【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
US6,506,657公开了一种在沟槽中。第一层叠形成于半导体衬底上，第二层叠形成于第一层叠上。该沟槽包括 暴露半导体衬底的深沟槽部件和暴露深沟槽部件和第一层叠的浅沟槽部件。该深沟槽和浅沟槽部件通过应用两个独立的光刻掩模步骤而 形成，其中，深沟槽部件的一侧与浅沟槽部件的一侧一致。然后，对 深沟槽部件填充选择性生长外延硅。随后，非选择性生长外延硅层形 成于浅沟槽部件中在选择性生长外延硅以及第一层叠的暴露部分上， 从而形成集电极区域。然后，基极区域使用二氧化硅隔离物形成于集 电极区域上。然后，发射极区域形成于在集电极区域上延伸的基极区 域的一部分上。集电极区域在第一层叠上的集电极区域的一部分上被 接触。基极区域在与沟槽相邻的基极区域的一部分上被接触。这个方 法的缺点在于需要两个掩模步骤来形成在其中制造双极晶体管的沟 槽，以及需要另外两个掩模步骤来形成基极区域和发射极区域。另一 个缺点在于需要两个不同的外延生长步骤来形成集电极区域。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种通过一个掩模步骤在沟槽中制造双 极晶体管的方法。根据本专利技术，...
【技术保护点】
一种用于制造双极晶体管的方法，所述方法包括：在半导体衬底（１）上设置层叠，所述层叠包括：所述半导体衬底（１）上的第一隔离层（２）、所述第一隔离层（２）上的第一半导体层（３）、所述第一半导体层（３）上的第二隔离层（４）、以及所述第二隔 离层（４）上的第二半导体层（５）；在所述层叠和所述半导体衬底（１）的一部分中形成第一沟槽（１１）和第二沟槽（１２），其中，所述第一沟槽（１１）和所述第二沟槽（１２）由突起（１４）进行分离，所述突起（１４）包括所述层叠的一部分以及所述 半导体衬底（１）的第一部分；去除所述半导体衬底（１）的第一部分，从而在所述第一沟槽（...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2005-4-29 05103583.01.一种用于制造双极晶体管的方法，所述方法包括在半导体衬底(1)上设置层叠，所述层叠包括所述半导体衬底(1)上的第一隔离层(2)、所述第一隔离层(2)上的第一半导体层(3)、所述第一半导体层(3)上的第二隔离层(4)、以及所述第二隔离层(4)上的第二半导体层(5)；在所述层叠和所述半导体衬底(1)的一部分中形成第一沟槽(11)和第二沟槽(12)，其中，所述第一沟槽(11)和所述第二沟槽(12)由突起(14)进行分离，所述突起(14)包括所述层叠的一部分以及所述半导体衬底(1)的第一部分；去除所述半导体衬底(1)的第一部分，从而在所述第一沟槽(11)和所述第二沟槽(12)之间形成下穿通道(18)，其中，所述下穿通道区域(18)暴露所述半导体衬底(1)的一部分；在所述半导体衬底(1)的暴露部分上形成集电极区域(21)以及在所述第一半导体层(3)和所述第二半导体层(5)的暴露部分上形成密封区域(22)，这两个区域均包括半导体材料，其中，所述集电极区域(21)填充所述下穿通道区域(18)并且所述密封区域(22)对所述第二沟槽(12)进行密封；形成在所述第一沟槽(11)中的...
【专利技术属性】
技术研发人员：菲利皮默尼耶贝亚尔，埃尔文海曾，约翰内斯JTM东科尔斯，弗朗索瓦纳耶，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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