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课题在于缩短掩模的制作时间。在用光刻胶膜构成遮光体的掩模RM的缺陷检查中,采用使用异物检查装置CIS,读取对照射到掩模RM上的检查光的反射光、透过光或这两方的光学信息的办法,检查掩模RM上边的光刻胶图形的卷边、膜减薄、异物等这样的缺陷的有无...该专利属于株式会社日立制作所;大日本印刷株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社日立制作所;大日本印刷株式会社授权不得商用。
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课题在于缩短掩模的制作时间。在用光刻胶膜构成遮光体的掩模RM的缺陷检查中,采用使用异物检查装置CIS,读取对照射到掩模RM上的检查光的反射光、透过光或这两方的光学信息的办法,检查掩模RM上边的光刻胶图形的卷边、膜减薄、异物等这样的缺陷的有无...