掩模的制造方法和半导体集成电路器件的制造方法技术

课题在于缩短掩模的制作时间。在用光刻胶膜构成遮光体的掩模ＲＭ的缺陷检查中，采用使用异物检查装置ＣＩＳ，读取对照射到掩模ＲＭ上的检查光的反射光、透过光或这两方的光学信息的办法，检查掩模ＲＭ上边的光刻胶图形的卷边、膜减薄、异物等这样的缺陷的有无。就是说，在掩模ＲＭ的检查中，可以不进行要求多的测定时间和高级技术的比较检查来进行缺陷检查。因此，可以简化掩模ＲＭ的检查工序，还可以缩短掩模的检查时间。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
专利说明掩模的制造方法和半导体 集成电路器件的制造方法 本专利技术涉及，特别是涉及在曝光技术中用之有效的技术。可以在曝光技术中使用的一般的掩模，具有在对曝光光束透明的掩模基板上边设置由铬等之类的金属膜构成的遮光图形的构造。其制造工序，例如有如下的工序。首先，向透明的掩模基板上边淀积曝光用的由铬等构成的金属膜，向其上边涂敷电子束感应光刻胶膜。接着，用电子束描画装置等向电子束感应光刻胶膜的规定部位照射电子束，使之显影以形成光刻胶图形。然后，采用以该光刻胶图形为刻蚀掩模对下层的金属膜进行刻蚀的办法，形成由金属膜构成的遮光图形。最后，除去剩下的电子束感应光刻胶膜制造掩模。但是，若使用该构成的掩模，由于存在着制造工序数多，造价高的问题或要用各向同性刻蚀加工遮光图形因而加工尺寸精度下降的问题。作为考虑到这些问题的技术，例如，在特开平5-289307号公报中公开了这样的技术利用通常的电子束感应光刻胶膜或光感应光刻胶膜对ArF准分子激光可使透过率为0％，用光刻胶膜构成掩模基板上边的遮光图形。另外，在株式会社工业调查会1996年8月20日初版第1次印刷发行的‘光掩模技术的故事’p63-p75中，对掩模的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模的制造方法，其特征在于：在用光刻胶膜构成对于曝光光束的遮光体的掩模的检查中，具有采用读取相对照射到掩模上的检查光的反射光、透过光或这两方的光学信息而不进行比较检查的办法，检查上述掩模的工序。

【技术特征摘要】
JP 2002-1-24 015525/2002;JP 2002-7-11 202071/20021.一种掩模的制造方法，其特征在于在用光刻胶膜构成对于曝光光束的遮光体的掩模的检查中，具有采用读取相对照射到掩模上的检查光的反射光、透过光或这两方的光学信息而不进行比较检查的办法，检查上述掩模的工序。2.根据权利要求1所述的掩模的制造方法，其特征在于用异物检查装置检查上述掩模。3.一种掩模的制造方法，其特征在于具有下述的工序(a)准备掩模基板的工序；(b)向上述掩模基板的第1主面上边淀积对于使用掩模的曝光处理中的曝光光束具有遮光性的光刻胶膜的工序；(c)在上述(b)工序后，读取检查照射到上述掩模基板上的检查光的反射光、透过光或这两方的光学信息的第1检查工序；(d)在借助于曝光处理把图形复制到上述掩模基板上边的光刻胶膜上之后，采用施行显影处理的办法形成光刻胶图形的工序；(e)在上述(d)工序后，以不进行比较检查的方式，读取检查照射到上述掩模基板上的检查光的反射光、透过光或这两方的光学信息的第2检查工序。4.根据权利要求3所述的掩模的制造方法，其特征在于在上述第1、第2检查工序中，使用异物检查装置。5.根据权利要求3所述的掩模的制造方法，其特征在于具有在上述第1检查工序中被判断为有缺陷的情况下，剥离上述光刻胶膜，使上述掩模基板进行再生的工序。6.根据权利要求3所述的掩模的制造方法，其特征在于具有在上述第2检查工序中被判断为有缺陷的情况下，剥离上述光刻胶图形，使上述掩模基板进行再生的工序。7.根据权利要求3所述的掩模的制造方法，其特征在于具有在上述第2检查工序中被判断为有缺陷的情况下，对缺陷进行修正的工序。8.根据权利要求3所述的掩模的制造方法，其特征在于在上述(d)工序后，(e)工序前，具有在上述掩模基板的第1主面一侧安装防护构件的工序。9.一种掩模的制造方法，其特征在于具有如下的工序(a)准备掩模基板的工序；(b)向上述掩模基板的第1主面上边淀积对于使用掩模的曝光处理中的曝光光束具有遮光性的光刻胶膜的工序；(c)在借助于曝光处理把图形复制到上述掩模基板上边的光刻胶膜上之后，采用施行显影处理的办法形成光刻胶图形的工序；(d)在上述(c)工序后，以不进行比较检查的方式，读取检查相对照射到上述掩模基板上的检查光的反射光、透过光或这两方的光学信息的检查工序。10.根据权利要求9所述的掩模的制造方法，其特征在于在上述检查工序中使用异物检查装置。11.根据权利要求9所述的掩模的制造方法，其特征在于具有在上述检查工序中被判断为有缺陷的情况下，剥离上述光刻胶图形，使上述掩模基板进行再生的工序。12.根据权利要求9所述的掩模的制造方法，其特征在于具有在上述检查工序中被判断为有缺陷的情况下，对缺陷进行修正的工序。13.根据权利要求9所述的掩模的制造方法，其特征在于在上述(c)工序后，上述(d)工序前，具有在上述掩模基板的第1主面一侧安装防护构件的工序。14.一种掩模的制造方法，其特征在于具有如下的工序(a)准备掩模基板的工序；(b)向上述掩模基板的第1主面上边淀积对使用掩模的曝光处理的曝光光束具有遮光性的金属膜的工序；(c)采用对上述金属膜进行加工的办法形成金属图形的工序；(d)检查上述(c)工序后的掩模的工序；(e)向上述掩模基板的第1主面上边淀积对于使用掩模的曝光处理中的曝光光束具有遮光性的光刻胶膜的工序；(f)在上述(e)工序后，读取检查照射到上述掩模基板上的检查光的反射光、透过光或这两方的光学信息的第1检查工序；(g)在借助于曝光处理把图形复制到上述掩模基板上边的光刻胶膜上之后，采用施行显影处理的办法形成光刻胶图形的工序；(h)在上述(g)工序后，以不进行比较检查的方式，读取检查照射到上述掩模基板上的检查光的反射光、透过光或这两方的光学信息的第2检查工序。15.根据权利要求14所述的掩模的制造方法，其特征在于在上述第1、第2检查工序中使用异物检查装置。16.根据权利要求14所述的掩模的制造方法，其特征在于具有在上述第1检查工序中被判断为有缺陷的情况下，剥离上述光刻胶膜，使上述掩模基板进行再生的工序。17.根据权利要求14所述的掩模的制造方法，其特征在于具有在上述第2检查工序中被判断为有缺陷的情况下，剥离上述光刻胶图形，使上述掩模基板进行再生的工...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川昇雄，早野胜也，久保真二，古泉裕弘，高谷洋宣，法元盛久，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，大日本印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]