硒化锡存储装置和制造该存储装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术揭示用于提供可对存储器装置进行有限次数编程的方法和设备。根据示范性实施例，存储器装置及其形成方法提供第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的含有硫属化物或锗的材料层。所述存储器装置进一步包含位于所述含有硫属化物或锗的材料层与所述第二电极之间的锡硫属化物层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及存储器装置的领域，且特定来说涉及可编程有限次数的存储器装置。
技术介绍
已经研究了包含可编程导电随机存取存储器(PCRAM)元件的电阻可变存储器元件 作为半易失性和非易失性随机存取存储器元件的适用性。转让给Micron Technology, Inc. 的第6,348,365号美国专利中揭示了示范性PCRAM装置。PCRAM装置通常包含硫属化物玻璃作为活性切换材料。将例如银的导电材料并入硫 属化物玻璃从而产生导电通道。在装置的操作期间，导电通道可接收和排出金属离子(例 如，银离子)以通过后续编程电压(例如写入和擦除电压)来对存储器元件的特定电阻 状态(例如，较高或较低电阻状态)进行编程。在移除编程电压之后，经编程的电阻状 态可保持完整历时一段时间，通常在数小时到数周的范围内。由此，典型的基于硫属化 物玻璃的PCRAM装置充当具有定义两个相应逻辑状态的至少两个电阻状态的可变电阻 存储器。一个示范性PCRAM装置使用硒化锗(即，GexSe1()()-x)硫属化物玻璃作为主要部分 以及银(Ag)和硒化银(Ag2+/-xSe)。例如参见转让给Micron Technolog本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器装置，其包括：第一电极；第二电极；硫属化物或半金属材料的材料层，其位于所述第一电极与所述第二电极之间；以及锡硫属化物层，其位于所述硫属化物材料层与所述第二电极之间，所述锡硫属化物层的厚度与所述材料层的厚度之比小于约４∶３。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-2-23 11/062,4361.一种存储器装置，其包括第一电极；第二电极；硫属化物或半金属材料的材料层，其位于所述第一电极与所述第二电极之间；以及锡硫属化物层，其位于所述硫属化物材料层与所述第二电极之间，所述锡硫属化物层的厚度与所述材料层的厚度之比小于约4∶3。2. 根据权利要求l所述的存储器装置，其中所述材料层包括硫属化物玻璃。3. 根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述材料层包括晶体硫属化物材料。4. 根据权利要求l所述的存储器装置，其中所述材料层是锗层。5. 根据权利要求l所述的存储器装置，其中所述材料层包括碲化锗。6. 根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述材料层包括GexSe,(K^。7. 根据权利要求5所述的存储器装置，其中GexSe1TO.x具有在约Ge33Se67到约Ge6()Se40 之间的化学计量。8. 根据权利要求l所述的存储器装置，其进一步包括位于所述锡硫属化物层与所述第 二电极之间的金属层。9. 根据权利要求l所述的存储器装置，其中所述金属层包括银。10. 根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述锡硫属化物层包括Sn1+,-xSe，其中x 在约1与约O之间。11. 根据权利要求l所述的存储器装置，其中所述锡硫属化物层包括碲化锡。12. 根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一和第二电极中的至少一者包括鸽。13. 根据权利要求l所述的存储器装置，其中所述第二电极是在所述含金属层上且包括 银。14. 根据权利要求l所述的存储器装置，其中所述材料层和所述锡硫属化物层提供在绝 缘层中的通路内。15. 根据权利要求l所述的存储器装置，其中所述材料层和所述锡硫属化物层是衬底上 的覆盖层，且其中所述第二电极界定存储器元件的位置。16. 根据权利要求l所述的存储器装置，其中所述材料层的厚度和所述锡硫属化物层的 厚度使得所述存储器装置可编程有限次数。17. 根据权利要求l所述的存储器装置，其中所述材料层的厚度和所述锡硫属化物层的 厚度使得一旦所述存储器装置经编程，其就不可擦賒。18. 根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述材料层的厚度为约300 A，且所述锡 硫属化物层的厚度在约100 A到约400人之间。19. 根据权利要求18所述的存储器装置，其进一步包括位于所述锡硫属化物层与所述 第二电极之间的金属层，所述金属层具有约300 A到约500人的厚度。20. 根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述材料层的厚度在约100人到约1000 A 之间。21. 根据权利要求l所述的存储器装置，其中所述锡硫属化物层的厚度与所述材料层的 厚度之比在约l:3与约4:3之间。22. —种存储器装置，其包括衬底；导电地址线，其在所述衬底上； 第一电极，其在所述导电地址线上；晶体硫属化物材料层，其在所述第一电极上； 锡硫属化物层，其在所述晶体硫属化物材料层上；以及 第二电极，其在所述含金属层上。23. 根据权利要求22所述的存储器装置，其进一步包括位于所述锡硫属化物层与所述 第二电极之间的金属层。24. 根据权利要求22所述的存储器装置，其中所述晶体硫属化物材料层的厚度和所述 锡硫属化物层的厚度使得所述存储器装置可编程有限次数。25. 根据权利要求22所述的存储器装置，其中所述锡硫属化物层的厚度与所述晶体硫 属化物材料层的厚度之比小于约4:3。26. —种存储器装置，其包括衬底；导电地址线，其在所述衬底上； 第一电极，其在所述导电地址线上； 锗层，其在所述第一电极上； 锡硫属化物层，其在所述锗层上；以及 第二电极，其在所述含金属层上。27. 根据权利要求26所述的存储器装置，其进一步包括位于所述锡硫属化物层与所述 第二电极之间的金属层。28. 根据权利要求26所述的存储器装置，其中所述锗层的厚度和所述锡硫属化物层的 厚度使得所述存储器装置可编程有限次数。29. 根据权利要求26所述的存储器装置，其中所述锡硫属化物层的厚度与所述锗层的 厚度之比小于约4:3。30. —种处理器系统，其包括处理器；以及存储器装置，其经配置以可编程有限次数，所述存储器装置包括 第一电极； 第二电极；硫属化物或半金属材料的材料层，其位于所述第一电极与所述第二电极之间； 以及锡硫属化物层，其位于所述硫属化物材料层与所述第二电极之间，所述锡硫属 化物层的厚度与所述材料层的厚度之比小于约4:3。31. 根据权利要求30所述的处理器系统，其中所述材料层包括硫属化物玻璃。32. 根据权利要求30所述的处理器系统，其中所述材料层包括晶体硫属化物材料。33. 根据权利要求30所述的处理器系统，其中所述材料层是锗层。34. 根据权利要求30所述的处理器系统，其进一步包括位于所述锡硫属化物层与所述 第二电极之间的金属层。35. 根据权利要求34所述的处理器系统，其中所述金属层包括银。36. —种形成存储器装置的方法，所述方法包括以下动作提供衬底；在所述衬底上形成第一电极； 在所述衬底上形成第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间形成硫属化物或半金属材料的材料层；以及 在所述硫属化物材料层与所述第二电极之间形成锡硫属化物层，将所述材料层和所述锡硫属化物层形成为使得所述锡硫属化物层的厚度与所述材料层的厚度之比小于约4:3。37. 根据权利要求36所述的方法，其中形成所述材料层包括形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯蒂A坎贝尔，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]