【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用溶液法。
技术介绍
SiC的能带隙比Si的能带隙宽。因此，已经提出了各种技术以制造适于用作例如半导体材料的高品质SiC单晶。已经尝试了各种。其中，目前最通常使用的是升华法和溶液法。使用升华法时，生长速度高。然而，易于发生诸如微管的缺陷， 且易于形成多晶型。相反，使用溶液法时，尽管生长速度低，但是不易发生诸如微管的缺陷， 且不易形成多晶型。因此，认为溶液法是有希望的方法。在使用溶液法中，使用的是由含碳材料(一般为石墨)制成的坩埚。在坩埚中熔融含硅材料。在坩埚中的含硅熔融液中，保持温度梯度，从而使熔融液的温度从熔融液的内部向熔融液的表面下降。碳从坩埚下方的高温部溶解入含硅的熔融液 (即，溶剂)中。然后，主要通过熔融液的对流来上升运送碳。当碳达到接近熔融液表面的低温部时，低温部达到过饱和。使被固定在晶种固定轴末端的晶种与通过将碳溶于含硅的熔融液中而制得的溶液的表面接触。因此，在晶种的下表面(即溶液接触面)上生长SiC 单晶。然而，使用溶液生长法在高生长速度下制造具有大面积的高品质SiC晶体，需要解决各种技术问题。例如，在材料科学与工程(Materi...
【技术保护点】
１．一种制造ＳｉＣ单晶的方法，其中通过使ＳｉＣ晶种与溶液接触从而在所述ＳｉＣ晶种上生长ＳｉＣ单晶，所述ＳｉＣ晶种被固定至可旋转的晶种固定轴，所述溶液通过在可旋转的坩埚内将碳溶于含硅的熔融液中而制得，所述方法包括：开始该晶种固定轴的旋转，并在预定的延迟时间之后开始该坩埚的旋转；然后同时停止该晶种固定轴的旋转和该坩埚的旋转；然后将该晶种固定轴和该坩埚停止预定的停止时间；重复旋转／停止循环，所述旋转／停止循环包括：开始该晶种固定轴的旋转，并在预定的延迟时间之后开始该坩埚的旋转，然后同时停止该晶种固定轴的旋转和该坩埚的旋转，然后将该晶种固定轴和该坩埚停止预定的停止时间。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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