半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体器件，包括具有槽的半导体衬底；埋入槽的下部而且含有绝缘粒子的粒状绝缘层；以及被覆粒状绝缘层上面的软溶性电介质层，绝缘粒子在软溶性电介质层的熔点或软化点是稳定的。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉参考本申请基于2002年4月30日在先申请的日本专利申请2002-127841号，并主张其优先权，该在先中请的全部内容作为参考引入本申请。就槽式隔离技术而言，在硅衬底这样的半导体衬底上用选择性蚀刻法形成槽(或沟)，并以硅氧化物等绝缘体埋入其中。例如，首先，在半导体衬底上形成硅氮化物层或硅氧化物层等的掩模材料层。其次，对该掩模材料层进行构图。接着，使用构图过的掩模材料层作为蚀刻掩模，通过蚀刻半导体衬底的表面区，在半导体衬底上形成槽。而后，在半导体衬底上，例如用CVD(chemical vapor Deposition化学气相淀积)法或溶液涂布(solution coating)法形成硅氧化物层等的绝缘层，并以绝缘体埋入槽内。进而，通过干式蚀刻法、CMP(Chemical Mechanical Polishing化学机械抛光)法等的技术使其绝缘层侧表面平坦化。这样一来，就形成隔离区。但是，在功率MOSFET(Field Effect Transistor场效应晶体管)这样的半导体器件中，有时形成巨大的槽。例如，有时形成宽度在3μm～15μm范围内而且深度在20～70μm范围内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征是具备：具有槽的半导体衬底；埋入上述槽的至少下部而且具备绝缘粒子的粒状绝缘层；以及被覆上述粒状绝缘层上面的软溶性电介质层，上述绝缘粒子在上述软溶性电介质层的熔点或软化点是稳定的。

【技术特征摘要】
JP 2002-4-30 127841/20021.一种半导体器件，其特征是具备具有槽的半导体衬底；埋入上述槽的至少下部而且具备绝缘粒子的粒状绝缘层；以及被覆上述粒状绝缘层上面的软溶性电介质层，上述绝缘粒子在上述软溶性电介质层的熔点或软化点是稳定的。2.按照权利要求1所述的半导体器件，其特征是上述软溶性电介质层含有搀杂了杂质的硅酸盐玻璃。3.按照权利要求1所述的半导体器件，其特征是上述槽的侧壁和底面上还具备阻挡绝缘层。4.按照权利要求1所述的半导体器件，其特征是还具备被覆上述软溶性电介质层而且具有比上述软溶性电介质层的上述熔点或上述软化点要高的熔点或软化点的覆盖绝缘层。5.按照权利要求1所述的半导体器件，其特征是上述粒状绝缘层还具备绝缘粘合剂。6.按照权利要求1所述的半导体器件，其特征是上述粒状绝缘层的上面低于上述半导体衬底的上面。7.按照权利要求1所述的半导体器件，其特征是上述绝缘粒子的平均直径在100nm～500nm范围内或100nm到上述槽的开口宽度一半的范围内。8.一种半导体器件，其特征是具备具有槽的半导体衬底；埋入上述槽的至少下部而且具备第1和第2绝缘粒子，上述第2绝缘粒子的平均直径比上述第1绝缘粒子的平均直径要小的粒状绝缘层。9.按照权利要求8所述的半导体器件，其特征是上述槽的侧壁和底面上还具备阻挡绝缘层。10.按照权利要求8所述的半导体器件，其特征是上述第1绝缘粒子形成第1粒状绝缘层，上述第2绝缘粒子形成被覆上述第1绝缘层上面的第2粒状绝缘层。11.按照权利要求8所述的半导体器件，其特征是上述第1和第2绝缘粒子是混合的。12.按照权利要求8所述的半导体器件，其特征是还具备被覆上述粒状绝缘层上面的软溶性电介质层，上述第1和第2绝缘粒子在上述软溶性电介质层的熔点或软化点是稳定的。13.按照权利要求12所述的半导体器件，其特征是还具备被覆上述软溶性电介质层的上面而且具有比上述软溶性电介质层的上述熔点或软化点要高的熔点或软化点的覆盖绝缘层。14.按照权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥村秀树，小林仁，土谷政信，大泽明彦，相田聪，上月繁雄，泉沢优，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]