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本发明涉及一种制造半导体器件的方法以及用该方法获得的半导体器件。在半导体本体（１２）中形成第一半导体区（１３）以形成集电极区和发射极区（１、３）中的一个，以及在半导体本体（１２）的表面上形成包括第一绝缘层（４）、多晶半导体层（５）和第二绝缘...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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