【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制造具有衬底和半导体本体的半导体器件的方法， 所述半导体本体包括至少一个具有发射极区、基区和集电极区的双极晶 体管，其中在半导体本体中形成第一半导体区以形成集电极区和发射极 区中的一个，以及在半导体本体表面形成包括第一绝缘层、多晶半导体 层和第二绝缘层的叠层，在所述叠层层中形成开口，然后利用非选择性外延生长沉积另一半导体层，其中开口底部上的单晶水平部分形成基区 以及开口侧面的多晶垂直部分与多晶层相连，然后与开口侧面平行地形 成间隔区以及在所述间隔区之间形成第二半导体区以形成发射极区和集 电极区中的另一个。本专利技术还涉及利用这种方法获得的半导体器件。这种方法非常适用于制造包括诸如分立双极晶体管之类的双极晶体管的半导体器件，但是不适合包括双极晶体管的具体IC (二集成电 路)，例如Bi(C)MOS (二双极(互补)金属氧化物半导体)IC。
技术介绍
从WO 03/100845中可以知道开头段落中提及的方法，其中描述了 双极晶体管的制造过程，所述过程中包括集电极的第一半导体区在半导 体本体上形成，作为半导体衬底上外延n-型层的一部分。在半导体本体 ...
【技术保护点】
一种制造具有衬底（１１）和半导体本体（１２）的半导体器件（１０）的方法，所述半导体器件配置有包括具有发射极区（１）、基区（２）和集电极区（３）的至少一个双极晶体管，其中在半导体本体（１２）中形成第一半导体区（１３）以形成集电极区和发射极区（１、３）中的一个，以及在半导体本体（１２）的表面上形成包括第一绝缘层（４）、多晶半导体层（５）和第二绝缘层（６）的叠层，在所述叠层中形成开口（７），然后通过非选择性外延生长沉积另一半导体层（２２），其中所述开口（７）底部上的单晶水平部分形成基区（２）以及开口（７）侧面上的多晶垂直部分（２Ａ）与多晶半导体层（５）相连，然后与开口（７）侧面平...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2005-11-21 05110997.31. 一种制造具有衬底(11)和半导体本体(12)的半导体器件(10) 的方法，所述半导体器件配置有包括具有发射极区(1)、基区(2)和集 电极区(3)的至少一个双极晶体管，其中在半导体本体(12)中形成第 一半导体区(13)以形成集电极区和发射极区(1、 3)中的一个，以及 在半导体本体(12)的表面上形成包括第一绝缘层(4)、多晶半导体层(5)和第二绝缘层(6)的叠层，在所述叠层中形成开口 (7)，然后通 过非选择性外延生长沉积另一半导体层(22)，其中所述开口 (7)底部 上的单晶水平部分形成基区(2)以及开口 (7)侧面上的多晶垂直部分(2A)与多晶半导体层(5)相连，然后与开口 (7)侧面平行地形成间 隔区(S)以及在所述间隔区(S)之间形成第二半导体区(31)以形成 发射极区和集电极区(1、 3)中的另一个(1)，其特征在于在沉积所述 另一半导体层(22)之前，向所述第二绝缘层(6)提供端部(6A)，从 投影看所述端部悬挂在下层半导体层(5)的端部(5A)之上。2. 根据权利要求l中所述的方法，其特征在于在开口 (7)形成之 后，通过去除半导体层(5)的端部(5A)的一部分，向第二绝缘层(6) 提供悬挂端部(6A)。3. 根据权利要求1或2中所述的方法，其特征在于选择悬挂部分 (6A)的侧向尺寸以及所述另一半导体层(22)的厚度，使得在第二绝缘层(6)的悬挂部分(6A)下面形成所述另一半导体层(22)的垂直 部分(2A)。4. 根据权利要求3中所述的方法，其特征在于在悬挂部分(6A) 下面形成至少一部分间隔区(S)。5. 根据任一前述权...
【专利技术属性】
技术研发人员：约斯特梅莱，埃尔温海鲁，菲利浦默尼耶贝拉德，约翰内斯JTM唐克斯，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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