述的基板，其中，所述有机绝缘材料具有光敏 特性。3、 根据权利要求2所述的基板，其中，所述有机绝缘材料包括光丙 稀和聚乙烯醇中的一种。4、 根据权利要求1所述的基板，其中，所述无机绝缘材料包括二氧 化硅和氮化硅中的一种。5、 根据权利要求1所述的基板，其中，所述像素电极与所述选通线 交叠，并且所述第二栅绝缘层插入在所述像素电极与所述选通线之间。6、 根据权利要求5所述的基板，其中，所述第二栅绝缘层比所述第 一栅绝缘层薄。7、 根据权利要求1所述的基板，所述第一栅绝缘层具有与所述有机 半导体层的形状大致相同的形状。8、 根据权利要求1所述的基板，其中，所述透明导电材料包括氧化 铟锡和氧化铟锌中的一种。9、 根据权利要求1所述的基板，其中，所述有机半导体层包括并五 苯和聚噻吩中的一种。10、 根据权利要求1所述的基板，该基板还包括在所述基板与所述 源极和所述漏极之间的具有亲水特性的缓冲层。11、 根据权利要求1所述的基板，该基板还包括所述选通线和所述 栅极上的钝化层。12、 一种制造用于液晶显示装置的阵列基板的方法，该方法包括以 下步骤在包括像素区的基板上形成数据线、源极和漏极，其中所述源极从 所述数据线延伸，并且其中所述源极和所述漏极彼此分离；形成接触所述漏极并布置在所述像素区中的由透明导电材料制成的像素电极；在所述源极和所述漏极上形成有机半导体层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁埈荣，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]