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背栅ＭＯＳ晶体管，包括栅电极，侧墙介质层，栅介质层，源漏重掺杂区和源漏轻掺杂区构成的源漏区，沟道区，其特征在于，所述源漏区和沟道区掺杂与所述栅电极相互自对准；所述源漏区的重掺杂区与沟道区之间存在与所述栅电极自对准的且对称的轻掺杂区；所述源漏...
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