一种降低HVLDNMOS截止电流的方法技术

一种有效降低ＨＶＬＤＮＭＯＳ截止电流的方法利用高压Ｐ阱注入的掩膜进行注入，使栅极下方有源区的边缘区都进行了Ｐ型离子注入。截断了因栅氧化层边缘厚度减少而产生的寄生晶体管，从而降低了ＬＤＮＭＯＳ器件的截止电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路(Integrated Circuit, IC)制造过程，特别涉 及U^MOS (横向扩散N型金属氧化物半导体晶体管)的制造过程.
技术介绍
HV LDNMOS (High voltage Laterally Diffused N type Metal Oxide semiconductor,高压横向扩散N型金属氧化物半导体晶体管)便被广泛使 用在TFT —IXD (Thin Film Transistor-liquid crystal Display,薄膜 晶体管液晶显示屏)的驱动芯片中。而目前HV LDMOS器件仍然有截至电 流和双峰特性方面的问题。而作为手机显示屏的驱动电路中的芯片，低功 耗是基本的要求并且是一个主要的评价指标。所以，有低漏电流性能的器 件在低功耗产品中有非常大的需求。但由于HVLDNMOS制造过程，靠近STI (Shallow Trench Isolation, 浅沟隔离)边缘处的栅氧化层总会比栅氧化层的中间部位薄很多，参见图 1。这样所制成的HVLD腿OS管的与STI部位交接的转角处的栅氧化层较薄， 该部位的开启电压降低。因而在靠近S本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有效降低ＨＶＬＤＮＭＯＳ截止电流的方法，含有离子注入工艺，其特征在于利用高压Ｐ阱注入的掩膜进行注入，使栅极下方有源区的边缘都进行了Ｐ型离子注入。

【技术特征摘要】
1.一种有效降低HVLDNMOS截止电流的方法，含有离子注入工艺，其特征在于利用高压P阱注入的掩膜进行注入，使栅极下方有源区的边缘都进行了P型离子注入。2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于权利要求1所述的离子注入 的方向与竖直方向成25。 45° 。3. 如权利要求2所述的方法，其特征在于离子注入有四次，分别是从 与竖直方向偏前25。 45° 、与竖直方向偏后25。 45° 、与竖直方向 偏左25° 45°以及与竖直方向偏右25。 45°四个方向进行注入4. 如权利要求3所述的方法，其特征在于注入使用的是B离子。5. 如权利要求4所述的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭兵，崔崟，金起凖，程超，梅奎，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]