【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体集成电路制造
，尤其涉及背栅MOS晶体管结构及其制作方法和应用。本专利技术的另一目的是提供一种能实现自对准背栅MOS晶体管结构的集成电路制作方法。本专利技术的又一目的是提供所述自对准背栅MOS晶体管结构在静态随机存储器中的应用。本专利技术的技术方案如下背栅MOS晶体管，包括栅电极、侧墙介质层、栅介质层、源漏重掺杂区和源漏轻掺杂区构成的源漏区，沟道区。所述源漏区和沟道区掺杂与所述栅电极相互自对准；所述源漏区的重掺杂区与沟道区之间存在与所述栅电极自对准的且对称的轻掺杂区；所述源漏区厚而沟道区薄。背栅MOS晶体管的制作方法，包括以下步骤1.采用常规CMOS工艺在硅衬底上制成底层器件直至背栅电极形成；2.LPCVD淀积一二氧化硅层并进行各向异性回刻形成侧墙，接着热氧化生长背栅介质层；3.淀积一非晶硅薄膜并对此进行再结晶处理(再结晶处理也可移至下述第5步的化学机械抛光后进行)，该非晶硅薄膜应尽可能厚以保证要形成的源漏区具有可接受的低寄生电阻，同时还须保证在下述第5步的化学机械抛光后形成的沟道区厚度满足设计要求；接着对此薄膜进行无掩膜离子注入掺...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.背栅MOS晶体管，包括栅电极，侧墙介质层，栅介质层，源漏重掺杂区和源漏轻掺杂区构成的源漏区，沟道区，其特征在于，所述源漏区和沟道区掺杂与所述栅电极相互自对准；所述源漏区的重掺杂区与沟道区之间存在与所述栅电极自对准的且对称的轻掺杂区；所述源漏区厚而沟道区薄。2.背栅MOS晶体管的制作方法，包括以下步骤(1)采用常规CMOS工艺在硅衬底上制成底层器件直至背栅电极形成；(2)LPCVD淀积一二氧化硅层并进行各向异性回刻形成侧墙，接着热氧化生长背栅介质层；(3)淀积一非晶硅薄膜并对此进行再结晶处理，该非晶硅薄膜的厚度足以保证将要形成的源漏区具有可接受的低寄生电阻，同时还须保证在下述第(5)步的化学机械抛光后形成的沟道区厚度满足设计要求；接着对此薄膜进行无掩膜离子注入掺杂，该离子注入能量应尽可能低，以保证被掺杂膜的底部有足够的轻掺杂区来构成沟道区；本步骤中的再结晶处理移至下述第(5)步的化学机械抛光后进行；(4)淀积一氮化硅自停止层，并通过光刻和刻蚀使凸起区域显露；(5)以氮化硅作自停止层，对表面进行化学机械抛光，表面平坦化之后在背栅介质层...
【专利技术属性】
技术研发人员：张盛东，陈文新，黄如，刘晓彦，张兴，韩汝琦，王阳元，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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