光器件的加工方法技术

本发明专利技术提供光器件的加工方法。该光器件具有：具有发光层的四边形的正面；平行于该正面的四边形的背面；以及连结该正面与该背面的4个侧表面，该4个侧表面是分别倾斜于该正面的垂直线的倾斜面，该方法包括：倾斜面设定步骤，在光器件晶片上设定对应于该光器件的该4个侧表面的倾斜面；激光加工步骤，在实施了该倾斜面设定步骤后，从该发光层侧的面沿着该倾斜面对光器件晶片照射具有吸收性的波长的激光束，形成沿着该倾斜面的激光加工槽；蚀刻步骤，在实施了该激光加工步骤后，使蚀刻液进入该激光加工槽内，蚀刻该激光加工槽的壁面；以及分割步骤，在实施了该蚀刻步骤后，对光器件晶片施加外力，将光器件晶片分割为各个光器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光器件的加工方法。
技术介绍
在激光二极管(LD)和发光二极管(LED)等的光器件的制造过程中，在由蓝宝石或SiC等构成的结晶成长用基板的上表面例如通过外延成长而制造出层级着具有多个光器件的发光层(外延层)的光器件晶片。LD、LED等的光器件形成于通过被设定为格子状的分割预定线而划分出的各区域上，并且通过沿着分割预定线分割光器件晶片而分别形成为个体，制造出各个光器件芯片。以往，作为沿着分割预定线分割光器件晶片的方法，已知如下的方法，沿着分割预定线对晶片照射具有吸收性的波长的脉冲激光束以形成激光加工槽，并对晶片施加外力，从而以激光加工槽作为分割起点割断光器件晶片(参照日本特开平10-305420号公报)。另一方面，为了提升光器件的亮度，还提出了如下的方法，将具有透过性的波长的脉冲激光束的聚光点对准光器件晶片的内部并对该晶片照射，以在内部形成沿着分割预定线的改质层，并对通过该改质层而强度降低后的分割预定线施加外力，从而分割光器件晶片(例如，参照日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光器件的加工方法，在该加工方法中，分割光器件晶片来形成光器件，该光器件具有：具有发光层的四边形的正面；平行于该正面的四边形的背面；以及连结该正面与该背面的4个侧表面，该4个侧表面是相对于该正面的垂直线分别倾斜的倾斜面，该加工方法的特征在于，包括：晶片准备步骤，准备光器件晶片，就该光器件晶片而言，在正面具有该发光层，且被设定有多条交叉的分割预定线并在由该分割预定线划分出的该发光层的各区域上分别具有光器件；倾斜面设定步骤，在光器件晶片上设定该光器件的与该4个侧表面对应的倾斜面；激光加工步骤，在实施了该倾斜面设定步骤后，从该发光层侧的面沿着该倾斜面对光器件晶片照射具有吸收性的波长的激光束，形成沿...

【技术特征摘要】
2014.12.04 JP 2014-2457121.一种光器件的加工方法，在该加工方法中，分割光器件晶片来形成光器件，
该光器件具有：具有发光层的四边形的正面；平行于该正面的四边形的背面；以及连
结该正面与该背面的4个侧表面，该4个侧表面是相对于该正面的垂直线分别倾斜的
倾斜面，
该加工方法的特征在于，包括：
晶片准备步骤，准备光器件晶片，就该光器件晶片而言，在正面具有该发光层，
且被设定有多条交叉的分割预定线并在由该分割预定线划分出的该发光层的各区域
上分别具有光器件；
倾斜面设定步骤，在光器件晶片上设定该光器件的与该4个侧表...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒川太朗，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP