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在限定和围绕发射窗（１１０）的材料上形成氧化层（２２）。该技术包括将非均匀氧化层（２４）沉积在围绕材料上和发射窗（１００）内，由此，氧化层（２４）在发射窗（１００）内的至少一部分的厚度比在发射窗外的围绕材料上的氧化层（２４）的厚度小；以及将...该专利属于X-FAB半导体制造股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过X-FAB半导体制造股份公司授权不得商用。
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在限定和围绕发射窗（１１０）的材料上形成氧化层（２２）。该技术包括将非均匀氧化层（２４）沉积在围绕材料上和发射窗（１００）内，由此，氧化层（２４）在发射窗（１００）内的至少一部分的厚度比在发射窗外的围绕材料上的氧化层（２４）的厚度小；以及将...