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本发明揭示用于提供可对存储器装置进行有限次数编程的方法和设备。根据示范性实施例，存储器装置及其形成方法提供第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的含有硫属化物或锗的材料层。所述存储器装置进一步包含位于所述含有硫属化物或锗的材...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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