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公开了一种在第一沟槽（１１）中制造双极晶体管的方法，其中，仅仅应用一个光刻掩模来形成第一沟槽（１１）和第二沟槽（１２）。在第一沟槽（１１）和第二沟槽（１２）中自对齐形成集电极区域（２１）。基极区域（３１）自对齐形成于第一沟槽（１１）中的集电...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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